Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 99260 Автор(ы) : Перинский В. В., Перинская И. В., Калганова С. Г. Заглавие : Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств : Учебное пособие Выходные данные : Саратов: Саратовский государственный технический университет имени Ю.А. Гагарина, ЭБС АСВ, 2019 Колич.характеристики :123 с Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. ISBN, Цена 978-5-7433-3318-9: Б.ц. УДК : 539.1 ББК : 22.3 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионное легирование--кластеризация--корреляция--наноконструирование--физика Аннотация: Ионная имплантация арсенида галлия позволяет изготавливать наноразмерные локальные активные, резистивные и изолирующие области в монокристаллическом и эпитаксиальном арсениде галлия в промышленной установке ионного легирования, где осуществляется изготовление элементов ИС СВЧ. Учебное пособие посвящено разработке физических основ и технике ионно-лучевой технологии микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия, особенностям применения ускоренных ионов серы, селена, гелия, водорода при создании наноразмерных активных, изолирующих областей в монокристаллическом арсениде галлия и его эпитаксиальных структурах; проблеме качества полупроводниковых структур арсенида галлия; роли процессов кластеризации в технологии ионного легирования и изоляции. Книга предназначена магистрантам, занимающимся исследованиями в области технологии полупроводников АIIIВV для твердотельной СВЧ микроэлектроники, а также студентам, обучающимся по направлению «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» в соответствии с программой подготовки специалистов высшей квалификации для предприятий твердотельной СВЧ электроники. Доп.точки доступа: Перинская, И. В.; Калганова, С. Г.