Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 91724 Автор(ы) : Данилов В. С., Раков Ю. Н. Заглавие : Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : Учебное пособие Выходные данные : Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет, 2017 Колич.характеристики :418 с Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. ISBN, Цена 978-5-7782-3369-0: Б.ц. УДК : 621.382 ББК : 32.85 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): арсенид галлия--барьер шоттки--биполярный транзистор--гетероструктурный транзистор--моп-транзитор--полевой свч-транзистор--полупроводниковый элемент--тепловое равновесие--уравнение непрерывности--уравнение пуассона Аннотация: В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами. Доп.точки доступа: Раков, Ю. Н.