Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 98880 Автор(ы) : Юрчук С. Ю. Заглавие : Основы математического моделирования : Учебное пособие Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2014 Колич.характеристики :108 с Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. ISBN, Цена 978-5-87623-811-5: Б.ц. УДК : 62 ББК : 32.85 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузный процесс--ионная имплантация--математическая модель--технологический процесс--электроника Аннотация: В учебном пособии описаны основные математические модели современных технологических процессов полупроводниковой электроники: диффузии, ионной имплантации, термического окисления и импульсного отжига. Представлены методики решения основных уравнений и способы проведения процесса моделирования с целью разработки топологии современных структур микро- и наноэлектроники. Дана информация о широко используемых в настоящее время физических моделях технологических процессов электроники, их возможностях и ограничениях. Большое внимание уделено описанию параметров математических моделей, позволяющих получать реалистичные результаты моделирования, хорошо совпадающие с экспериментальными. Учебное пособие предназначено для освоения студентами методов математического моделирования основных технологических процессов изготовления микроэлектронных полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также изучения современных моделей процессов электроники. Пособие позволит студентам более глубоко усвоить лекционный материал при подготовке к практическим занятиям и окажет помощь при выполнении домашних заданий и курсовых работ. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».