Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 98100 Автор(ы) : Таперо К. И. Заглавие : Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: основы радиационной стойкости изделий электронной техники : Курс лекций Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2011 Колич.характеристики :252 с Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. ISBN, Цена 978-5-87623-415-5: Б.ц. УДК : 62 ББК : 32.85 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный прибор--интегральная схема--ионизирующее излучение--космическое пространство--полупроводник--радиация--электронная техника Аннотация: В курсе лекций по дисциплине «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения» рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства; численное моделирование радиационных эффектов в кремниевых приборах при воздействии ионизирующего излучения космического пространства. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» и по специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника».