Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 98841 Автор(ы) : Бублик В. Т., Мильвидский А. М. Заглавие : Методы исследования материалов и структур в электронике. Рентгеновская дифракционная микроскопия : Курс лекций Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2006 Колич.характеристики :93 с Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Цена : Б.ц. УДК : 62 ББК : 32.85 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дефект--дифракционная теория--микроскопия--рентгеновская топограмма--рентгеновский луч--электроника Аннотация: В курсе лекций изложены основы динамической теории, геометрические аспекты формирования изображений и основные положения дифракционной теории формирования контраста на дефектах в разных схемах дифракции: схема отражения по Брэггу и Лауэ. Приведен качественный анализ характера контраста на дефектах различного типа. Для более полного усвоения материала приводится большой объем иллюстраций. Необходимо особо отменить, что подобного курса лекций, отвечающего современному уровню и объему данного раздела, в числе читаемых для указанных специальностей в настоящее время не имеется. Предназначено для студентов 4 и 5 курсов специальностей 071000, 200100 и направлений 5516, 5507, 5531, а также аспирантов специализирующихся в области физики и технологии роста кристаллов по специальностям: 01.24.10, 05.27.06 и 05.27.01. Доп.точки доступа: Мильвидский, А. М.