Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Астахов, В. П.$<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98215
Автор(ы) : Астахов В. П., Леготин С. А., Кузьмина К. А.
Заглавие : Основы технологии электронной компонентной базы : Практикум
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2016
Колич.характеристики :53 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-964-8: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--ионная имплантация--компонентная база--микроэлектроника--наноэлектроника--технологический процесс
Аннотация: Содержит описание трех практических занятий, в которых изучаются такие процессы создания приборных структур наноэлектроники, как термическое окисление, диффузия и ионная имплантация. Ставит перед собой задачи объяснить физическую сущность используемых в микро- и наноэлектронике технологических процессов, научить комплексному научному подходу к выбору методов и процессов формирования электронной компонентной базы, а также освоить методики расчета параметров технологических процессов. Результатом обучения должно быть приобретение компетенций по основным базовым процессам технологии для применения их в научных исследованиях, разработке и производстве изделий микро- и наноэлектроники. Практикум является составной частью курса «Основы технологии электронной компонентной базы» для студентов, обучающихся по направлению 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98140
Автор(ы) : Диденко С. И., Астахов В. П., Барышников Ф. М., Борзых И. В., Хрусталёва Т. М.
Заглавие : Физические основы электроники: полевые приборы : Лабораторный практикум
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2016
Колич.характеристики :56 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полевой прибор--полупроводник--транзистор--физический процесс--электроника
Аннотация: В практикуме приводятся описания лабораторных работ, предназначенных для детального и углубленного изучения физических процессов в приборах и структурах современной полупроводниковой электроники – полевых транзисторах с управляющим p–n переходом и МДП-структурой, а также вольт-фарадных характеристик структур металл–диэлектрик–полупроводник. Предназначен для студентов направления 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

 
Статистика
за 04.07.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)