Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Картотека журнальных статей
Систематический имидж-каталог
Авторефераты диссертаций
Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ
ЭБС IPRBooks
ЭБС Консультант студента
ЭБС Юрайт
Диссертации, защищенные в СПХФУ
Журнальный фонд СПХФУ
Библиотечный фонд техникума
ВКР
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Ковалев, А. Н.$<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 65483
Автор(ы) : Ковалев А. Н., Галюк И. В.
Заглавие : Логика. Ораторское искусство юриста : Учебно-методическое пособие для бакалавриата
Выходные данные : Санкт-Петербург: Санкт-Петербургский юридический институт (филиал) Академии Генеральной прокуратуры РФ, 2014
Колич.характеристики :146 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 16
ББК : 87.4
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): аргумент--искусство--логика--оратор--спор--юрист
Аннотация: В учебно-методическом пособии излагаются основы логики и ораторского искусства юриста, рассматриваются законы логики, вопросы теории аргументации, логики спора, дается представление о невербальных средствах общения, видах делового общения в юридической практике, построении судебной речи. Предназначено для использования в процессе подготовки бакалавров по направлению «Юриспруденция», профиль подготовки «Прокурорская деятельность».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 65504
Автор(ы) : Ковалев А. Н., Смирнов В. П.
Заглавие : Педагогика и психология в профессиональной деятельности : Учебно-методическое пособие для бакалавриата
Выходные данные : Санкт-Петербург: Санкт-Петербургский юридический институт (филиал) Академии Генеральной прокуратуры РФ, 2014
Колич.характеристики :104 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 159.9
ББК : 74.5
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): деятельность--личность--педагогика--процесс--психология--структура
Аннотация: В учебно-методическом пособии излагаются основы педагогики и психологии; представлены закономерности педагогического процесса, структура педагогической деятельности, принципы и методы обучения и воспитания; уделено внимание различным аспектам психологии личности, эмоциональному и волевому регулированию ее поведения и деятельности; рассматриваются актуальные педагогической и психологической проблемы в профессиональной деятельности сотрудников прокуратуры. Предназначено для использования в процессе подготовки бакалавров по направлению «Юриспруденция», профиль подготовки «Прокурорская деятельность».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 65524
Автор(ы) : Ковалев А. Н., Кулик Н. В.
Заглавие : Профессиональная этика : Учебное пособие для бакалавриата
Выходные данные : Санкт-Петербург: Санкт-Петербургский юридический институт (филиал) Академии Генеральной прокуратуры РФ, 2013
Колич.характеристики :98 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 17
ББК : 87.7
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): законодательство--мораль--нравственность--прокуратура--профессионализм--сотрудник--этика
Аннотация: Учебно-методическое пособие содержит изложение основ этического учения, общих характеристик морали, структурных компонентов профессиональной этики. Главное внимание уделено проблемам профессиональной нравственности сотрудников прокуратуры. Рассматриваются вопросы нравственных основ законодательства о правосудии, этики прокурорской деятельности, этики судебного процесса. Уделено внимание проблемам нравственного воспитания сотрудников прокуратуры и этике межличностного общения. Предназначено для использования в процессе подготовки бакалавров по направлению «Юриспруденция», профиль подготовки «Прокурорская деятельность».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98922
Автор(ы) : Ковалев А. Н., Рабинович О. И., Тимошина М. И.
Заглавие : Физика и технология наноструктурных гетерокомпозиций : Учебник
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2015
Колич.характеристики :460 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-941-9: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наногетероструктура--наноэлектроника--оптоэлектроника--полупроводник--транзистор--физика--фотодиод
Аннотация: Учебник содержит всестороннее изложение базовых элементов физики полупроводников, объемное изложение и анализ современных технологий выращивания полупроводниковых материалов, учитывающих квантово-размерные эффекты (метод молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, метод Фольмера–Вебера–Странского, Бартона–Кабреры–Ван дер Мерве). Рассмотрены современные многокомпонентные наногетероструктуры, в том числе нитридные, фосфидные и арсенидные материалы. Представлен и проанализирован широкий спектр приборов опто- и наноэлектроники. Приведены рабочие характеристики всех видов транзисторов, фотодиодов, солнечных элементов, светоизлучающих диодов и лазеров, механизмы их деградации и принципы спинтроники на основе нитридов. Учебник предназначен для бакалавров, магистров, инженеров, обучающихся по специальностям 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная электроника», 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», 15.03.04 «Автоматизация технологических процессов и производств», 11.03.01 «Радиотехника», 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи». Представляет интерес для широкого круга читателей, специализирующихся в опто- и наноэлектронике, технологии полупроводниковых материалов и приборов на их основе.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98107
Автор(ы) : Ковалев А. Н.
Заглавие : Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : Монография
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2011
Колич.характеристики :364 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-489-6: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--гетероструктура--нанотехнология--полевой транзистор--электроника
Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки новых полупроводниковых микро- и наногетероструктур и приборов на их основе, а также для студентов и аспирантов.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 97866
Автор(ы) : Ковалев А. Н.
Заглавие : Твердотельная электроника : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2010
Колич.характеристики :212 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-304-2: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): инжекционный лазер--оптоэлектронный прибор--полупроводник--светодиод--твердотельная электроника--транзистор--фотоприемник
Аннотация: Рассмотрены физические явления на границе раздела полупроводник – диэлектрик и в контактах металл – полупроводник. Изложены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров. Уделено внимание гетеропереходам и приборам на их основе. Проанализирована работа транзисторных структур, использующих свойства двумерного электронного газа. Изучаемый курс завершает физическую подготовку бакалавров и инженеров в данном направлении; имеет как теоретическую, так и практико-ориентированную направленность, – является составной частью профессиональной подготовки. Предназначено для изучения курса «Твердотельная электроника» студентами специальности 210100 «Электроника и микроэлектроника» и направления 150600 «Материаловедение и технология материалов».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98163
Автор(ы) : Ковалев А. Н.
Заглавие : Гетероструктурная наноэлектроника : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2009
Колич.характеристики :155 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--гетероструктура--наноэлектроника--полевой транзистор--полупроводник
Аннотация: Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и направлению «Электроника и микроэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика обращений
Статистика
за 01.07.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)