Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Корнеева, Ю. П.$<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 75970
Автор(ы) : Корнеев А. А., Корнеев А. А., Корнеева Ю. П., Рябчун С. А., Чулкова Г. М., Семенов А. В., Гольцман Г. Н.
Заглавие : Неупругая релаксация квазичастиц и детектирование ИК фотонов в сверхпроводниковых наноструктурах Wsi : Монография
Выходные данные : Москва: Московский педагогический государственный университет, 2017
Колич.характеристики :92 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-4263-0567-0: Б.ц.
УДК : 538.945
ББК : 22.368
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктуры--физика неравновестного состояния--фотон
Аннотация: Объектом исследования являются сверхпроводниковые наноструктуры, изготовленных из тонких пленок сверхпроводников, таких как NbN, WSi и пленки алмаза с примесью бора. Изучение физики неравновесного состояния в тонкопленочных сверхпроводящих наноструктурах, возникающего при поглощении инфракрасных фотонов. Изучение динамики процессов энергетической релаксации и механизма возникновения резистивного состояния в сверхпроводниковых наноструктурах, изготовленных из тонких сверхпроводящих пленок NbN, WSi и пленках алмаза, легированного бором.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 70125
Автор(ы) : Корнеева Ю. П., Корнеева Ю. П., Корнеев А. А., Семёнов А. В., Флоря И. Н., Манова Н. Н., Воронов Б. М., Гольцман Г. Н.
Заглавие : Квантовая эффективность сверхпроводникового однофотонного детектора на основе тонкой пленки NbN : Монография
Выходные данные : Москва: Московский педагогический государственный университет, 2015
Колич.характеристики :184 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-4263-0270-9: Б.ц.
УДК : 538.9
ББК : 22.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): детектор--квантовая эффектность--наноэлектроника--радиофизика--сверхпроводник--физика
Аннотация: В монографии рассматриваются методы повышения квантовой эффективности сверхпроводниковых однофотонных детекторов SSPD в виде узких полосок, изготовленных из тонкой пленки NbN. В частности, рассматривается роль абрикосовских вихрей в формировании резистивного состояния в узкой сверхпроводящей полоске при поглощении инфракрасных фотонов. Показано, что уменьшение ширины сверхпроводящей полоски приводит к увеличению квантовой эффективности. Также рассматривается увеличение квантовой эффективности путем включения детектора в микрополостной четвертьволновый резонатор. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 70150
Автор(ы) : Корнеев А. А., Корнеев А. А., Окунев О. В., Чулкова Г. М., Смирнов К. В., Милостная И. И., Минаева О. В., Корнеева Ю. П., Каурова Н. С., Воронов Б. М., Гольцман Г. Н.
Заглавие : Спонтанные и фотоиндуцированные резистивные состояния в узких сверхпроводящих NbN полосках : Монография
Выходные данные : Москва: Московский педагогический государственный университет, 2015
Колич.характеристики :108 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-4263-0269-3: Б.ц.
УДК : 535
ББК : 22.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): детектор--пленка--сверхпроводник--физика--фотоника
Аннотация: Монография посвящена актуальной проблеме современной фотоники: разработке высокочувствительных и быстродействующих сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе тонкой пленки NbN. В работе исследуются неравновесные процессы, протекающие в тонкой сверхпроводящей пленке после поглощения инфракрасного фотона и приводящие к возникновению резистивного состояния. На этих процессах основан механизм фотоотклика исследуемого в работе однофотонного детектора. В частности, исследуются зависимости квантовой эффективности и скорости темнового счета от геометрических параметров детектора: толщины пленки, ширины полоски, а также от величины транспортного тока детектора. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

 
Статистика
за 01.07.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)