Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Кузнецов, Г. Д.$<.>)
Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-14 
1.
IPRBooks-98939
98939

    Кузнецов, Г. Д.
    Элионная технология в микро- и наноиндустрии [Электронный ресурс] : курс лекций / Кузнецов Г. Д. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2008. - 156 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
ионная имплантация -- литография -- нанотехнология -- электроника -- элионная технология
Аннотация: В учебном пособии рассматриваются закономерности изменения параметров тонкопленочных гетерокомпозиций материалов электронной техники при воздействии электронных, ионных потоков и низкотемпературной плазмы для микро- и наноразмерных устройств с улучшенными характеристиками. Цель данного пособия – формирование современных представлений и достижений в области микро- и наноиндустрии. Учитывая, что в рассматриваемых процессах основную роль играют электроны и ионы, принято для краткости называть технологию элионной. Соответствует программе курса «Элионная технология в микро- и нано-индустрии». Предназначено для подготовки специалистов по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника» и может быть полезно для обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология», 210601 «Нанотехнология в электронике» и по специальности 210602 «Наноматериалы».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Кушхов, А. Р.; Билалов, Б. А.
Свободных экз. нет
Найти похожие

2.
IPRBooks-98081
98081

    Кузнецов, Г. Д.
    Микро- и нанотехнологии пленочных гетерокомпозиций [Электронный ресурс] : курс лекций / Кузнецов Г. Д. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2008. - 191 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
ионный процесс -- микротехнология -- наноструктура -- нанотехнология -- пленочная гетерокомпозиция -- пленочный материал -- электроника
Аннотация: В курсе лекций рассматриваются принципы построения, организации и функционирования наноразмерных гетерокомпозиций, физико-химические основы метода Ленгмюра – Блоджетт, ионно-плазменного получения пленок аморфного гидрогенизированного кремния, проблемы деградации параметров пленочных структур. Анализируются эффекты размерного квантования в полупроводниковых наноструктурах, закономерности ионно-плазменного получения пленок нитридов металлов и карбида кремния, а также формирования топологии микросхем с применением неразрушающих методов контроля. Обсуждаются и анализируются особенности технологии молекулярно-пучковой и МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых соединений. Излагаются основы синтеза сверхрешеток алмазоподобных широкозонных материалов и структурно-ориентационного изоморфизма. Приводятся примеры создания микро- и наноразмерных приборов микросистемной техники с использованием ионных процессов. Содержание курса лекций соответствует программе. Предназначен для студентов (бакалавров и магистров), обучающихся по направлениям 210100 «Электроника и микроэлектроника», 210600 «Нанотехнология», 210601 «Нанотехнология в электронике» и по специальности 210602 «Наноматериалы».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Симакин, С. Б.; Демченкова, Д. Н.
Свободных экз. нет
Найти похожие

3.
IPRBooks-98061
98061

    Курочка, С. П.
    Вакуумная и плазменная электроника [Электронный ресурс] : курс лекций / Курочка С. П. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2009. - 162 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
вакуумная электроника -- плазменная электроника -- плазменный дисплей -- электрон -- эмиссионная электроника
Аннотация: Рассматриваются физические основы вакуумной и плазменной электроники и основные направления их применения. Анализируются возможности создания, управления и транспортировки электронных потоков. Рассматриваются физические основы эмиссионной электроники. Анализируются электрические явления в газоразрядном промежутке, примеры преобразования потоков ионизированных частиц и режимы работы плазменных дисплеев. Содержание курса соответствует государственному образовательному стандарту по направлению «Электроника и микроэлектроника». Предназначено для студентов-бакалавров, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Кузнецов, Г. Д.; Курочка, А. С.
Свободных экз. нет
Найти похожие

4.
IPRBooks-98226
98226

   
    Процессы микро- и нанотехнологии. Ионно-плазменные процессы [Электронный ресурс] : лабораторный практикум / Кузнецов Г. Д. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2007. - 141 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктура -- диэлектрическая пленка -- металлическая пленка -- микротехнология -- нанотехнология -- электронная эмиссия
Аннотация: Лабораторный практикум выполняется по курсам «Основы высоких технологий», «Процессы микро- и нанотехнологии» и «Микротехнология слоистых материалов и покрытий». В нем рассматриваются основы физики взаимодействия ускоренных низкоэнергетических ионов с твердым телом, практические возможности использования эффектов ионного воздействия для получения и травления микро- и наноразмерных пленочных гетерокомпозиций. Приводится методика расчета параметров различных технологических ионно-плазменных процессов обработки тонких пленок и покрытий. Дается методика определения экспериментальных параметров процессов осаждения и травления на реальных промышленных установках. Практикум предназначен для студентов и магистров, обучающихся по направлению «Электроника и наноэлектроника», специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Кузнецов, Г. Д.; Курочка, С. П.; Кушхов, А. Р.; Демченкова, Д. Н.; Курочка, А. С.
Свободных экз. нет
Найти похожие

5.
IPRBooks-98072
98072

   
    Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники: оптоэлектронные преобразователи излучений [Электронный ресурс] : курс лекций / Кузнецов Г. Д. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2001. - 62 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктура -- микроэлектроника -- однокристальный преобразователь -- оптоэлектроника -- полупроводник
Аннотация: В курсе лекций рассматриваются результаты работ по созданию бистабильных электронных и оптических элементов для систем обработки и хранения информации на основе полупроводниковых гетерокомпозиций, а также анализируются этапы разработки конструкций для создания однокристального преобразователя. Рассматривается возможность создания новых типов приборов оптоэлектроники. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по специализации «Технология новых материалов», «Нетрадиционные экологически чистые источники и преобразователи энергии» и магистров, обучающихся по программе «Процессы микро- и нанотехнологии».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Кузнецов, Г. Д.; Образцов, А. А.; Сушков, В. П.; Фурманов, Г. П.; Кузнецова, Г. Д. \ред.\
Свободных экз. нет
Найти похожие

6.
IPRBooks-98115
98115

    Кузнецов, Г. Д.
    Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике [Электронный ресурс] : лабораторный практикум / Кузнецов Г. Д. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2002. - 41 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктура -- излучающий диод -- оптоэлектроника -- светодиод -- светофильтр -- фотодиод
Аннотация: Практикум состоит из пяти лабораторных работ, выполнение которых позволит получить достаточно полное представление о свойствах гетероструктур, используемых в оптоэлектронике. В каждом описании к лабораторной работе дается краткое рассмотрение теории и технологии изготовления гетероструктур, что закрепляет знания студентов, полученные в лекционных курсах. Настоящий лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по направлению 550700 для изучения курсов «Основы высоких технологий», «Физико-химические основы многослойных гетероструктур», «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Сушков, В. П.; Ованесов, А. Е.
Свободных экз. нет
Найти похожие

7.
IPRBooks-98204
98204

    Сушков, В. П.
    Микроэлектроника. Компьютерное моделирование параметров полупроводниковых компонентов микроэлектроники [Электронный ресурс] : учебно-методическое пособие / Сушков В. П. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2005. - 105 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
интегральная схема -- компьютерная модель -- микроэлектроника -- полупроводник -- программа
Аннотация: В данном пособии излагаются теоретические основы работы программы SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Приводится информация о типах файлов программы, о формировании необходимых данных по параметрам, используемых при моделировании материалов, примеры записи файлов о материалах и приборах на основе Si, AlGaInP, AlGaAs, нитридов элементов 3-й группы и их твердых растворах. Рассматривается пример моделирования диода с p-n переходом на основе гетероструктур AlGaAs. В приложении приводятся основные физические сведения о программе SimWindows. Пособие соответствует программе курса «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники». Предназначено для студентов, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении домашних заданий, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Кузнецов, Г. Д.; Рабинович, О. И.
Свободных экз. нет
Найти похожие

8.
IPRBooks-56649
56649

    Кузнецов, Г. Д.
    Элионная технология в микро- и наноиндустрии. Неразрушающие методы контроля процессов осаждения и травления наноразмерных пленочных гетерокомпозиций [Электронный ресурс] : учебное пособие / Кузнецов Г. Д. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2012. - 122 с. - ISBN 978-5-87623-547-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.84

Кл.слова (ненормированные):
гетерокомпозиция -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- неразрушающий метод -- элионная технология
Аннотация: В учебном пособии рассматриваются неразрушающие методы контроля технологических процессов нанесения и травления наноразмерных пленочных гетерокомпозиций при использовании ионно-плазменного воздействия на материалы. Анализируются как традиционные способы контроля процессов ионно-плазменной обработки материалов электронной техники, так и специфические, связанные с применением возникающих факторов при взаимодействии ускоренных ионов с твердым телом. Особое внимание уделено использованию возникающего ионно-индуцированного тока в многослойных наноразмерных гетероструктурах и вторичной ионно-электронной эмиссии при ионном воздействии на материалы. По каждой теме приводится перечень контрольных вопросов для проверки усвоения материала и выдаются домашние задания с примером выполнения. Учебное пособие предназначено для магистров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника», «Нанотехнология и микросистемная техника» и может быть полезно обучающимся по направлениям «Наноматериалы» и «Физика».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Сергиенко, А. А.; Симакин, С. Б.; Курочка, С. П.; Курочка, А. С.
Свободных экз. нет
Найти похожие

9.
IPRBooks-56182
56182

    Кузнецов, Г. Д.
    Физика взаимодействия ускоренных ионов, электронов и атомов с веществом. Ускоренные электроны [Электронный ресурс] : учебное пособие / Кузнецов Г. Д. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2012. - 97 с. - ISBN 978-5-87623-572-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 22.3

Кл.слова (ненормированные):
ион -- твердое тело -- физика -- электрон
Аннотация: Учебное пособие посвящено основам физики взаимодействия ускоренных электронов с твердым телом, широко применяемых в электронике. Рассматривается энергетика и основные взаимодействия электронов с веществом в зависимости от их энергии. Анализируются особенности взаимодействия электронов с тонкопленочными гетерокомпозициями, включая дефектообразование. Рассматриваются основы теории электронно-лучевого нагрева облучаемого электронами твердого тела. В каждой главе приводятся контрольные вопросы для проверки усвоения материала, темы практических занятий и индивидуальных домашних заданий. Учебное пособие подготовлено по рекомендации горно-металлургической секции PAEН. Соответствует программе курса «Физика взаимодействия ускоренных ионов, электронов и атомов с веществом». Предназначено для бакалавров и магистров, обучающихся по направлению «Электроника и наноэлектроника» и может быть полезно для обучающихся по направлению «Нанотехнологии и микросистемная техника».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Кушхов, А. Р.
Свободных экз. нет
Найти похожие

10.
IPRBooks-56070
56070

    Сушков, В. П.
    Конструирование компонентов и элементов микро- и наноэлектроники [Электронный ресурс] : компьютерное моделирование оптоэлектронных приборов. Учебно-методическое пособие / Сушков В. П. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2012. - 128 с. - ISBN 978-5-87623-565-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
simwindows -- компьютерное моделирование -- оптоэлектронный прибор
Аннотация: В пособии излагаются теоретические основы работы программы SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Приводится информация о типах файлов программы, о формировании необходимых данных по параметрам, используемых при моделировании материалов, примеры записи файлов, описывающих свойства материалов и приборов на основе Si, AlGaInP, AlGaAs, нитридов элементов III группы и их твердых растворов. Рассматривается пример моделирования диода с p-n-переходом на основе гетероструктур AlGaAs и солнечных элементов. Приводятся основные физические сведения о программе SimWindows. Пособие соответствует программе курса «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники». Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении домашних заданий, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Кузнецов, Г. Д.; Рабинович, О. И.
Свободных экз. нет
Найти похожие

 1-10    11-14 
 
Статистика
за 26.06.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)