Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Картотека журнальных статей
Систематический имидж-каталог
Авторефераты диссертаций
Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ
ЭБС IPRBooks
ЭБС Консультант студента
ЭБС Юрайт
Диссертации, защищенные в СПХФУ
Журнальный фонд СПХФУ
Библиотечный фонд техникума
ВКР
Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Кузнецов, Г. Д.$<.>)
Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-14 
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98072
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Образцов А. А., Сушков В. П., Фурманов Г. П.
Заглавие : Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники: оптоэлектронные преобразователи излучений : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2001
Колич.характеристики :62 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура--микроэлектроника--однокристальный преобразователь--оптоэлектроника--полупроводник
Аннотация: В курсе лекций рассматриваются результаты работ по созданию бистабильных электронных и оптических элементов для систем обработки и хранения информации на основе полупроводниковых гетерокомпозиций, а также анализируются этапы разработки конструкций для создания однокристального преобразователя. Рассматривается возможность создания новых типов приборов оптоэлектроники. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по специализации «Технология новых материалов», «Нетрадиционные экологически чистые источники и преобразователи энергии» и магистров, обучающихся по программе «Процессы микро- и нанотехнологии».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 56088
Автор(ы) : Григорович С. Л., Григорович С. Л., Кузнецов Г. Д., Курочка С. П., Лобачев И. В., Никоненко В. А.
Заглавие : Методики определения параметров вакуумных систем : Лабораторный практикум
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2002
Колич.характеристики :75 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 22.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вакуумная система--газ--насос--течеискатель
Аннотация: Лабораторный практикум выполняется по курсу «Вакуумная техника». В нем рассматриваются методики определения параметров работы форвакуумных насосов, их устройство и режимы их эксплуатации. Описаны устройства для измерения вакуума и определения его параметров. Приводится методика определения параметров вакуумных систем, имеющих различный рабочий объем и межсоединения. Дается методика работы с вакуумметрами различного типа; рассматриваются методики создания высокого вакуума с применением диффузионных насосов и систем безмасляной откачки; анализируются особенности конструкций систем откачки; приводятся методики определения быстроты достижения сверхвысокого вакуума и способы его измерения; дается описание методики определения натекания в вакуумной системе с помощью стандартных систем течеискателей. Предназначен для студентов специальности 200100 и направления 550700.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98115
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Сушков В. П., Ованесов А. Е.
Заглавие : Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике : Лабораторный практикум
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2002
Колич.характеристики :41 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 548
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура--излучающий диод--оптоэлектроника--светодиод--светофильтр--фотодиод
Аннотация: Практикум состоит из пяти лабораторных работ, выполнение которых позволит получить достаточно полное представление о свойствах гетероструктур, используемых в оптоэлектронике. В каждом описании к лабораторной работе дается краткое рассмотрение теории и технологии изготовления гетероструктур, что закрепляет знания студентов, полученные в лекционных курсах. Настоящий лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по направлению 550700 для изучения курсов «Основы высоких технологий», «Физико-химические основы многослойных гетероструктур», «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98204
Автор(ы) : Сушков В. П., Кузнецов Г. Д., Рабинович О. И.
Заглавие : Микроэлектроника. Компьютерное моделирование параметров полупроводниковых компонентов микроэлектроники : Учебно-методическое пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2005
Колич.характеристики :105 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интегральная схема--компьютерная модель--микроэлектроника--полупроводник--программа
Аннотация: В данном пособии излагаются теоретические основы работы программы SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Приводится информация о типах файлов программы, о формировании необходимых данных по параметрам, используемых при моделировании материалов, примеры записи файлов о материалах и приборах на основе Si, AlGaInP, AlGaAs, нитридов элементов 3-й группы и их твердых растворах. Рассматривается пример моделирования диода с p-n переходом на основе гетероструктур AlGaAs. В приложении приводятся основные физические сведения о программе SimWindows. Пособие соответствует программе курса «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники». Предназначено для студентов, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении домашних заданий, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 56129
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д.
Заглавие : Технология материалов электронной техники. Атомно-молекулярные процессы кристаллизации : Учебно-методическое пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2006
Колич.характеристики :99 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллизация--электронная техника--эпитаксия
Аннотация: Рассматриваются теоретические вопросы процессов роста объемных монокристаллов и пленок на атомно-молекулярном уровне. Анализируются существующие представления о механизме формирования кристалла с учетом начальных стадий его зарождения. Обсуждаются и анализируются особенности кристаллизации при различной движущей силе процесса. Описаны особенности молекулярно-лучевой эпитаксии. По большинству рассматриваемых разделов приводятся примеры расчетов параметров процесса кристаллизации. Для студентов обучающихся по направлениям 210100 «Электроника и микроэлектроника», 658300 «Нанотехнология», 150702 «Физика металлов» и специальностям 210104 «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и 202100 «Нанотехнология в электронике».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98226
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Курочка С. П., Кушхов А. Р., Демченкова Д. Н., Курочка А. С.
Заглавие : Процессы микро- и нанотехнологии. Ионно-плазменные процессы : Лабораторный практикум
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2007
Колич.характеристики :141 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура--диэлектрическая пленка--металлическая пленка--микротехнология--нанотехнология--электронная эмиссия
Аннотация: Лабораторный практикум выполняется по курсам «Основы высоких технологий», «Процессы микро- и нанотехнологии» и «Микротехнология слоистых материалов и покрытий». В нем рассматриваются основы физики взаимодействия ускоренных низкоэнергетических ионов с твердым телом, практические возможности использования эффектов ионного воздействия для получения и травления микро- и наноразмерных пленочных гетерокомпозиций. Приводится методика расчета параметров различных технологических ионно-плазменных процессов обработки тонких пленок и покрытий. Дается методика определения экспериментальных параметров процессов осаждения и травления на реальных промышленных установках. Практикум предназначен для студентов и магистров, обучающихся по направлению «Электроника и наноэлектроника», специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98081
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Симакин С. Б., Демченкова Д. Н.
Заглавие : Микро- и нанотехнологии пленочных гетерокомпозиций : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2008
Колич.характеристики :191 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 539
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионный процесс--микротехнология--наноструктура--нанотехнология--пленочная гетерокомпозиция--пленочный материал--электроника
Аннотация: В курсе лекций рассматриваются принципы построения, организации и функционирования наноразмерных гетерокомпозиций, физико-химические основы метода Ленгмюра – Блоджетт, ионно-плазменного получения пленок аморфного гидрогенизированного кремния, проблемы деградации параметров пленочных структур. Анализируются эффекты размерного квантования в полупроводниковых наноструктурах, закономерности ионно-плазменного получения пленок нитридов металлов и карбида кремния, а также формирования топологии микросхем с применением неразрушающих методов контроля. Обсуждаются и анализируются особенности технологии молекулярно-пучковой и МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых соединений. Излагаются основы синтеза сверхрешеток алмазоподобных широкозонных материалов и структурно-ориентационного изоморфизма. Приводятся примеры создания микро- и наноразмерных приборов микросистемной техники с использованием ионных процессов. Содержание курса лекций соответствует программе. Предназначен для студентов (бакалавров и магистров), обучающихся по направлениям 210100 «Электроника и микроэлектроника», 210600 «Нанотехнология», 210601 «Нанотехнология в электронике» и по специальности 210602 «Наноматериалы».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98939
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Кушхов А. Р., Билалов Б. А.
Заглавие : Элионная технология в микро- и наноиндустрии : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2008
Колич.характеристики :156 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионная имплантация--литография--нанотехнология--электроника--элионная технология
Аннотация: В учебном пособии рассматриваются закономерности изменения параметров тонкопленочных гетерокомпозиций материалов электронной техники при воздействии электронных, ионных потоков и низкотемпературной плазмы для микро- и наноразмерных устройств с улучшенными характеристиками. Цель данного пособия – формирование современных представлений и достижений в области микро- и наноиндустрии. Учитывая, что в рассматриваемых процессах основную роль играют электроны и ионы, принято для краткости называть технологию элионной. Соответствует программе курса «Элионная технология в микро- и нано-индустрии». Предназначено для подготовки специалистов по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника» и может быть полезно для обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология», 210601 «Нанотехнология в электронике» и по специальности 210602 «Наноматериалы».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 56059
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Кушхов А. Р.
Заглавие : Ионно-плазменная обработка материалов : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2008
Колич.характеристики :180 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионная обработка--плазменная обработка--электроника
Аннотация: В курсе лекций рассматриваются основные ионно-плазменные процессы в технологии микро- и наноэлектроники. Приводится классификация процессов травления и осаждения тонких пленок материалов электронной техники и гетероструктур на их основе. Рассматриваются особенности селективного и анизотропного травления наноразмерных слоистых материалов при различных способах вакуум-плазменных процессов. Обсуждаются проблемы получения химически чистой поверхности подложек, а также возможные случаи повреждения и изменения шероховатости приповерхностного слоя. Анализируются возможности ионного синтеза и кристаллизации пленок при различных условиях ионного воздействия на поверхность обрабатываемого материала. Приводятся примеры использования ионно-плазменных процессов для создания элементов микро- и наноэлектроники. Курс лекций подготовлен по рекомендации горно-металлургической секции РАЕН. Содержание соответствует государственному образовательному стандарту по направлению «Электроника и микроэлектроника». Предназначено для студентов (бакалавров и магистров), обучающихся по направлениям 210100 «Электроника и микроэлектроника», 210600 «Нанотехнология».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98061
Автор(ы) : Курочка С. П., Кузнецов Г. Д., Курочка А. С.
Заглавие : Вакуумная и плазменная электроника : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2009
Колич.характеристики :162 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вакуумная электроника--плазменная электроника--плазменный дисплей--электрон--эмиссионная электроника
Аннотация: Рассматриваются физические основы вакуумной и плазменной электроники и основные направления их применения. Анализируются возможности создания, управления и транспортировки электронных потоков. Рассматриваются физические основы эмиссионной электроники. Анализируются электрические явления в газоразрядном промежутке, примеры преобразования потоков ионизированных частиц и режимы работы плазменных дисплеев. Содержание курса соответствует государственному образовательному стандарту по направлению «Электроника и микроэлектроника». Предназначено для студентов-бакалавров, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
 1-10    11-14 
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика обращений
Статистика
за 29.06.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)