Фундаментальная библиотека ФГБОУ ВО СПХФУ Минздрава России

Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Главная

ИРБИС64+

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Картотека журнальных статей

Систематический имидж-каталог

Авторефераты диссертаций

Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ

ЭБС IPRBooks

ЭБС Консультант студента

ЭБС Юрайт

Диссертации, защищенные в СПХФУ

Журнальный фонд СПХФУ

Библиотечный фонд техникума

ВКР

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Кузнецов, Г. Д.$<.>)

Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-14

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98939
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Кушхов А. Р., Билалов Б. А.
Заглавие : Элионная технология в микро- и наноиндустрии : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2008
Колич.характеристики :156 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионная имплантация--литография--нанотехнология--электроника--элионная технология
Аннотация: В учебном пособии рассматриваются закономерности изменения параметров тонкопленочных гетерокомпозиций материалов электронной техники при воздействии электронных, ионных потоков и низкотемпературной плазмы для микро- и наноразмерных устройств с улучшенными характеристиками. Цель данного пособия – формирование современных представлений и достижений в области микро- и наноиндустрии. Учитывая, что в рассматриваемых процессах основную роль играют электроны и ионы, принято для краткости называть технологию элионной. Соответствует программе курса «Элионная технология в микро- и нано-индустрии». Предназначено для подготовки специалистов по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника» и может быть полезно для обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология», 210601 «Нанотехнология в электронике» и по специальности 210602 «Наноматериалы».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98081
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Симакин С. Б., Демченкова Д. Н.
Заглавие : Микро- и нанотехнологии пленочных гетерокомпозиций : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2008
Колич.характеристики :191 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 539
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионный процесс--микротехнология--наноструктура--нанотехнология--пленочная гетерокомпозиция--пленочный материал--электроника
Аннотация: В курсе лекций рассматриваются принципы построения, организации и функционирования наноразмерных гетерокомпозиций, физико-химические основы метода Ленгмюра – Блоджетт, ионно-плазменного получения пленок аморфного гидрогенизированного кремния, проблемы деградации параметров пленочных структур. Анализируются эффекты размерного квантования в полупроводниковых наноструктурах, закономерности ионно-плазменного получения пленок нитридов металлов и карбида кремния, а также формирования топологии микросхем с применением неразрушающих методов контроля. Обсуждаются и анализируются особенности технологии молекулярно-пучковой и МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых соединений. Излагаются основы синтеза сверхрешеток алмазоподобных широкозонных материалов и структурно-ориентационного изоморфизма. Приводятся примеры создания микро- и наноразмерных приборов микросистемной техники с использованием ионных процессов. Содержание курса лекций соответствует программе. Предназначен для студентов (бакалавров и магистров), обучающихся по направлениям 210100 «Электроника и микроэлектроника», 210600 «Нанотехнология», 210601 «Нанотехнология в электронике» и по специальности 210602 «Наноматериалы».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98061
Автор(ы) : Курочка С. П., Кузнецов Г. Д., Курочка А. С.
Заглавие : Вакуумная и плазменная электроника : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2009
Колич.характеристики :162 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вакуумная электроника--плазменная электроника--плазменный дисплей--электрон--эмиссионная электроника
Аннотация: Рассматриваются физические основы вакуумной и плазменной электроники и основные направления их применения. Анализируются возможности создания, управления и транспортировки электронных потоков. Рассматриваются физические основы эмиссионной электроники. Анализируются электрические явления в газоразрядном промежутке, примеры преобразования потоков ионизированных частиц и режимы работы плазменных дисплеев. Содержание курса соответствует государственному образовательному стандарту по направлению «Электроника и микроэлектроника». Предназначено для студентов-бакалавров, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98226
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Курочка С. П., Кушхов А. Р., Демченкова Д. Н., Курочка А. С.
Заглавие : Процессы микро- и нанотехнологии. Ионно-плазменные процессы : Лабораторный практикум
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2007
Колич.характеристики :141 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура--диэлектрическая пленка--металлическая пленка--микротехнология--нанотехнология--электронная эмиссия
Аннотация: Лабораторный практикум выполняется по курсам «Основы высоких технологий», «Процессы микро- и нанотехнологии» и «Микротехнология слоистых материалов и покрытий». В нем рассматриваются основы физики взаимодействия ускоренных низкоэнергетических ионов с твердым телом, практические возможности использования эффектов ионного воздействия для получения и травления микро- и наноразмерных пленочных гетерокомпозиций. Приводится методика расчета параметров различных технологических ионно-плазменных процессов обработки тонких пленок и покрытий. Дается методика определения экспериментальных параметров процессов осаждения и травления на реальных промышленных установках. Практикум предназначен для студентов и магистров, обучающихся по направлению «Электроника и наноэлектроника», специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98072
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Образцов А. А., Сушков В. П., Фурманов Г. П.
Заглавие : Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники: оптоэлектронные преобразователи излучений : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2001
Колич.характеристики :62 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура--микроэлектроника--однокристальный преобразователь--оптоэлектроника--полупроводник
Аннотация: В курсе лекций рассматриваются результаты работ по созданию бистабильных электронных и оптических элементов для систем обработки и хранения информации на основе полупроводниковых гетерокомпозиций, а также анализируются этапы разработки конструкций для создания однокристального преобразователя. Рассматривается возможность создания новых типов приборов оптоэлектроники. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по специализации «Технология новых материалов», «Нетрадиционные экологически чистые источники и преобразователи энергии» и магистров, обучающихся по программе «Процессы микро- и нанотехнологии».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98115
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Сушков В. П., Ованесов А. Е.
Заглавие : Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике : Лабораторный практикум
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2002
Колич.характеристики :41 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 548
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура--излучающий диод--оптоэлектроника--светодиод--светофильтр--фотодиод
Аннотация: Практикум состоит из пяти лабораторных работ, выполнение которых позволит получить достаточно полное представление о свойствах гетероструктур, используемых в оптоэлектронике. В каждом описании к лабораторной работе дается краткое рассмотрение теории и технологии изготовления гетероструктур, что закрепляет знания студентов, полученные в лекционных курсах. Настоящий лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по направлению 550700 для изучения курсов «Основы высоких технологий», «Физико-химические основы многослойных гетероструктур», «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98204
Автор(ы) : Сушков В. П., Кузнецов Г. Д., Рабинович О. И.
Заглавие : Микроэлектроника. Компьютерное моделирование параметров полупроводниковых компонентов микроэлектроники : Учебно-методическое пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2005
Колич.характеристики :105 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интегральная схема--компьютерная модель--микроэлектроника--полупроводник--программа
Аннотация: В данном пособии излагаются теоретические основы работы программы SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Приводится информация о типах файлов программы, о формировании необходимых данных по параметрам, используемых при моделировании материалов, примеры записи файлов о материалах и приборах на основе Si, AlGaInP, AlGaAs, нитридов элементов 3-й группы и их твердых растворах. Рассматривается пример моделирования диода с p-n переходом на основе гетероструктур AlGaAs. В приложении приводятся основные физические сведения о программе SimWindows. Пособие соответствует программе курса «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники». Предназначено для студентов, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении домашних заданий, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 56649
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Кузнецов Г. Д., Сергиенко А. А., Симакин С. Б., Курочка С. П., Курочка А. С.
Заглавие : Элионная технология в микро- и наноиндустрии. Неразрушающие методы контроля процессов осаждения и травления наноразмерных пленочных гетерокомпозиций : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2012
Колич.характеристики :122 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-547-3: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.84
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетерокомпозиция--микроэлектроника--наноэлектроника--неразрушающий метод--элионная технология
Аннотация: В учебном пособии рассматриваются неразрушающие методы контроля технологических процессов нанесения и травления наноразмерных пленочных гетерокомпозиций при использовании ионно-плазменного воздействия на материалы. Анализируются как традиционные способы контроля процессов ионно-плазменной обработки материалов электронной техники, так и специфические, связанные с применением возникающих факторов при взаимодействии ускоренных ионов с твердым телом. Особое внимание уделено использованию возникающего ионно-индуцированного тока в многослойных наноразмерных гетероструктурах и вторичной ионно-электронной эмиссии при ионном воздействии на материалы. По каждой теме приводится перечень контрольных вопросов для проверки усвоения материала и выдаются домашние задания с примером выполнения. Учебное пособие предназначено для магистров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника», «Нанотехнология и микросистемная техника» и может быть полезно обучающимся по направлениям «Наноматериалы» и «Физика».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 56182
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Кушхов А. Р.
Заглавие : Физика взаимодействия ускоренных ионов, электронов и атомов с веществом. Ускоренные электроны : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2012
Колич.характеристики :97 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-572-5: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 22.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ион--твердое тело--физика--электрон
Аннотация: Учебное пособие посвящено основам физики взаимодействия ускоренных электронов с твердым телом, широко применяемых в электронике. Рассматривается энергетика и основные взаимодействия электронов с веществом в зависимости от их энергии. Анализируются особенности взаимодействия электронов с тонкопленочными гетерокомпозициями, включая дефектообразование. Рассматриваются основы теории электронно-лучевого нагрева облучаемого электронами твердого тела. В каждой главе приводятся контрольные вопросы для проверки усвоения материала, темы практических занятий и индивидуальных домашних заданий. Учебное пособие подготовлено по рекомендации горно-металлургической секции PAEН. Соответствует программе курса «Физика взаимодействия ускоренных ионов, электронов и атомов с веществом». Предназначено для бакалавров и магистров, обучающихся по направлению «Электроника и наноэлектроника» и может быть полезно для обучающихся по направлению «Нанотехнологии и микросистемная техника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 56070
Автор(ы) : Сушков В. П., Кузнецов Г. Д., Рабинович О. И.
Заглавие : Конструирование компонентов и элементов микро- и наноэлектроники : Компьютерное моделирование оптоэлектронных приборов. Учебно-методическое пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2012
Колич.характеристики :128 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-565-7: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): simwindows--компьютерное моделирование--оптоэлектронный прибор
Аннотация: В пособии излагаются теоретические основы работы программы SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Приводится информация о типах файлов программы, о формировании необходимых данных по параметрам, используемых при моделировании материалов, примеры записи файлов, описывающих свойства материалов и приборов на основе Si, AlGaInP, AlGaAs, нитридов элементов III группы и их твердых растворов. Рассматривается пример моделирования диода с p-n-переходом на основе гетероструктур AlGaAs и солнечных элементов. Приводятся основные физические сведения о программе SimWindows. Пособие соответствует программе курса «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники». Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении домашних заданий, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ.
(для доступа требуется авторизация)

1-10 11-14

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	0
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)