Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Мурашев, В. Н.$<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 56592
Автор(ы) : Мурашев В. Н., Мурашев В. Н., Леготин С. А., Корольченко А. С., Орлова М. Н.
Заглавие : Физика фотопреобразователей : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2011
Колич.характеристики :120 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-401-8: Б.ц.
УДК : 537
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): детектор--физика--фотопреобразователь
Аннотация: Полупроводниковые фотопреобразователи – приемники излучений относятся к отдельному классу полупроводниковых приборов, поскольку конструкции приемников излучений весьма специфичны и предусматривают наличие чувствительных к излучению материалов. В курсе лекций описываются физические процессы, происходящие в материале полупроводниковых фотопреобразователей (приемников излучений). Приводятся математические уравнения и методы их решений. На примерах полупроводниковых приемников излучений, таких как фотодиоды, фототранзисторы, солнечные элементы, ПЗС-приборы, матричные детекторы и т.д., изучаются вольт-амперные и спектральные характеристики. Рассматриваются физические, конструкционные и технологические методы повышения эффективности приемников излучений. Оцениваются перспективы развития новых типов приемников излучений с конструкцией пикселей микро- и нанометрового топологического диапазона. Курс лекций предназначен для студентов, обучающихся по направлениям 210100 «Электроника и наноэлектроника», 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98121
Автор(ы) : Леготин С. А., Краснов А. А., Ельников Д. С., Мурашев В. Н., Диденко С. И., Таперо К. И., Коновалов М. П.
Заглавие : Проектирование и технология электронной компонентной базы: полупроводниковые приемники излучений : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2018
Колич.характеристики :188 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-906953-50-6: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионизирующее излучение--матричный приемник--полупроводник--фотодиод--фоторезистор--электроника
Аннотация: Методологически дисциплина построена на основе оптимального соотношения теоретических и прикладных вопросов проектирования полупроводниковых матричных приемников излучений. Теоретические основы изложены так, чтобы показать основные физические процессы, происходящие в элементах интегральной микросхемы матричного приемника излучений. Прикладные вопросы ориентируют слушателей на решение типовых задач проектирования технологии, конструкции и схемотехники оптических матричных интегральных микросхем. Этот курс дает недостающую информацию для инженеров и физиков, которые хотят больше узнать об интегрированных оптоэлектронных схемах, реализуемых по кремниевой технологии, и предназначен быть связующим звеном между микроэлектроникой и оптоэлектроникой. Курс лекций предназначен для студентов, обучающихся по укрупненной группе специальностей 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи» и специалистов, работающих на предприятиях в сфере оптоэлектроники.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98093
Автор(ы) : Мурашев В. Н., Леготин С. А., Орлова М. Н., Мельников А. Л.
Заглавие : Микросхемотехника : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2011
Колич.характеристики :220 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-334-9: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): запоминающее устройство--интегральная схема--логическая схема--микроэлектроника--транзисторная структура--электронная схема
Аннотация: В курсе лекций приведен ретроспективный обзор основных электронных схем и устройств микроэлектроники. Представлено описание функционирования, методов анализа и синтеза наиболее важных устройств (логических и аналоговых интегральных схем, устройств памяти и т.д.). Значительное внимание уделено методам расчета и проектирования сверхбольших интегральных схем (СБИС), а также анализу их статических и динамических характеристик. Приведено большое количество примеров конструкций и топологии (К-МОП и БИ-КМОП) элементной базы современных СБИС. Курс лекций предназначен для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника» и специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98082
Автор(ы) : Юрчук С. Ю., Мурашев В. Н.
Заглавие : Моделирование полупроводниковых приборов : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2001
Колич.характеристики :98 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--интегральная схема--модель--полупроводниковый прибор--униполярный транзистор
Аннотация: Данный курс лекций является частью курса «Моделирование технологических процессов». В нем приведены основные уравнения, описывающие работу полупроводниковых приборов, и основные подходы к их решению, применяемые при моделировании; предложены примеры моделирования работы основных полупроводниковых приборов, являющихся элементами интегральных схем; показаны способы упрощения решения базовой системы уравнений для разных приборов. Решение уравнений и численные алгоритмы не рассматриваются, так как этот материал должен прорабатываться на практических занятиях и при выполнении лабораторных работ. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам «Физика твердого тела», «Физика полупроводниковых приборов и ИС», а также иметь представления об основных численных методах. Предназначен для студентов направления 654100 «Электроника и микроэлектроника» специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов»).
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

 
Статистика
за 05.07.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)