Фундаментальная библиотека ФГБОУ ВО СПХФУ Минздрава России

Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Главная

ИРБИС64+

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Картотека журнальных статей

Систематический имидж-каталог

Авторефераты диссертаций

Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ

ЭБС IPRBooks

ЭБС Консультант студента

ЭБС Юрайт

Диссертации, защищенные в СПХФУ

Журнальный фонд СПХФУ

Библиотечный фонд техникума

ВКР

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Смирнов, К. В.$<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 70150
Автор(ы) : Корнеев А. А., Корнеев А. А., Окунев О. В., Чулкова Г. М., Смирнов К. В., Милостная И. И., Минаева О. В., Корнеева Ю. П., Каурова Н. С., Воронов Б. М., Гольцман Г. Н.
Заглавие : Спонтанные и фотоиндуцированные резистивные состояния в узких сверхпроводящих NbN полосках : Монография
Выходные данные : Москва: Московский педагогический государственный университет, 2015
Колич.характеристики :108 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-4263-0269-3: Б.ц.
УДК : 535
ББК : 22.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): детектор--пленка--сверхпроводник--физика--фотоника
Аннотация: Монография посвящена актуальной проблеме современной фотоники: разработке высокочувствительных и быстродействующих сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе тонкой пленки NbN. В работе исследуются неравновесные процессы, протекающие в тонкой сверхпроводящей пленке после поглощения инфракрасного фотона и приводящие к возникновению резистивного состояния. На этих процессах основан механизм фотоотклика исследуемого в работе однофотонного детектора. В частности, исследуются зависимости квантовой эффективности и скорости темнового счета от геометрических параметров детектора: толщины пленки, ширины полоски, а также от величины транспортного тока детектора. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 70140
Автор(ы) : Смирнов К. В., Смирнов К. В., Чулкова Г. М., Вахтомин Ю. Б., Корнеев А. А., Окунев О. В., Дивочий А. В., Семенов А. В., Гольцман Г. Н.
Заглавие : Особенности разогрева и релаксации горячих электронов в тонкопленочных сверхпроводниковых наноструктурах и 2D полупроводниковых гетероструктурах при поглощении излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов : Монография
Выходные данные : Москва: Московский педагогический государственный университет, 2014
Колич.характеристики :240 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-4263-0145-0: Б.ц.
УДК : 537
ББК : 22.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): заряд--полупроводник--сверхпроводник--технология--фотон
Аннотация: В монографии рассмотрены основные особенности эффекта электронного разогрева в тонких сверхпроводниковых пленках и полупроводниковых гетеропереходах, возникающего при поглощении носителями заряда излучений терагерцового и инфракрасного диапазонов. Значительная часть монографии посвящена представлению современных достижений при использовании указанного эффекта для создания приемных устройств с рекордными характеристиками: терагерцовых гетеродинных и болометрических приемников на основе сверхпроводниковых и полупроводниковых структур; сверхпроводниковых приемников одиночных ИК фотонов. В работе также подробно рассмотрены основы современной сверхпроводниковой тонкопленочной технологии. Монография может быть полезна студентам старших курсов, аспирантам и начинающим исследователям, работающим в области физики твердого тела, оптики, радиофизики.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 23976
Автор(ы) : Минаева О. В., Минаева О. В., Окунев О. В., Чулкова Г. М., Корнеев А. А., Смирнов К. В.
Заглавие : Быстродействующий однофотонный детектор на основе тонкой сверхпроводниковой пленки NbN : Монография
Выходные данные : Москва: Прометей, 2013
Колич.характеристики :144 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-7042-2475-4: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.844
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): быстродействующий детектор--однофотонный детектор--пленка nbn--сверхпроводниковая пленка
Аннотация: В настоящее время приборы ИК диапазона широко применяются в научных исследованиях, промышленности, военном деле. Можно привести множество примеров практического использования этих приборов: дистанционное измерение температур и теплового излучения различных тел, химический анализ веществ по спектрам их поглощения и излучения в ИК области спектра, инфракрасные астрономические исследования, тепловидение, обнаружение морских, наземных, воздушных объектов, тестирование микросхем, квантовая криптография, квантовые компьютеры.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 18639
Автор(ы) : Чулкова Г. М., Чулкова Г. М., Корнеев А. А., Смирнов К. В., Окунев О. В.
Заглавие : Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе : Монография
Выходные данные : Москва: Прометей, 2012
Колич.характеристики :140 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-4263-0118-4: Б.ц.
УДК : 537.311
ББК : 22.37
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): двумерный электронный газ--монография--нанотехнологии--наноэлектроника--полупроводник--примесный металл--энергетическая релаксация
Аннотация: Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники.
(для доступа требуется авторизация)

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 02.07.2024
Число запросов	0
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)