Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Картотека журнальных статей
Систематический имидж-каталог
Авторефераты диссертаций
Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ
ЭБС IPRBooks
ЭБС Консультант студента
ЭБС Юрайт
Диссертации, защищенные в СПХФУ
Журнальный фонд СПХФУ
Библиотечный фонд техникума
ВКР
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Юрчук, С. Ю.$<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 78562
Автор(ы) : Юрчук С. Ю.
Заглавие : Методы математического моделирования : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2018
Колич.характеристики :96 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-906953-43-8: Б.ц.
УДК : 621.3
ББК : 22.1
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование--структура--уравнение
Аннотация: Изложены основные методы численного моделирования полупроводниковых структур микро- и наноэлектроники, основанные на решении фундаментальной системы уравнений: Пуассона, непрерывности и переноса. Рассмотрены основные приближения базовой системы уравнений и границы их применимости. Представлены методы дискретизации фундаментальной системы уравнений (конечных разностей и конечных элементов) для последующего решения и сами методики решения. Отдельно рассмотрены подходы к моделированию полупроводниковых наноструктур с учетом влияния квантовых эффектов. Описаны методы численного решения стационарного и нестационарного уравнений Шредингера и метод совместного решения уравнений\nШредингера и Пуассона для полупроводниковых гетероструктур. Предназначено для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».Изложены основные методы численного моделирования полупроводниковых структур микро- и наноэлектроники, основанные на решении фундаментальной системы уравнений: Пуассона, непрерывности и переноса. Рассмотрены основные приближения базовой системы уравнений и границы их применимости. Представлены методы дискретизации фундаментальной системы уравнений (конечных разностей и конечных элементов) для последующего решения и сами методики решения. Отдельно рассмотрены подходы к моделированию полупроводниковых наноструктур с учетом влияния квантовых эффектов. Описаны методы численного решения стационарного и нестационарного уравнений Шредингера и метод совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона для полупроводниковых гетероструктур. Предназначено для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 56066
Автор(ы) : Юрчук С. Ю.
Заглавие : Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур. Математическое моделирование фотолитографических процессов и процессов электронной литографии при создании субмикронных структур и структур с нанометровыми размерами : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2013
Колич.характеристики :45 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-662-3: Б.ц.
УДК : 539
ББК : 32.81
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): математическое моделирование--субмикронная структура--фотолитография--электронная литография
Аннотация: Курс лекций описывает основные математические модели фотолитографии и электронной литографии, используемых при создании субмикронных структур. Приведены модели отдельных процессов фотолитографии: формирование изображения в фоторезисте, экспонирование, травление фоторезиста. Показаны ограничения, которые накладываются на процесс фотолитографии. Приведена теория электронной эмиссии, используемая для моделирования формирования электронного пучка. Описан эффект близости, который вносит ограничения в точность формирования изображения при электронной литографии. Показаны способы коррекции эффекта близости. Предназначен для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 56067
Автор(ы) : Юрчук С. Ю.
Заглавие : Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур. Моделирование наносистем методами молекулярной динамики : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2013
Колич.характеристики :47 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-663-0: Б.ц.
УДК : 539
ББК : 32.81
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование--молекулярная динамика--наносистема
Аннотация: Цель курса лекций – ознакомить студентов с методами моделирования процессов выращивания наноструктур. Даны основные представления о методе Монте-Карло, основанном на выборе случайных процессов. Представлены приложения метода Монте-Карло для моделирования взаимодействия частиц. Даны основные представления моделирования выращивания нанопленок методом молекулярной динамики, с помощью которого можно численно интегрировать классические уравнения движения и проследить траекторию движения атомов и молекул в некотором конечном временном интервале, не превышающем нано- или микросекунду. Показаны примеры результатов моделирования роста нанослоев. Предназначен для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 56102
Автор(ы) : Юрчук С. Ю., Диденко С. И., Кольцов Г. И.
Заглавие : Полупроводниковые оптоэлектронные приборы : Лабораторный практикум
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2006
Колич.характеристики :63 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.86
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптоэлектронный прибор--оптрон--фотодиод--фототранзистор
Аннотация: Лабораторный практикум включает описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Представлены схемы измерения и методики расчета основных параметров и характеристик оптоэлектронных приборов. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам «Физика твердого тела», «Физика полупроводниковых приборов», «Квантовая и оптическая электроника». Предназначен для студентов специальности 210104 (2001) «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов»).
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98880
Автор(ы) : Юрчук С. Ю.
Заглавие : Основы математического моделирования : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2014
Колич.характеристики :108 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-811-5: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузный процесс--ионная имплантация--математическая модель--технологический процесс--электроника
Аннотация: В учебном пособии описаны основные математические модели современных технологических процессов полупроводниковой электроники: диффузии, ионной имплантации, термического окисления и импульсного отжига. Представлены методики решения основных уравнений и способы проведения процесса моделирования с целью разработки топологии современных структур микро- и наноэлектроники. Дана информация о широко используемых в настоящее время физических моделях технологических процессов электроники, их возможностях и ограничениях. Большое внимание уделено описанию параметров математических моделей, позволяющих получать реалистичные результаты моделирования, хорошо совпадающие с экспериментальными. Учебное пособие предназначено для освоения студентами методов математического моделирования основных технологических процессов изготовления микроэлектронных полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также изучения современных моделей процессов электроники. Пособие позволит студентам более глубоко усвоить лекционный материал при подготовке к практическим занятиям и окажет помощь при выполнении домашних заданий и курсовых работ. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98118
Автор(ы) : Юрчук С. Ю., Диденко С. И., Кольцов Г. И., Мартынов В. Н.
Заглавие : Полупроводниковые оптоэлектронные приборы : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2004
Колич.характеристики :112 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптоэлектронный прибор--оптрон--полупроводник--фотодиод--фотоприемник--фоторезистор--фототранзистор
Аннотация: Приведено описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Рассмотрены параметры и характеристики оптоэлектронных приборов. Дана классификация как самих приборов, так и их параметров. Курс лекций «Полупроводниковые оптоэлектронные приборы» предназначен для студентов специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов») направлений 550700, 654100 «Электроника и микроэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98082
Автор(ы) : Юрчук С. Ю., Мурашев В. Н.
Заглавие : Моделирование полупроводниковых приборов : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2001
Колич.характеристики :98 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--интегральная схема--модель--полупроводниковый прибор--униполярный транзистор
Аннотация: Данный курс лекций является частью курса «Моделирование технологических процессов». В нем приведены основные уравнения, описывающие работу полупроводниковых приборов, и основные подходы к их решению, применяемые при моделировании; предложены примеры моделирования работы основных полупроводниковых приборов, являющихся элементами интегральных схем; показаны способы упрощения решения базовой системы уравнений для разных приборов. Решение уравнений и численные алгоритмы не рассматриваются, так как этот материал должен прорабатываться на практических занятиях и при выполнении лабораторных работ. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам «Физика твердого тела», «Физика полупроводниковых приборов и ИС», а также иметь представления об основных численных методах. Предназначен для студентов направления 654100 «Электроника и микроэлектроника» специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов»).
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика обращений
Статистика
за 01.07.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)