Фундаментальная библиотека ФГБОУ ВО СПХФУ Минздрава России

Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Главная

ИРБИС64+

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Картотека журнальных статей

Систематический имидж-каталог

Авторефераты диссертаций

Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ

ЭБС IPRBooks

ЭБС Консультант студента

ЭБС Юрайт

Диссертации, защищенные в СПХФУ

Журнальный фонд СПХФУ

Библиотечный фонд техникума

ВКР

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=арсенид<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13932
Автор(ы) : Романовский М. Н.
Заглавие : Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 2. Элементы интегральных схем и функциональные устройства: Учебное пособие. Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 2. Элементы интегральных схем и функциональные устройства
Выходные данные : : Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники Б.м., 2012
Колич.характеристики :127 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-905025-06-8: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интегральное устройство--радиоэлектроника--кремний--арсенид--галлий--интегральная оптика--акустоэлектронное устройство
Аннотация: Рассмотрены элементы интегральных схем на кремнии и арсениде галлия, элементы интегральной оптики, акустоэлектронные устройства. Для студентов, обучающихся по специальности «Проектирование и технология радиоэлектронных средств».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 91724
Автор(ы) : Данилов В. С., Раков Ю. Н.
Заглавие : Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : Учебное пособие
Выходные данные : Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет, 2017
Колич.характеристики :418 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-7782-3369-0: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): арсенид галлия--барьер шоттки--биполярный транзистор--гетероструктурный транзистор--моп-транзитор--полевой свч-транзистор--полупроводниковый элемент--тепловое равновесие--уравнение непрерывности--уравнение пуассона
Аннотация: В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 93373
Автор(ы) : Мальцев П. П., Матвеенко О. С., Гнатюк Д. Л., Лисицкий А. П., Фёдоров Ю. В., Галиев Р. Р., Бунегина С. Л., Крапухин Д. В., Лаврухин Д. В., Ячменев А. Э., Хабибуллин Р. А., Пономарёв Д. С., Зуев А. В., Побойкина Н. В., Галиев Г. Б., Климов Е. А., Бугаев А. С., Глинский И. А., Пушкарёв С. С., Буряков А. М., Билык В. Р., Хусяинов Д. И., Мишина Е. Д., Клочков А. Н., Васильевский И. С., Грехов М. М., Трунькин И. Н., Васильев А. Л., Михайлович С. В., Павлов В. Ю., Павлов А. Ю., Крапухин Д. В., Путинцев Б. Г., Слаповский Д. Н., Томош К. Н., Енюшкина Е. Н., Майтама М. В., Гамкрелидзе С. А., Шахнович И. В., Михалев А. О.
Заглавие : Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А³В⁵
Выходные данные : Москва: Техносфера, 2019
Колич.характеристики :528 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-94836-526-8: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вибраторные антенны--использование метаматериалов--многослойные антенны--перестраиваемые антенны
Аннотация: В сборник вошли статьи сотрудников Федерального государственного автономного научного учреждения «Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова» Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), опубликованные в период 2010-2017 гг. по новым направлениям исследований наногетероструктур А³В⁵ (арсенид галлия и нитрид галлия): расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот, создание фотопроводящих антенн для терагерцевых устройств. Статьи использованы при выполнении работ по заказу Минобрнауки России в рамках: ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы, ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы, ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России» на 2007-2013 годы и на 2014-2020 годы.
(для доступа требуется авторизация)

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 03.07.2024
Число запросов	0
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)