Фундаментальная библиотека ФГБОУ ВО СПХФУ Минздрава России

Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Главная

ИРБИС64+

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Картотека журнальных статей

Систематический имидж-каталог

Авторефераты диссертаций

Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ

ЭБС IPRBooks

ЭБС Консультант студента

ЭБС Юрайт

Диссертации, защищенные в СПХФУ

Журнальный фонд СПХФУ

Библиотечный фонд техникума

ВКР

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=гетероструктура<.>)

Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 75378
Автор(ы) : Головкина М. В.
Заглавие : История и методология фотоники и оптоинформатики : Учебное пособие
Выходные данные : Самара: Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2017
Колич.характеристики :100 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 167
ББК : 22.37
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура--история фотоники--компьютерное моделирование--лазер--метаматериал--методология фотоники--научное познание--оптоинформатика--полупроводниковый материал--этика науки
Аннотация: Книга представляет собой учебное пособие по дисциплине «История и методология фотоники и оптоинформатики». Учебное пособие рассчитано на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработано в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014. В книге на высоком уровне рассматриваются вопросы роли науки в современном обществе, методологические проблемы конкретной отрасли науки - фотоники и оптоинформатики, практические вопросы особенностей методологии решения научных и инженерных задач в области фотоники и оптоинформатики, изучается история фотоники. Особое внимание уделяется вкладу советских и российских ученых в развитие фотоники. Для магистрантов, аспирантов, изучающих вопросы фотоники, оптики, оптоинформатики и оптической связи, а также для инженерно-технических работников.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 62929
Автор(ы) : Сысоев И. А., Лунин Л. С.
Заглавие : Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону : Монография
Выходные данные : Ставрополь: Северо-Кавказский федеральный университет, 2015
Колич.характеристики :97 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-9296-0785-1: Б.ц.
УДК : 539.21
ББК : 22.36
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): газовая фаза--градиентная эпитаксия--массоперенос--микроструктура--многокомпонентная гетероструктура--наноструктура--свойство гетероструктуры--твердый раствор--термодинамический анализ--тонкая зона
Аннотация: В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, аспирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 65340
Автор(ы) : Федоров А. В.
Заглавие : Физика и технология гетероструктур, оптика квантовых наноструктур : Методические рекомендации
Выходные данные : Санкт-Петербург: Университет ИТМО, 2009
Колич.характеристики :59 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 539
ББК : 22.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура--квантовая наноструктура--квантовая точка--квантовая яма--оптика--физика
Аннотация: В настоящее издание включены методические рекомендации по выполнению самостоятельной работы студентов к образовательному модулю №1 «Физика и технология гетероструктур, оптика квантовых наноструктур» 1.1.68.1 магистерской программы «Оптика наноструктур» 2 этап «Технологии». Методические рекомендации предназначены для магистрантов первого и второго курса факультета фотоники и оптоинформатики. Материал может быть рекомендован для студентов старших курсов физико-технических специальностей, а также при подготовке магистрантов и аспирантов, специализирующихся в области применения оптических методов в нанотехнологиях.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 87511
Автор(ы) : Захаров А. Г., Какурина Н. А., Какурин Ю. Б., Черепанцев А. С.
Заглавие : Физика. Введение в твердотельную электронику : Учебное пособие
Выходные данные : Ростов-на-Дону, Таганрог: Издательство Южного федерального университета, 2018
Колич.характеристики :107 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-9275-2621-5: Б.ц.
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура--идеальный кристалл--межатомное взаимодействие--полупроводник--сверхпроводимость--твердое тело--твердотельная электроника--физика--электронно-дырочный переход
Аннотация: В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно изложены контактные явления. Обсуждаются особенности гетеропереходов.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98084
Автор(ы) : Курочка С. П., Сергиенко А. А.
Заглавие : Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2015
Колич.характеристики :82 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-940-2: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанолитография--наноразмерная гетероструктура--нанотехнология--одноэлектронный транзистор--полевой транзистор--электроника
Аннотация: В результате анализа условий проявления квантово-размерных эффектов, возникающих в многослойных тонкопленочных структурах, уточнены требования к технологическим процессам формирования наноструктурированных гетерокомпозиций. Анализируются как базовые традиционные методы формирования с применением нанолитографии – молекулярно-лучевая эпитаксия и газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, так и специфические – зондовая нанотехнология и самоорганизация упорядоченных наноструктур на полупроводниковых подложках. В качестве практического применения наноструктурированных гетерокомпозиций рассмотрены конструкция и принцип работы полевого транзистора с высокой подвижностью носителей и одноэлектронный транзистор. Предназначено для магистрантов, обучающихся по направлениям 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника», 28.04.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98107
Автор(ы) : Ковалев А. Н.
Заглавие : Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : Монография
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2011
Колич.характеристики :364 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-489-6: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--гетероструктура--нанотехнология--полевой транзистор--электроника
Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки новых полупроводниковых микро- и наногетероструктур и приборов на их основе, а также для студентов и аспирантов.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98163
Автор(ы) : Ковалев А. Н.
Заглавие : Гетероструктурная наноэлектроника : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2009
Колич.характеристики :155 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--гетероструктура--наноэлектроника--полевой транзистор--полупроводник
Аннотация: Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и направлению «Электроника и микроэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98226
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Курочка С. П., Кушхов А. Р., Демченкова Д. Н., Курочка А. С.
Заглавие : Процессы микро- и нанотехнологии. Ионно-плазменные процессы : Лабораторный практикум
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2007
Колич.характеристики :141 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура--диэлектрическая пленка--металлическая пленка--микротехнология--нанотехнология--электронная эмиссия
Аннотация: Лабораторный практикум выполняется по курсам «Основы высоких технологий», «Процессы микро- и нанотехнологии» и «Микротехнология слоистых материалов и покрытий». В нем рассматриваются основы физики взаимодействия ускоренных низкоэнергетических ионов с твердым телом, практические возможности использования эффектов ионного воздействия для получения и травления микро- и наноразмерных пленочных гетерокомпозиций. Приводится методика расчета параметров различных технологических ионно-плазменных процессов обработки тонких пленок и покрытий. Дается методика определения экспериментальных параметров процессов осаждения и травления на реальных промышленных установках. Практикум предназначен для студентов и магистров, обучающихся по направлению «Электроника и наноэлектроника», специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98115
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Сушков В. П., Ованесов А. Е.
Заглавие : Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике : Лабораторный практикум
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2002
Колич.характеристики :41 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 548
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура--излучающий диод--оптоэлектроника--светодиод--светофильтр--фотодиод
Аннотация: Практикум состоит из пяти лабораторных работ, выполнение которых позволит получить достаточно полное представление о свойствах гетероструктур, используемых в оптоэлектронике. В каждом описании к лабораторной работе дается краткое рассмотрение теории и технологии изготовления гетероструктур, что закрепляет знания студентов, полученные в лекционных курсах. Настоящий лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по направлению 550700 для изучения курсов «Основы высоких технологий», «Физико-химические основы многослойных гетероструктур», «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98072
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Образцов А. А., Сушков В. П., Фурманов Г. П.
Заглавие : Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники: оптоэлектронные преобразователи излучений : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2001
Колич.характеристики :62 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура--микроэлектроника--однокристальный преобразователь--оптоэлектроника--полупроводник
Аннотация: В курсе лекций рассматриваются результаты работ по созданию бистабильных электронных и оптических элементов для систем обработки и хранения информации на основе полупроводниковых гетерокомпозиций, а также анализируются этапы разработки конструкций для создания однокристального преобразователя. Рассматривается возможность создания новых типов приборов оптоэлектроники. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по специализации «Технология новых материалов», «Нетрадиционные экологически чистые источники и преобразователи энергии» и магистров, обучающихся по программе «Процессы микро- и нанотехнологии».
(для доступа требуется авторизация)

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 28.06.2024
Число запросов	0
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)