Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=интегральная схема<.>)
Общее количество найденных документов : 32
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-32 
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98082
Автор(ы) : Юрчук С. Ю., Мурашев В. Н.
Заглавие : Моделирование полупроводниковых приборов : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2001
Колич.характеристики :98 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--интегральная схема--модель--полупроводниковый прибор--униполярный транзистор
Аннотация: Данный курс лекций является частью курса «Моделирование технологических процессов». В нем приведены основные уравнения, описывающие работу полупроводниковых приборов, и основные подходы к их решению, применяемые при моделировании; предложены примеры моделирования работы основных полупроводниковых приборов, являющихся элементами интегральных схем; показаны способы упрощения решения базовой системы уравнений для разных приборов. Решение уравнений и численные алгоритмы не рассматриваются, так как этот материал должен прорабатываться на практических занятиях и при выполнении лабораторных работ. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам «Физика твердого тела», «Физика полупроводниковых приборов и ИС», а также иметь представления об основных численных методах. Предназначен для студентов направления 654100 «Электроника и микроэлектроника» специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов»).
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98204
Автор(ы) : Сушков В. П., Кузнецов Г. Д., Рабинович О. И.
Заглавие : Микроэлектроника. Компьютерное моделирование параметров полупроводниковых компонентов микроэлектроники : Учебно-методическое пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2005
Колич.характеристики :105 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интегральная схема--компьютерная модель--микроэлектроника--полупроводник--программа
Аннотация: В данном пособии излагаются теоретические основы работы программы SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Приводится информация о типах файлов программы, о формировании необходимых данных по параметрам, используемых при моделировании материалов, примеры записи файлов о материалах и приборах на основе Si, AlGaInP, AlGaAs, нитридов элементов 3-й группы и их твердых растворах. Рассматривается пример моделирования диода с p-n переходом на основе гетероструктур AlGaAs. В приложении приводятся основные физические сведения о программе SimWindows. Пособие соответствует программе курса «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники». Предназначено для студентов, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении домашних заданий, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13947
Автор(ы) : Троян П. Е.
Заглавие : Микроэлектроника : Учебное пособие
Выходные данные : Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2007
Колич.характеристики :346 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--интегральная схема--микроэлектроника--полевой транзистор--полярный транзистор
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены вопросы в соответствии ГОС ВПО и рабочей программой по дисциплине «Микроэлектроника» для студентов, обучающихся в ТУСУР по специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и бакалавров по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника». Дано описание физических процессов в основных элементах интегральных схем – биполярных и полевых транзисторах, их особенностей в интегральном исполнении. Рассмотрены интегральные схемы на биполярных и полевых транзисторах, и основные схемотехнические решения интегральных схем цифровой и аналоговой электроники. Рассмотрены перспективные элементы интегральных схем и их предельные возможности, а также вопросы, связанные с функциональной электроникой.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 65347
Автор(ы) : Ткалич В. Л., Ткалич В. Л., Фролков В. Н., Ткачев К. О., Волченко А. Н., Киянов А. А.
Заглавие : Физические основы микроэлектроники : Методическое учебное пособие к лабораторному практикуму
Выходные данные : Санкт-Петербург: Университет ИТМО, 2009
Колич.характеристики :98 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--интегральная схема--микроэлектроника--температурная зависимость--физическая основа
Аннотация: Пособие соответствует утвержденной учебной программе по направлению 210202 - «Проектирование и технология электронно-вычислительных средств». Предназначено для студентов, выполняющие работы лабораторного практикума по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Пособие содержит описание лабораторных работ, методические указания по их выполнению, контрольные вопросы и краткий теоретический материал. Предназначено для студентов факультета Компьютерных Технологий и Управления, обучающихся по направлению: 210202 – «Проектирование и технология электронно-вычислительных средств».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 65811
Автор(ы) : Гатчин Ю. А., Гатчин Ю. А., Ткалич В. Л., Виволанцев А. С., Дудников Е. А.
Заглавие : Введение в микроэлектронику : Учебное пособие
Выходные данные : Санкт-Петербург: Университет ИТМО, 2010
Колич.характеристики :114 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.84
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диагностический контроль--интегральная схема--литография--микроэлектроника--тонкая пленка
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены физические основы микроэлектроники, интегральные схемы и их технологии производства. Учебное пособие соответствует утвержденным учебным программам по направлениям 210202 — «Проектирование и технология электронно-вычислительных средств» для специалистов и 210200.05 — «Информационные технологии проектирования электронных средств» для магистров техники и технологии, а также 200100 и 200101 — «Приборостроение» для бакалавров и дипломированных специалистов. Предназначено для студентов и магистров факультетов КТиУ и ТМиТ, изучающих дисциплины «Физические основы микроэлектроники.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13944
Автор(ы) : Смирнов С. В.
Заглавие : Методы и оборудование контроля параметров технологических процессов производства наногетероструктур и наногетероструктурных монолитных интегральных схем : Учебное пособие
Выходные данные : Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2010
Колич.характеристики :115 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интегральная схема--наногетероструктура--технологический процесс--учебное пособие
Аннотация: Изложены описания основных современных методов исследования и диагностического оборудования для контроля параметров технологических процессов производства наногетероструктур и наногетероструктурных монолитных интегральных схем. Раскрыты возможности этих методов. Показано, каким образом совместное использование нескольких методов позволяет получить достоверную информацию о физических свойствах исследуемых структур. Для слушателей программы переподготовки в области промышленного производства наногетероструктурных монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона и дискретных полупроводниковых приборов, а также для студентов специальностей 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и 210600 «Нанотехнология».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13949
Автор(ы) : Троян П. Е., Сахаров Ю. В.
Заглавие : Наноэлектроника : Учебное пособие
Выходные данные : Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2010
Колич.характеристики :88 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интегральная схема--квантовый эффект--наноэлектроника--наноэлектроника--полупроводниковый прибор--свч-диапазон
Аннотация: Для слушателей программы переподготовки в области промышленного производства наногетероструктурных монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона и дискретных полупроводниковых приборов.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98100
Автор(ы) : Таперо К. И.
Заглавие : Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: основы радиационной стойкости изделий электронной техники : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2011
Колич.характеристики :252 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-415-5: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный прибор--интегральная схема--ионизирующее излучение--космическое пространство--полупроводник--радиация--электронная техника
Аннотация: В курсе лекций по дисциплине «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения» рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства; численное моделирование радиационных эффектов в кремниевых приборах при воздействии ионизирующего излучения космического пространства. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» и по специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98093
Автор(ы) : Мурашев В. Н., Леготин С. А., Орлова М. Н., Мельников А. Л.
Заглавие : Микросхемотехника : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2011
Колич.характеристики :220 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-334-9: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): запоминающее устройство--интегральная схема--логическая схема--микроэлектроника--транзисторная структура--электронная схема
Аннотация: В курсе лекций приведен ретроспективный обзор основных электронных схем и устройств микроэлектроники. Представлено описание функционирования, методов анализа и синтеза наиболее важных устройств (логических и аналоговых интегральных схем, устройств памяти и т.д.). Значительное внимание уделено методам расчета и проектирования сверхбольших интегральных схем (СБИС), а также анализу их статических и динамических характеристик. Приведено большое количество примеров конструкций и топологии (К-МОП и БИ-КМОП) элементной базы современных СБИС. Курс лекций предназначен для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника» и специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 64584
Автор(ы) : Селиванова З. М.
Заглавие : Схемотехника электронных средств : Лабораторный практикум
Выходные данные : Тамбов: Тамбовский государственный технический университет, ЭБС АСВ, 2012
Колич.характеристики :80 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 621.396
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): electronics workbench--аналого-цифровой преобразователь--интегральная схема--логическое устройство--операционный усилитель--схемотехника--усилитель мощности--цифровой генератор--электронное средство--электронное устройство
Аннотация: Представлены теоретические и практические сведения по исследованию усилителей, фильтров на аналоговых микросхемах, цифровых генераторов, функциональных преобразователей, аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей. Практикум предназначен для студентов дневного и заочного отделений, экстерната и дистанционного образования специальности 210201.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-32 
 
Статистика
за 01.07.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)