Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ионная имплантация<.>)
Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 56052
Автор(ы) : Бублик В. Т., Бублик В. Т., Щербачев К. Д., Воронова М. И., Мильвидский А. М.
Заглавие : Дифракционные методы изучения материалов и приборных структур : Ионная имплантация. Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2013
Колич.характеристики :67 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-695-1: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 34.2
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дифракционный метод--ионная имплантация--материал
Аннотация: В пособии кратко изложены теоретические основы дифракционных методов изучения структуры поверхности и основы дифрактометрии высокого разрешения, рассмотренной в качестве основного инструментального метода. Содержание пособия соответствует лекционному курсу «Дифракционные методы изучения поверхности и приборных структур», предназначенному для подготовки магистров и бакалавров по направлению 150100 «Материаловедение и технологии материалов», а также по направлению подготовки аспирантов 01.04.10 «Физика полупроводников». Необходимость издания пособия определяется тем, что по указанной тематике учебная литература отсутствует. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 150100 «Материаловедение и технологии материалов», по специальности 150601 «Материаловедение и технология новых материалов».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 65369
Автор(ы) : Мешковский И. К., Новиков А. Ф., Токарев А. В.
Заглавие : Химия радиоматериалов. Часть 2. Поверхность и ее обработка: Учебное пособие. Химия радиоматериалов. Часть 2. Поверхность и ее обработка
Выходные данные : : Университет ИТМО Б.м., 2015
Колич.характеристики :124 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-600-00863-2: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 24.5
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): радиоматериал--твердое тело--поверхность--физическая адсорбция--металлизация--ионная имплантация--фотолитография
Аннотация: Учебное пособие соответствует государственному образовательному стандарту дисциплины «Химия радиоматериалов» для студентов ряда специальностей Университета ИТМО, пособие освещает достаточно трудные для усвоения, но важнейшие для дальнейшего обучения разделы. Основное внимание уделено современным физическим представлениям о структуре и свойствах поверхности твердого тела, а также о физико-химических и химических процессах на поверхности. Предназначено прежде всего для магистров по направлению подготовки: 21.07.00 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», профиль: 21.07.00.60 «Оптические системы и сети связи», учебная дисциплина – «Нанотехнологии в волоконной оптике». Отдельные разделы могут быть рекомендованы также магистрам направления 11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств» в рамках специализации «Проектирование безопасных компьютерных систем».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 97181
Автор(ы) : Перинский В. В., Перинская И. В.
Заглавие : Материаловедение ионно-имплантированных металлов интегральных схем. В 2 частях. Ч. 1: Учебное пособие. Материаловедение ионно-имплантированных металлов интегральных схем. В 2 частях. Ч. 1
Выходные данные : : Ай Пи Ар Медиа Б.м., 2020
Колич.характеристики :94 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-4497-0620-1 (ч. 1), 978-5-4497-0621-8: Б.ц.
УДК : 621.3
ББК : 34.6
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): материаловедение--имплантированный металл--интегральная схема--ионная имплантация--металлическая структура
Аннотация: Ионная имплантация приобрела в последние годы очень важное значение не только как способ создания микроэлектронных устройств и других приборов современной твердотельной электроники, но и как мощный универсальный метод экспериментальной физики, материаловедения металлов. Исследования эффектов ионной имплантации в металлы ведутся по многим направлениям: моделирование нейтронных дефектов в стенках тепловыделяющих элементов ядерных реакторов, увеличение срока службы шарикоподшипников, повышение твердости и износостойкости инструмента, создание медицинских имплантатов. Учебное пособие состоит из двух частей. Часть первая содержит информацию о достижениях ионной имплантации, закономерностях материаловедения, методологии электроники, технологий нанесения металлических структур интегральных схем. Подготовлено в соответствии с Федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования. Издание будет полезно при изучении дисциплин «Электротехническое и конструкционное материаловедение», «Создание современных материалов с использованием электротехнологий», «Методология научного исследования» по направлению «Электроэнергетика и электротехника», а также может представлять интерес для преподавателей, научных работников, инженеров и аспирантов.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 97182
Автор(ы) : Перинский В. В., Перинская И. В.
Заглавие : Материаловедение ионно-имплантированных металлов интегральных схем. В 2 частях. Ч. 2: Учебное пособие. Материаловедение ионно-имплантированных металлов интегральных схем. В 2 частях. Ч. 2
Выходные данные : : Ай Пи Ар Медиа Б.м., 2020
Колич.характеристики :134 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-4497-0631-7 (ч. 2), 978-5-4497-0621-8: Б.ц.
УДК : 621.3
ББК : 34.6
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): материаловедение--имплантированный металл--интегральная схема--ионно-лучевой метод--коррозионная стойкость--ионная имплантация--свч-устройство
Аннотация: Ионная имплантация приобрела за последние годы очень важное значение не только как способ создания микроэлектронных устройств и других приборов электронной техники, но и как универсальный метод экспериментального материаловедения металлов. Исследования эффектов ионной имплантации в металлы ведутся по многим направлениям: моделирование нейтронных дефектов в стенках твэлов ядерных реакторов; замена покрытий из драгоценных металлов ионно-модифицированными аналогами, повышение твердости, износостойкости тонких металлических слоев изделий электронной техники; увеличение срока службы шарикоподшипников; создание медицинских имплантатов. Учебное пособие состоит из двух частей. Часть вторая содержит информацию об ионно-лучевой технологии монолитных СВЧ-устройств, управлении структурно-химическими свойствами материалов ионно-лучевой обработкой, физике и технике ионной имплантации, ионно-легированных аналогах драгоценных металлов монолитных СВЧ-устройств. Подготовлено в соответствии с Федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования. Издание будет полезно при изучении дисциплин «Электротехническое и конструкционное материаловедение», «Создание современных материалов с использованием электротехнологий», «Методология научного исследования» по направлению «Электроэнергетика и электротехника», а также может представлять интерес для преподавателей, научных работников, инженеров и аспирантов.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 24140
Автор(ы) : Агравал Амит, Бетагери Гуру, Блэкборн Уильям, Бхаттачариа Субхабрата, Вазир Джасприт, Валмикинантан Чандра, Ван Дзюньпин, Ван И-Нин, Ван Май, Гасиоровски Джошуа, Гонсалвес Кеннет, Гуань Цзиньцзяо, Демирси Уткан, Добсон Джон, Докмеси Мехмет, Дубе Никхил, Дутта Джойдип, Ингбер Дональд, Катти Дхирендра, Коллингвуд Джоанна, Кофрон Мишель, Кумбар Сангамеш, Лабхасетвар Винод, Лайон Эндрю, Леле Танмей, Ли Л., Ли Цзяньвэй, Ли Юун-Сик, Лилиенсик Сара, Лоренсин Като, Лу Хелен, Мвенифумбо Стив, Мерфи Кристофер, Моррисон Дэвид, Наир С., Не Шумин, Нили Пол, Нукаварапу Сиам, Райт Ли, Рассел Пол, Роджерс Аманда, Сингх Ниту, Соппимат Кумераш, Стивенс Молли, Тань Вэйхун, Фоли Джон, Фриман Джозеф, Хадемхоссейни Али, Хальберштадт Крейг, Хе Хунъянь, Хэ Вэй, Цао Цзехуэй, Чэнь Янь, Чо Мьюнг-Хаинг, ЮйБо, Юй Сяогунь
Заглавие : Наноструктуры в биомедицине
Выходные данные : Москва: Лаборатория знаний, 2020
Колич.характеристики :536 с
Примечания : Книга не входит в Премиум-версию ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-00101-729-5: Б.ц.
УДК : 57
ББК : 58
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биоконъюгированные гидрогели--биомедицина--ионная имплантация--молекулярный наномотор--наноструктура--фотолитография
Аннотация: Книга представляет собой обзор исследований, посвященных вопросам применения наноструктурированных материалов в целях ранней диагностики опасных болезней, адресной доставки лекарств к пораженным тканям и органам, разработок принципиально новых методов терапии и хирургии, создания молекулярных инструментов и нанохирургии, протезирования, трансплантации и регенерации тканей и решения других биомедицинских задач. Авторский коллектив объединил ученых США, Великобритании, Индии и Кореи. Для исследователей и клиницистов, а также преподавателей и студентов, заинтересованных в получении знаний по нанобиотехнологиям.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98215
Автор(ы) : Астахов В. П., Леготин С. А., Кузьмина К. А.
Заглавие : Основы технологии электронной компонентной базы : Практикум
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2016
Колич.характеристики :53 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-964-8: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--ионная имплантация--компонентная база--микроэлектроника--наноэлектроника--технологический процесс
Аннотация: Содержит описание трех практических занятий, в которых изучаются такие процессы создания приборных структур наноэлектроники, как термическое окисление, диффузия и ионная имплантация. Ставит перед собой задачи объяснить физическую сущность используемых в микро- и наноэлектронике технологических процессов, научить комплексному научному подходу к выбору методов и процессов формирования электронной компонентной базы, а также освоить методики расчета параметров технологических процессов. Результатом обучения должно быть приобретение компетенций по основным базовым процессам технологии для применения их в научных исследованиях, разработке и производстве изделий микро- и наноэлектроники. Практикум является составной частью курса «Основы технологии электронной компонентной базы» для студентов, обучающихся по направлению 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98880
Автор(ы) : Юрчук С. Ю.
Заглавие : Основы математического моделирования : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2014
Колич.характеристики :108 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-811-5: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузный процесс--ионная имплантация--математическая модель--технологический процесс--электроника
Аннотация: В учебном пособии описаны основные математические модели современных технологических процессов полупроводниковой электроники: диффузии, ионной имплантации, термического окисления и импульсного отжига. Представлены методики решения основных уравнений и способы проведения процесса моделирования с целью разработки топологии современных структур микро- и наноэлектроники. Дана информация о широко используемых в настоящее время физических моделях технологических процессов электроники, их возможностях и ограничениях. Большое внимание уделено описанию параметров математических моделей, позволяющих получать реалистичные результаты моделирования, хорошо совпадающие с экспериментальными. Учебное пособие предназначено для освоения студентами методов математического моделирования основных технологических процессов изготовления микроэлектронных полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также изучения современных моделей процессов электроники. Пособие позволит студентам более глубоко усвоить лекционный материал при подготовке к практическим занятиям и окажет помощь при выполнении домашних заданий и курсовых работ. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98939
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Кушхов А. Р., Билалов Б. А.
Заглавие : Элионная технология в микро- и наноиндустрии : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2008
Колич.характеристики :156 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионная имплантация--литография--нанотехнология--электроника--элионная технология
Аннотация: В учебном пособии рассматриваются закономерности изменения параметров тонкопленочных гетерокомпозиций материалов электронной техники при воздействии электронных, ионных потоков и низкотемпературной плазмы для микро- и наноразмерных устройств с улучшенными характеристиками. Цель данного пособия – формирование современных представлений и достижений в области микро- и наноиндустрии. Учитывая, что в рассматриваемых процессах основную роль играют электроны и ионы, принято для краткости называть технологию элионной. Соответствует программе курса «Элионная технология в микро- и нано-индустрии». Предназначено для подготовки специалистов по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника» и может быть полезно для обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология», 210601 «Нанотехнология в электронике» и по специальности 210602 «Наноматериалы».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98113
Автор(ы) : Вяткин А. Ф.
Заглавие : Взаимодействие лазерных, электронных и ионных пучков с поверхностью твердых тел. Ч.3. Взаимодействие ионных пучков с поверхностью твердых тел : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2001
Колич.характеристики :138 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 539
ББК : 22.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионная имплантация--ионный пучок--монокристалл--радиационный дефект--твердое тело--физический процесс
Аннотация: В курсе лекций рассматриваются физические процессы, сопровождающие взаимодействие ионных пучков с твердыми телами. Решаются задачи определения пробега ионов в твердых телах и их распределение. Подробно рассматриваются процессы обратного рассеяния ионов, ионной имплантации, распыления твердых тел ионной бомбардировкой. Детально описываются процессы каналирования ионов в монокристаллических твердых телах и использование этого явления для анализа структуры поверхностных слоев монокристаллов. Предназначен для студентов, обучающихся по специальностям 5401, 0709, и 0710.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

 
Статистика
за 01.07.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)