Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Картотека журнальных статей
Систематический имидж-каталог
Авторефераты диссертаций
Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ
ЭБС IPRBooks
ЭБС Консультант студента
ЭБС Юрайт
Диссертации, защищенные в СПХФУ
Журнальный фонд СПХФУ
Библиотечный фонд техникума
ВКР
Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=микроэлектроника<.>)
Общее количество найденных документов : 49
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-49 
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98133
Автор(ы) : Кожитов Л. В., Крапухин В. В., Улыбин В. А.
Заглавие : Технология эпитаксиальных слоев и гетерокомпозиций : Учебно-методическое пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2001
Колич.характеристики :157 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетерокомпозиция--жидкофазная эпитаксия--микроэлектроника--парофазная эпитаксия--твердотельная электроника
Аннотация: Даны краткая история и пути и перспективы развития микроэлектроники, в частности, в области технологии эпитаксиальных гетерокомпозиций. Кратко описаны процессы парофазной эпитаксии химическим осаждением и жидкофазной эпитаксии кремния, соединений ΑIIIΒV и их твердых растворов, применяемого оборудования. Приведены математические модели этих процессов, включающие термодинамический и кинетический блоки. При получении гетерокомпозиций учитываются упругие напряжения и рассматриваются пути их устранения, в частности, создание изопериодных композиций и сверхрешеток. Кроме того, приведены восемь комплексных задач для самостоятельного вычислительного эксперимента при выборе параметров процесса, а также процедура решения задач с использованием разработанного пакета программ на ПЭВМ. Предназначено для студентов, обучающихся по специальности 200100 (направление 654100), а также для научных сотрудников и инженеров-технологов, занимающихся разработкой систем управления и оптимизации технологических процессов.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98072
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Образцов А. А., Сушков В. П., Фурманов Г. П.
Заглавие : Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники: оптоэлектронные преобразователи излучений : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2001
Колич.характеристики :62 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура--микроэлектроника--однокристальный преобразователь--оптоэлектроника--полупроводник
Аннотация: В курсе лекций рассматриваются результаты работ по созданию бистабильных электронных и оптических элементов для систем обработки и хранения информации на основе полупроводниковых гетерокомпозиций, а также анализируются этапы разработки конструкций для создания однокристального преобразователя. Рассматривается возможность создания новых типов приборов оптоэлектроники. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по специализации «Технология новых материалов», «Нетрадиционные экологически чистые источники и преобразователи энергии» и магистров, обучающихся по программе «Процессы микро- и нанотехнологии».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98204
Автор(ы) : Сушков В. П., Кузнецов Г. Д., Рабинович О. И.
Заглавие : Микроэлектроника. Компьютерное моделирование параметров полупроводниковых компонентов микроэлектроники : Учебно-методическое пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2005
Колич.характеристики :105 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интегральная схема--компьютерная модель--микроэлектроника--полупроводник--программа
Аннотация: В данном пособии излагаются теоретические основы работы программы SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Приводится информация о типах файлов программы, о формировании необходимых данных по параметрам, используемых при моделировании материалов, примеры записи файлов о материалах и приборах на основе Si, AlGaInP, AlGaAs, нитридов элементов 3-й группы и их твердых растворах. Рассматривается пример моделирования диода с p-n переходом на основе гетероструктур AlGaAs. В приложении приводятся основные физические сведения о программе SimWindows. Пособие соответствует программе курса «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники». Предназначено для студентов, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении домашних заданий, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13982
Автор(ы) : Троян П. Е.
Заглавие : Твердотельная электроника : Учебное пособие
Выходные данные : Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2006
Колич.характеристики :321 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микроэлектроника--полупроводниковый прибор--твердотельная электроника--эквивалентная схема
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены физические основы твердотельной электроники, устройство, принцип действия, характеристики и параметры основных классов полупроводниковых приборов различного назначения, их эквивалентные схемы и модели, а также вопросы изготовления и применения приборов. Учебное пособие предназначено для студентов специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника», обучающихся по направлению «электроника и микроэлектроника», и написано в соответствии с рабочей программой по дисциплине и требованиями ГОС ВПО по данному направлению.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13920
Автор(ы) : Битнер Л. Р.
Заглавие : Вакуумная и плазменная электроника : Учебное пособие
Выходные данные : Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2007
Колич.характеристики :148 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вакуумная электроника--микроэлектроника--плазменная электроника--твердотельная электроника
Аннотация: Учебно-методическое пособие предназначено для студентов специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и студентов направления 210100 «Электроника и микроэлектроника» (бакалавриат).
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13947
Автор(ы) : Троян П. Е.
Заглавие : Микроэлектроника : Учебное пособие
Выходные данные : Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2007
Колич.характеристики :346 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--интегральная схема--микроэлектроника--полевой транзистор--полярный транзистор
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены вопросы в соответствии ГОС ВПО и рабочей программой по дисциплине «Микроэлектроника» для студентов, обучающихся в ТУСУР по специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и бакалавров по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника». Дано описание физических процессов в основных элементах интегральных схем – биполярных и полевых транзисторах, их особенностей в интегральном исполнении. Рассмотрены интегральные схемы на биполярных и полевых транзисторах, и основные схемотехнические решения интегральных схем цифровой и аналоговой электроники. Рассмотрены перспективные элементы интегральных схем и их предельные возможности, а также вопросы, связанные с функциональной электроникой.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13948
Автор(ы) : Шарапов А. В.
Заглавие : Микроэлектроника : Учебное пособие
Выходные данные : Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2007
Колич.характеристики :138 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дешифратор--логический элемент--микроэлектроника--мультиплексор--регистр--сумматор--триггер--цифровой компаратор
Аннотация: Излагаются принципы построения и функционирования логических элементов, дешифраторов, мультиплексоров, сумматоров, цифровых компараторов, триггеров, счетчиков, регистров, микросхем памяти. Рассмотрены примеры синтеза цифровых устройств комбинационного типа и цифровых автоматов. Пособие предназначено для студентов вузов радиоэлектронного профиля дневной, вечерней и заочной форм обучения, и содержит краткий конспект лекций, примеры решения задач, варианты творческих заданий и компьютерный лабораторный практикум по цифровой схемотехнике.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 65347
Автор(ы) : Ткалич В. Л., Ткалич В. Л., Фролков В. Н., Ткачев К. О., Волченко А. Н., Киянов А. А.
Заглавие : Физические основы микроэлектроники : Методическое учебное пособие к лабораторному практикуму
Выходные данные : Санкт-Петербург: Университет ИТМО, 2009
Колич.характеристики :98 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--интегральная схема--микроэлектроника--температурная зависимость--физическая основа
Аннотация: Пособие соответствует утвержденной учебной программе по направлению 210202 - «Проектирование и технология электронно-вычислительных средств». Предназначено для студентов, выполняющие работы лабораторного практикума по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Пособие содержит описание лабораторных работ, методические указания по их выполнению, контрольные вопросы и краткий теоретический материал. Предназначено для студентов факультета Компьютерных Технологий и Управления, обучающихся по направлению: 210202 – «Проектирование и технология электронно-вычислительных средств».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 65811
Автор(ы) : Гатчин Ю. А., Гатчин Ю. А., Ткалич В. Л., Виволанцев А. С., Дудников Е. А.
Заглавие : Введение в микроэлектронику : Учебное пособие
Выходные данные : Санкт-Петербург: Университет ИТМО, 2010
Колич.характеристики :114 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.84
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диагностический контроль--интегральная схема--литография--микроэлектроника--тонкая пленка
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены физические основы микроэлектроники, интегральные схемы и их технологии производства. Учебное пособие соответствует утвержденным учебным программам по направлениям 210202 — «Проектирование и технология электронно-вычислительных средств» для специалистов и 210200.05 — «Информационные технологии проектирования электронных средств» для магистров техники и технологии, а также 200100 и 200101 — «Приборостроение» для бакалавров и дипломированных специалистов. Предназначено для студентов и магистров факультетов КТиУ и ТМиТ, изучающих дисциплины «Физические основы микроэлектроники.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 56595
Автор(ы) : Курашев С. М.
Заглавие : Физика. Часть 1. Волновые процессы: Курс лекций. Физика. Часть 1. Волновые процессы
Выходные данные : : Издательский Дом МИСиС Б.м., 2010
Колич.характеристики :224 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-345-5: Б.ц.
УДК : 534
ББК : 22.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): физика--волновой процесс--волновая оптика
Аннотация: Курс лекций «Физика волновых процессов» посвящен важнейшему разделу общей физики – физике волн. Состоит из двух частей. Первая часть представлена тремя главами, где рассмотрены общие свойства волновых процессов в упругих средах, электромагнитные волны в теории Максвелла, основополагающие факторы волновых процессов – интерференция и дифракция в области оптической части спектра электромагнитных волн. Вторая часть будет состоять состоит из двух глав, в которых рассматриваются как фундаментальные, так и прикладные эффекты и волновые явления, связанные с взаимодействием электромагнитного излучения с веществом на молекулярном уровне, а также квантовые свойства электромагнитного излучения. Курс лекций предназначен для студентов, обучающихся по следующим направлениям: физическое материаловедение; материаловедение и технология новых материалов; техническая физика; электроника и микроэлектроника; микроэлектроника и твердотельная электроника. Можно также рекомендовать для изучения избранных вопросов одноименного спецкурса «Физика волновых процессов» по профилю «Физика кристаллов оптики и акустоэлектроники».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-49 
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика обращений
Статистика
за 01.07.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)