Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=неупорядоченный полупроводник<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 79688
Автор(ы) : Вихров С. П., Вишняков Н. В., Мишустин В. Г.
Заглавие : Физические процессы в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников : Учебное пособие
Выходные данные : Саратов: Вузовское образование, 2019
Колич.характеристики :75 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-4487-0364-5: Б.ц.
УДК : 621.3
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): барьерный слой--локализованное состояние--неупорядоченный полупроводник--электроника
Аннотация: В учебном пособии изложены вопросы, связанные с особенностями энергетического спектра\nплотности состояний в неупорядоченных полупроводниках и их влиянием на физические процессы формирования потенциального рельефа в контактных слоях и образования потенциальных барьеров в активных элементах электроники. Предназначено для студентов и аспирантов инженерно-технических специальностей и направлений подготовки высшего образования.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 20682
Автор(ы) : Авачёва Т. Г., Авачёва Т. Г., Бодягин Н. В., Вихров С. П., Мурсалов С. М.
Заглавие : Процессы самоорганизации в неупорядоченных материалах : Учебное пособие
Выходные данные : Саратов: Вузовское образование, 2007
Колич.характеристики :54 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 621.373
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вложение такенса--неупорядоченный полупроводник--самоорганизация
Аннотация: Изложены теоретические аспекты процессов самоорганизации применительно к технологиям неупорядоченных материалов. Описана методика исследования порядка в структуре поверхности полупроводников, обусловленного особенностями структурообразования. Предназначено для студентов направления 210100 «Электроника и микроэлектроника» и для аспирантов специальности 01.04.10.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

 
Статистика
за 01.07.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)