Фундаментальная библиотека ФГБОУ ВО СПХФУ Минздрава России

Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Главная

ИРБИС64+

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Картотека журнальных статей

Систематический имидж-каталог

Авторефераты диссертаций

Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ

ЭБС IPRBooks

ЭБС Консультант студента

ЭБС Юрайт

Диссертации, защищенные в СПХФУ

Журнальный фонд СПХФУ

Библиотечный фонд техникума

ВКР

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полевой транзистор<.>)

Общее количество найденных документов : 24
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-24

IPRBooks-23864

23864

Гречишкин, В. С.
Основы теории цепей [Электронный ресурс] : учебное пособие / Гречишкин В. С. - Калининград : Калининградский государственный университет, 2005. - 162 с. - ISBN 5-88874-543-X : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

621.3

ББК 31.21

Кл.слова (ненормированные):
лампа -- линейная электрическая цепь -- полевой транзистор -- радиофизика -- радиоэлектроника -- теория цепей -- усилительное устройство
Аннотация: Рассмотрены методы расчета линейных электрических цепей, применяемые для анализа работы схем на лампах, биполярных и полевых транзисторах. Особое внимание уделено расчету режимов работы усилительных устройств. Приведены примеры расчетов различных схем. Учебное пособие предназначено в помощь студентам специальностей «Телекоммуникации» и «Радиофизика» при изучении дисциплин «Основы теории цепей», «Радиоэлектроника», «Линейные цепи».

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Гречишкина, Р. В.; Карпинская, Т. А.
Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-13947

13947

Троян, П. Е.
Микроэлектроника [Электронный ресурс] : учебное пособие / Троян П. Е. - Томск : Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2007. - 346 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- интегральная схема -- микроэлектроника -- полевой транзистор -- полярный транзистор
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены вопросы в соответствии ГОС ВПО и рабочей программой по дисциплине «Микроэлектроника» для студентов, обучающихся в ТУСУР по специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и бакалавров по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника». Дано описание физических процессов в основных элементах интегральных схем – биполярных и полевых транзисторах, их особенностей в интегральном исполнении. Рассмотрены интегральные схемы на биполярных и полевых транзисторах, и основные схемотехнические решения интегральных схем цифровой и аналоговой электроники. Рассмотрены перспективные элементы интегральных схем и их предельные возможности, а также вопросы, связанные с функциональной электроникой.

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-55455

55455

Игнатов, А. Н.
Полевые транзисторы и их применение в технике связи [Электронный ресурс] : монография / Игнатов А. Н. - Новосибирск : Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2008. - 317 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

621.382

ББК 32.84

Кл.слова (ненормированные):
затворный детектор -- наноэлектронный транзистор -- полевой транзистор -- техника связи
Аннотация: В монографии рассматриваются типы, характеристики и свойства полевых транзисторов (ПТ). Уточняется теория ПТ, работающих в режимах управляемого сопротивления, усиления, с прямыми токами затвора и подложки, а также, в предложенном автором, - комбинированном режиме. Рассматриваются технические решения электронных устройств для телекоммуникационных и информационных систем. Для инженерно-технических работников, студентов и аспирантов электронного и радиотехнического профилей.

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-65393

65393

Григорьев, Б. И.
Элементная база и устройства аналоговой электроники [Электронный ресурс] : учебное пособие / Григорьев Б. И. - Санкт-Петербург : Университет ИТМО, 2008. - 98 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
аналоговая электроника -- полевой транзистор -- полупроводниковый диод -- стабилитрон -- схемотехника -- элементная база
Аннотация: Учебное пособие содержит методические указания к шести виртуальным лабораторным работам по исследованию статических характеристик полупроводниковых приборов и переходных процессов в ряде устройств на их основе. В пособии отражены необходимые сведения о характеристиках и параметрах полупроводниковых диодов и стабилитронов, биполярных и полевых транзисторов, о работе выпрямителей и ограничителей напряжения, об особенностях работы транзисторных ключей и схемотехнического моделирования процессов в электронных устройствах. Пособие ориентировано на элементную базу, приборы и устройства программы Electronics Workbench 4.0 и составлено с учётом проведения лабораторных работ фронтальным методом в учебных лабораториях кафедры Электроники. Методические указания пособия рекомендованы студентам всех специальностей, изучающих дисциплины Электроника, Физические основы электроники, Электроника и микропроцессорная техника, Электротехника и электроника.

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-98163

98163

Ковалев, А. Н.
Гетероструктурная наноэлектроника [Электронный ресурс] : учебное пособие / Ковалев А. Н. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2009. - 155 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- гетероструктура -- наноэлектроника -- полевой транзистор -- полупроводник
Аннотация: Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и направлению «Электроника и микроэлектроника».

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-55463

55463

Левин, Б. Х.
Упражнения по основам электроники [Электронный ресурс] / Левин Б. Х. - Новосибирск : Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2010. - 46 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

621.38

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- диодный ключ -- интегральный триггер -- основы электроники -- полевой транзистор -- электронный генератор
Аннотация: Методическое руководство содержит материалы к семи упражнениям по электронике, охватывающим основные темы раздела «Электроника» курса «Электротехника и электроника». Каждое упражнение состоит из трех частей: вопросы для контроля степени подготовки к упражнению; описание работы типового устройства и вопросы для анализа влияния различных неисправностей на его работу; синтез устройств определенного класса на основе заданной элементной базы и временных диаграмм его входных и выходных сигналов. Для студентов дневной формы обучения для направлений: 230 101.65 «Программное обеспечение вычислительной техники и автоматизированных систем»; 230 105.65 «Вычислительные машины, комплексы, системы и сети».

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-98107

98107

Ковалев, А. Н.
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур [Электронный ресурс] : монография / Ковалев А. Н. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2011. - 364 с. - ISBN 978-5-87623-489-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- гетероструктура -- нанотехнология -- полевой транзистор -- электроника
Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки новых полупроводниковых микро- и наногетероструктур и приборов на их основе, а также для студентов и аспирантов.

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-61881

61881

Физические основы электроники [Электронный ресурс] : методическое пособие для проведения лабораторных работ / сост.: О. Г. Щербань, В. Л. Львов. - Ростов-на-Дону : Северо-Кавказский филиал Московского технического университета связи и информатики, 2012. - 46 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

621.351

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- индуцированный канал -- мдп-транзистор -- общий эмиттер -- полевой транзистор -- физическая основа -- электроника -- электронно-дырочный переход
Аннотация: Курс «Физические основы электроники» изучается студентами специальности 210700. Учебный план предусматривает выполнение лабораторного практикума в количестве 18 часов для студентов очного обучения и 8 часов для студентов заочного обучения. Прохождение лабораторного практикума ставит своей задачей проверку на практике полученных теоретических знаний. Предлагаемое пособие содержит краткое изложение основных сведений из теории физических основ полупроводниковой электроники и порядок выполнения лабораторных работ на лабораторном стенде «Электронные приборы», а также порядок моделирования процесса исследования по каждой лабораторной работе на компьютере с использованием программы Electronics Workbench. Сборник предназначен для подготовки студентов к лабораторным занятиям и является руководством при выполнении лабораторных работ.

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Щербань, О. Г. \сост.\; Львов, В. Л. \сост.\
Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-64138

64138

Селиванова, З. М.
Общая электротехника и электроника [Электронный ресурс] : лабораторный практикум / Селиванова З. М. - Тамбов : Тамбовский государственный технический университет, ЭБС АСВ, 2012. - 70 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

621.3

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
electronics workbench -- биполярный транзистор -- двухкаскадный усилитель -- измерительная аппаратура -- полевой транзистор -- полупроводниковый транзистор -- радиоэлектронная схема -- согласующий каскад -- электроника -- электротехника
Аннотация: Представленный лабораторный практикум соответствует рабочей учебной программе, разработанной в соответствии с Государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования. Исследуются основные параметры и характеристики электрических цепей и электронных устройств, использующихся при проектировании радиоэлектронных средств. Предназначен для студентов дневного и заочного отделений, экстерната и дистанционного обучения специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств».

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

10.

IPRBooks-13980

13980

Легостаев, Н. С.
Твердотельная электроника [Электронный ресурс] : методические указания по изучению дисциплины / Легостаев Н. С. - Томск : Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Эль Контент, 2012. - 52 с. - ISBN 978-5-4332-0030-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

621.382

ББК 32.852

Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- полевой транзистор -- полупроводниковый диод -- твердотельная электроника -- тиристор
Аннотация: Представлены рекомендации по самостоятельному изучению теоретического материала, выполнению контрольных и лабораторных работ. Для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» с профилем «Промышленная электроника» с использованием дистанционных образовательных технологий.

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Четвергов, К. В.
Свободных экз. нет
Найти похожие

1-10 11-20 21-24

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	0
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)