Фундаментальная библиотека ФГБОУ ВО СПХФУ Минздрава России

Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Главная

ИРБИС64+

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Картотека журнальных статей

Систематический имидж-каталог

Авторефераты диссертаций

Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ

ЭБС IPRBooks

ЭБС Консультант студента

ЭБС Юрайт

Диссертации, защищенные в СПХФУ

Журнальный фонд СПХФУ

Библиотечный фонд техникума

ВКР

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полевой транзистор<.>)

Общее количество найденных документов : 24
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-24

IPRBooks-91440

91440

Дуркин, В. В.
Схемотехника аналоговых электронных устройств. Основные понятия, обратные связи, работа усилительного элемента в схеме [Электронный ресурс] : учебное пособие / Дуркин В. В. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. - 100 с. - ISBN 978-5-7782-3206-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

621.38

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
аналоговое устройство -- биполярный транзистор -- коллекторная стабилизация -- полевой транзистор -- схемотехника устройства -- усилительный элемент -- цепь питания -- электрическая цепь -- электронное устройство -- эмиттерная стабилизация
Аннотация: Рассмотрены основные параметры и характеристики усилительных устройств, работа усилительного элемента в схеме, обратные связи, режимы работы и цепи питания усилительных элементов.

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Тырыкин, С. В.
Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-91477

91477

Бялик, А. Д.
Физические основы электроники. Транзисторы. Гальваномагнитные и термоэлектрические приборы. Оптоэлектронные приборы [Электронный ресурс] : учебное пособие / Бялик А. Д. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. - 92 с. - ISBN 978-5-7782-3223-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

621.382

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- гальваномагнитный прибор -- оптоэлектронный прибор -- полевой транзистор -- полупроводниковый прибор -- термоэлектрический прибор -- транзистор -- физическая основа -- электроника -- эффект холла
Аннотация: Материал настоящего учебного пособия составлен таким образом, чтобы способствовать закреплению у студентов теоретических знаний, а также выработке навыков в решении инженерных задач.

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Каменская, А. В.
Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-90379

90379

Фриск, В. В.
Основы теории цепей. Использование пакета Microwave Office для моделирования электрических цепей на персональном компьютере [Электронный ресурс] : учебное пособие / Фриск В. В. - Москва : СОЛОН-Пресс, 2016. - 159 с. - ISBN 5-98003-163-4 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

ББК 32.88

Кл.слова (ненормированные):
компьютер -- полевой транзистор -- программа -- схемотехническая модель -- усилитель -- частотная характеристика -- электрическая цепь
Аннотация: Книга «Использование пакета Microwave Office для моделирования электрических цепей на персональном компьютере» является продолжением комплекса по курсу «Основы теории цепей» и предназначена для использования с учебными пособиями Фриск В. В. «Основы теории цепей», «Лабораторный практикум на персональном компьютере» и «Сборник задач с примерами применения персонального компьютера». В ней собраны примеры для их самостоятельного повторения на персональном компьютере, способствующие как более глубокому освоению курса ОТЦ, так и совершенствованию навыков применения инженерных пакетов схемотехнического моделирования. Для студентов, бакалавров и аспирантов высших учебных заведений (университетов связи), инженерно-технических работников, также будет полезна учащимся техникумов и колледжей связи всех специальностей.

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-94003

94003

Шошин, Е. Л.
Электроника. Полупроводниковые приборы [Электронный ресурс] : учебное пособие / Шошин Е. Л. - Москва : Ай Пи Ар Медиа, 2020. - 282 с. - ISBN 978-5-4497-0508-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

621.382

ББК 32.853

Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- операционный усилитель -- оптоэлектронный прибор -- полевой транзистор -- полупроводниковый диод -- полупроводниковый прибор -- электроника
Аннотация: Учебное пособие содержит изложение теоретических основ работы полупроводниковых приборов. Рассмотрены физические явления, протекающие в диодах, транзисторах, силовых и оптоэлектронных приборах, операционных усилителях. Приведены эквивалентные схемы и описание P-Spice моделей полупроводниковых приборов. Издание включает также описание цикла лабораторных работ по исследованию параметров и характеристик полупроводниковых приборов в системе схемотехнического моделирования Micro-Cap. Подготовлено с учетом требований Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Предназначено для студентов технических направлений подготовки всех форм обучения, изучающих дисциплины «Электроника», «Электротехника и электроника», «Электротехника, электроника и схемотехника».

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-98759

98759

Дыбко, М. А.
Цифровая микроэлектроника [Электронный ресурс] : учебное пособие / Дыбко М. А. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2019. - 200 с. - ISBN 978-5-7782-3834-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- логический элемент -- полевой транзистор -- цифровая микроэлектроника -- цифровое устройство -- электронный ключ
Аннотация: Рассмотрены основы работы транзисторных ключей на биполярных и полевых транзисторах. Изложены принципы построения логических элементов семейств транзисторно-транзисторной логики, эмиттерно-связанной логики, комплементарных логических элементов и логики на базе биполярных транзисторов с комплементарными ключами. При рассмотрении транзисторных ключей и логических элементов приведены основные характеристики и свойства, а также способы улучшения статических характеристик и быстродействия. По каждому разделу помимо теоретического материала предложен ряд контрольных вопросов, а также практические задания для закрепления полученных знаний. В конце пособия рассмотрен пример разработки схемы цифровой электроники на базе логического элемента семейства ТТЛ, который служит примером выполнения расчетов по курсовому проекту в рамках курса «Микроэлектроника». Пособие предназначено для студентов третьего курса факультета РЭФ дневного отделения направления «Электроника и наноэлектроника».

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Удовиченко, А. В.; Волков, А. Г.
Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-91004

91004

Ковалев, А. А.
Исследования характеристик базовых электрорадиоэлементов. Ч.2. Транзисторы и тиристоры [Электронный ресурс] : учебное пособие / Ковалев А. А. - Москва : Российский университет дружбы народов, 2018. - 108 с. - ISBN 978-5-209-08467-9 (ч.2), 978-5-209-08466-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

621.37

ББК 32.84

Кл.слова (ненормированные):
базовый электрорадиоэлемент -- биполярный транзистор -- индуцированный канал -- мдп-транзистор -- мультиметр -- полевой транзистор -- полупроводниковый прибор -- тиристор
Аннотация: В учебном пособии представлены лабораторные работы, посвященные исследованию характеристик таких электрорадиоэлементов, как тиристор, биполярный и полевые транзисторы, необходимых студентам для проектирования радиоэлектронных устройств. Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки «Наноинженерия», «Конструирование и технология электронных средств», «Электроника и наноэлектроника», специальности «Радиоэлектронные системы и комплексы» и другим направлениям подготовки и специальностям по радиоэлектронике, а также специализации «Проектирование и технология радиоэлектронных систем и комплексов» и профилю подготовки «Проектирование электронных приборов и робототехнических комплексов».

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Тищенко, Л. А.
Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-98084

98084

Курочка, С. П.
Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций [Электронный ресурс] : учебное пособие / Курочка С. П. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2015. - 82 с. - ISBN 978-5-87623-940-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
нанолитография -- наноразмерная гетероструктура -- нанотехнология -- одноэлектронный транзистор -- полевой транзистор -- электроника
Аннотация: В результате анализа условий проявления квантово-размерных эффектов, возникающих в многослойных тонкопленочных структурах, уточнены требования к технологическим процессам формирования наноструктурированных гетерокомпозиций. Анализируются как базовые традиционные методы формирования с применением нанолитографии – молекулярно-лучевая эпитаксия и газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, так и специфические – зондовая нанотехнология и самоорганизация упорядоченных наноструктур на полупроводниковых подложках. В качестве практического применения наноструктурированных гетерокомпозиций рассмотрены конструкция и принцип работы полевого транзистора с высокой подвижностью носителей и одноэлектронный транзистор. Предназначено для магистрантов, обучающихся по направлениям 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника», 28.04.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника».

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Сергиенко, А. А.
Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-98107

98107

Ковалев, А. Н.
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур [Электронный ресурс] : монография / Ковалев А. Н. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2011. - 364 с. - ISBN 978-5-87623-489-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- гетероструктура -- нанотехнология -- полевой транзистор -- электроника
Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки новых полупроводниковых микро- и наногетероструктур и приборов на их основе, а также для студентов и аспирантов.

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-98163

98163

Ковалев, А. Н.
Гетероструктурная наноэлектроника [Электронный ресурс] : учебное пособие / Ковалев А. Н. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2009. - 155 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- гетероструктура -- наноэлектроника -- полевой транзистор -- полупроводник
Аннотация: Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и направлению «Электроника и микроэлектроника».

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

10.

IPRBooks-99039

99039

Тяжлов, В. С.
Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах [Электронный ресурс] : учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий / Тяжлов В. С. - Саратов : Издательство Саратовского университета, 2019. - 36 с. - ISBN 978-5-292-04601-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

621.372.2

ББК 32.850.4

Кл.слова (ненормированные):
полевой транзистор -- проектирование -- свч-усилитель
Аннотация: На основе опыта проектирования широкополосных и сверхширокополосных СВЧ-усилителей излагаются основные этапы проектирования усилителей с полевым транзистором с барьером Шоттки в качестве активного элемента, рассматриваются некоторые расчетные и измерительные работы, выполняемые на каждом этапе. Обсуждаются практические вопросы, связанные с выбором транзистора, схемы его включения и рабочей точки, схемы построения усилителя. Приводятся инженерные формулы, связывающие характеристики проектируемых изделий с параметрами используемых приборов и материалов. Для студентов, магистрантов и аспирантов, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Физика».

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Посадский, В. Н.
Свободных экз. нет
Найти похожие

1-10 11-20 21-24

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	0
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)