Фундаментальная библиотека ФГБОУ ВО СПХФУ Минздрава России

Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Главная

ИРБИС64+

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Картотека журнальных статей

Систематический имидж-каталог

Авторефераты диссертаций

Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ

ЭБС IPRBooks

ЭБС Консультант студента

ЭБС Юрайт

Диссертации, защищенные в СПХФУ

Журнальный фонд СПХФУ

Библиотечный фонд техникума

ВКР

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полевой транзистор<.>)

Общее количество найденных документов : 24
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-24

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 23864
Автор(ы) : Гречишкин В. С., Гречишкина Р. В., Карпинская Т. А.
Заглавие : Основы теории цепей : Учебное пособие
Выходные данные : Калининград: Калининградский государственный университет, 2005
Колич.характеристики :162 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 5-88874-543-X: Б.ц.
УДК : 621.3
ББК : 31.21
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): лампа--линейная электрическая цепь--полевой транзистор--радиофизика--радиоэлектроника--теория цепей--усилительное устройство
Аннотация: Рассмотрены методы расчета линейных электрических цепей, применяемые для анализа работы схем на лампах, биполярных и полевых транзисторах. Особое внимание уделено расчету режимов работы усилительных устройств. Приведены примеры расчетов различных схем. Учебное пособие предназначено в помощь студентам специальностей «Телекоммуникации» и «Радиофизика» при изучении дисциплин «Основы теории цепей», «Радиоэлектроника», «Линейные цепи».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13947
Автор(ы) : Троян П. Е.
Заглавие : Микроэлектроника : Учебное пособие
Выходные данные : Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2007
Колич.характеристики :346 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--интегральная схема--микроэлектроника--полевой транзистор--полярный транзистор
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены вопросы в соответствии ГОС ВПО и рабочей программой по дисциплине «Микроэлектроника» для студентов, обучающихся в ТУСУР по специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и бакалавров по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника». Дано описание физических процессов в основных элементах интегральных схем – биполярных и полевых транзисторах, их особенностей в интегральном исполнении. Рассмотрены интегральные схемы на биполярных и полевых транзисторах, и основные схемотехнические решения интегральных схем цифровой и аналоговой электроники. Рассмотрены перспективные элементы интегральных схем и их предельные возможности, а также вопросы, связанные с функциональной электроникой.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 55455
Автор(ы) : Игнатов А. Н.
Заглавие : Полевые транзисторы и их применение в технике связи : Монография
Выходные данные : Новосибирск: Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2008
Колич.характеристики :317 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.84
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): затворный детектор--наноэлектронный транзистор--полевой транзистор--техника связи
Аннотация: В монографии рассматриваются типы, характеристики и свойства полевых транзисторов (ПТ). Уточняется теория ПТ, работающих в режимах управляемого сопротивления, усиления, с прямыми токами затвора и подложки, а также, в предложенном автором, - комбинированном режиме. Рассматриваются технические решения электронных устройств для телекоммуникационных и информационных систем. Для инженерно-технических работников, студентов и аспирантов электронного и радиотехнического профилей.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 65393
Автор(ы) : Григорьев Б. И.
Заглавие : Элементная база и устройства аналоговой электроники : Учебное пособие
Выходные данные : Санкт-Петербург: Университет ИТМО, 2008
Колич.характеристики :98 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): аналоговая электроника--полевой транзистор--полупроводниковый диод--стабилитрон--схемотехника--элементная база
Аннотация: Учебное пособие содержит методические указания к шести виртуальным лабораторным работам по исследованию статических характеристик полупроводниковых приборов и переходных процессов в ряде устройств на их основе. В пособии отражены необходимые сведения о характеристиках и параметрах полупроводниковых диодов и стабилитронов, биполярных и полевых транзисторов, о работе выпрямителей и ограничителей напряжения, об особенностях работы транзисторных ключей и схемотехнического моделирования процессов в электронных устройствах. Пособие ориентировано на элементную базу, приборы и устройства программы Electronics Workbench 4.0 и составлено с учётом проведения лабораторных работ фронтальным методом в учебных лабораториях кафедры Электроники. Методические указания пособия рекомендованы студентам всех специальностей, изучающих дисциплины Электроника, Физические основы электроники, Электроника и микропроцессорная техника, Электротехника и электроника.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98163
Автор(ы) : Ковалев А. Н.
Заглавие : Гетероструктурная наноэлектроника : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2009
Колич.характеристики :155 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--гетероструктура--наноэлектроника--полевой транзистор--полупроводник
Аннотация: Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и направлению «Электроника и микроэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 55463
Автор(ы) : Левин Б. Х.
Заглавие : Упражнения по основам электроники
Выходные данные : Новосибирск: Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2010
Колич.характеристики :46 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--диодный ключ--интегральный триггер--основы электроники--полевой транзистор--электронный генератор
Аннотация: Методическое руководство содержит материалы к семи упражнениям по электронике, охватывающим основные темы раздела «Электроника» курса «Электротехника и электроника». Каждое упражнение состоит из трех частей: вопросы для контроля степени подготовки к упражнению; описание работы типового устройства и вопросы для анализа влияния различных неисправностей на его работу; синтез устройств определенного класса на основе заданной элементной базы и временных диаграмм его входных и выходных сигналов. Для студентов дневной формы обучения для направлений: 230 101.65 «Программное обеспечение вычислительной техники и автоматизированных систем»; 230 105.65 «Вычислительные машины, комплексы, системы и сети».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98107
Автор(ы) : Ковалев А. Н.
Заглавие : Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : Монография
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2011
Колич.характеристики :364 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-489-6: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--гетероструктура--нанотехнология--полевой транзистор--электроника
Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки новых полупроводниковых микро- и наногетероструктур и приборов на их основе, а также для студентов и аспирантов.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 61881
Заглавие : Физические основы электроники : Методическое пособие для проведения лабораторных работ
Выходные данные : Ростов-на-Дону: Северо-Кавказский филиал Московского технического университета связи и информатики, 2012
Колич.характеристики :46 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 621.351
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--индуцированный канал--мдп-транзистор--общий эмиттер--полевой транзистор--физическая основа--электроника--электронно-дырочный переход
Аннотация: Курс «Физические основы электроники» изучается студентами специальности 210700. Учебный план предусматривает выполнение лабораторного практикума в количестве 18 часов для студентов очного обучения и 8 часов для студентов заочного обучения. Прохождение лабораторного практикума ставит своей задачей проверку на практике полученных теоретических знаний. Предлагаемое пособие содержит краткое изложение основных сведений из теории физических основ полупроводниковой электроники и порядок выполнения лабораторных работ на лабораторном стенде «Электронные приборы», а также порядок моделирования процесса исследования по каждой лабораторной работе на компьютере с использованием программы Electronics Workbench. Сборник предназначен для подготовки студентов к лабораторным занятиям и является руководством при выполнении лабораторных работ.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 64138
Автор(ы) : Селиванова З. М.
Заглавие : Общая электротехника и электроника : Лабораторный практикум
Выходные данные : Тамбов: Тамбовский государственный технический университет, ЭБС АСВ, 2012
Колич.характеристики :70 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 621.3
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): electronics workbench--биполярный транзистор--двухкаскадный усилитель--измерительная аппаратура--полевой транзистор--полупроводниковый транзистор--радиоэлектронная схема--согласующий каскад--электроника--электротехника
Аннотация: Представленный лабораторный практикум соответствует рабочей учебной программе, разработанной в соответствии с Государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования. Исследуются основные параметры и характеристики электрических цепей и электронных устройств, использующихся при проектировании радиоэлектронных средств. Предназначен для студентов дневного и заочного отделений, экстерната и дистанционного обучения специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13980
Автор(ы) : Легостаев Н. С., Четвергов К. В.
Заглавие : Твердотельная электроника : Методические указания по изучению дисциплины
Выходные данные : Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Эль Контент, 2012
Колич.характеристики :52 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-4332-0030-2: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--полевой транзистор--полупроводниковый диод--твердотельная электроника--тиристор
Аннотация: Представлены рекомендации по самостоятельному изучению теоретического материала, выполнению контрольных и лабораторных работ. Для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» с профилем «Промышленная электроника» с использованием дистанционных образовательных технологий.
(для доступа требуется авторизация)

1-10 11-20 21-24

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 01.07.2024
Число запросов	0
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)