Фундаментальная библиотека ФГБОУ ВО СПХФУ Минздрава России

Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Главная

ИРБИС64+

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Картотека журнальных статей

Систематический имидж-каталог

Авторефераты диссертаций

Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ

ЭБС IPRBooks

ЭБС Консультант студента

ЭБС Юрайт

Диссертации, защищенные в СПХФУ

Журнальный фонд СПХФУ

Библиотечный фонд техникума

ВКР

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полевой транзистор<.>)

Общее количество найденных документов : 24
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-24

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 91440
Автор(ы) : Дуркин В. В., Тырыкин С. В.
Заглавие : Схемотехника аналоговых электронных устройств. Основные понятия, обратные связи, работа усилительного элемента в схеме : Учебное пособие
Выходные данные : Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет, 2017
Колич.характеристики :100 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-7782-3206-8: Б.ц.
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): аналоговое устройство--биполярный транзистор--коллекторная стабилизация--полевой транзистор--схемотехника устройства--усилительный элемент--цепь питания--электрическая цепь--электронное устройство--эмиттерная стабилизация
Аннотация: Рассмотрены основные параметры и характеристики усилительных устройств, работа усилительного элемента в схеме, обратные связи, режимы работы и цепи питания усилительных элементов.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 91477
Автор(ы) : Бялик А. Д., Каменская А. В.
Заглавие : Физические основы электроники. Транзисторы. Гальваномагнитные и термоэлектрические приборы. Оптоэлектронные приборы : Учебное пособие
Выходные данные : Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет, 2017
Колич.характеристики :92 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-7782-3223-5: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--гальваномагнитный прибор--оптоэлектронный прибор--полевой транзистор--полупроводниковый прибор--термоэлектрический прибор--транзистор--физическая основа--электроника--эффект холла
Аннотация: Материал настоящего учебного пособия составлен таким образом, чтобы способствовать закреплению у студентов теоретических знаний, а также выработке навыков в решении инженерных задач.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 90379
Автор(ы) : Фриск В. В.
Заглавие : Основы теории цепей. Использование пакета Microwave Office для моделирования электрических цепей на персональном компьютере
Выходные данные : Москва: СОЛОН-Пресс, 2016
Колич.характеристики :159 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 5-98003-163-4: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.88
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): компьютер--полевой транзистор--программа--схемотехническая модель--усилитель--частотная характеристика--электрическая цепь
Аннотация: Книга «Использование пакета Microwave Office для моделирования электрических цепей на персональном компьютере» является продолжением комплекса по курсу «Основы теории цепей» и предназначена для использования с учебными пособиями Фриск В. В. «Основы теории цепей», «Лабораторный практикум на персональном компьютере» и «Сборник задач с примерами применения персонального компьютера». В ней собраны примеры для их самостоятельного повторения на персональном компьютере, способствующие как более глубокому освоению курса ОТЦ, так и совершенствованию навыков применения инженерных пакетов схемотехнического моделирования. Для студентов, бакалавров и аспирантов высших учебных заведений (университетов связи), инженерно-технических работников, также будет полезна учащимся техникумов и колледжей связи всех специальностей.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 94003
Автор(ы) : Шошин Е. Л.
Заглавие : Электроника. Полупроводниковые приборы : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Ай Пи Ар Медиа, 2020
Колич.характеристики :282 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-4497-0508-2: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.853
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--операционный усилитель--оптоэлектронный прибор--полевой транзистор--полупроводниковый диод--полупроводниковый прибор--электроника
Аннотация: Учебное пособие содержит изложение теоретических основ работы полупроводниковых приборов. Рассмотрены физические явления, протекающие в диодах, транзисторах, силовых и оптоэлектронных приборах, операционных усилителях. Приведены эквивалентные схемы и описание P-Spice моделей полупроводниковых приборов. Издание включает также описание цикла лабораторных работ по исследованию параметров и характеристик полупроводниковых приборов в системе схемотехнического моделирования Micro-Cap. Подготовлено с учетом требований Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Предназначено для студентов технических направлений подготовки всех форм обучения, изучающих дисциплины «Электроника», «Электротехника и электроника», «Электротехника, электроника и схемотехника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98759
Автор(ы) : Дыбко М. А., Удовиченко А. В., Волков А. Г.
Заглавие : Цифровая микроэлектроника : Учебное пособие
Выходные данные : Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет, 2019
Колич.характеристики :200 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-7782-3834-3: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--логический элемент--полевой транзистор--цифровая микроэлектроника--цифровое устройство--электронный ключ
Аннотация: Рассмотрены основы работы транзисторных ключей на биполярных и полевых транзисторах. Изложены принципы построения логических элементов семейств транзисторно-транзисторной логики, эмиттерно-связанной логики, комплементарных логических элементов и логики на базе биполярных транзисторов с комплементарными ключами. При рассмотрении транзисторных ключей и логических элементов приведены основные характеристики и свойства, а также способы улучшения статических характеристик и быстродействия. По каждому разделу помимо теоретического материала предложен ряд контрольных вопросов, а также практические задания для закрепления полученных знаний. В конце пособия рассмотрен пример разработки схемы цифровой электроники на базе логического элемента семейства ТТЛ, который служит примером выполнения расчетов по курсовому проекту в рамках курса «Микроэлектроника». Пособие предназначено для студентов третьего курса факультета РЭФ дневного отделения направления «Электроника и наноэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 91004
Автор(ы) : Ковалев А. А., Тищенко Л. А.
Заглавие : Исследования характеристик базовых электрорадиоэлементов. Ч.2. Транзисторы и тиристоры : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Российский университет дружбы народов, 2018
Колич.характеристики :108 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-209-08467-9 (ч.2), 978-5-209-08466-2: Б.ц.
УДК : 621.37
ББК : 32.84
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): базовый электрорадиоэлемент--биполярный транзистор--индуцированный канал--мдп-транзистор--мультиметр--полевой транзистор--полупроводниковый прибор--тиристор
Аннотация: В учебном пособии представлены лабораторные работы, посвященные исследованию характеристик таких электрорадиоэлементов, как тиристор, биполярный и полевые транзисторы, необходимых студентам для проектирования радиоэлектронных устройств. Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки «Наноинженерия», «Конструирование и технология электронных средств», «Электроника и наноэлектроника», специальности «Радиоэлектронные системы и комплексы» и другим направлениям подготовки и специальностям по радиоэлектронике, а также специализации «Проектирование и технология радиоэлектронных систем и комплексов» и профилю подготовки «Проектирование электронных приборов и робототехнических комплексов».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98084
Автор(ы) : Курочка С. П., Сергиенко А. А.
Заглавие : Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2015
Колич.характеристики :82 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-940-2: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанолитография--наноразмерная гетероструктура--нанотехнология--одноэлектронный транзистор--полевой транзистор--электроника
Аннотация: В результате анализа условий проявления квантово-размерных эффектов, возникающих в многослойных тонкопленочных структурах, уточнены требования к технологическим процессам формирования наноструктурированных гетерокомпозиций. Анализируются как базовые традиционные методы формирования с применением нанолитографии – молекулярно-лучевая эпитаксия и газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, так и специфические – зондовая нанотехнология и самоорганизация упорядоченных наноструктур на полупроводниковых подложках. В качестве практического применения наноструктурированных гетерокомпозиций рассмотрены конструкция и принцип работы полевого транзистора с высокой подвижностью носителей и одноэлектронный транзистор. Предназначено для магистрантов, обучающихся по направлениям 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника», 28.04.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98107
Автор(ы) : Ковалев А. Н.
Заглавие : Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : Монография
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2011
Колич.характеристики :364 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-489-6: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--гетероструктура--нанотехнология--полевой транзистор--электроника
Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки новых полупроводниковых микро- и наногетероструктур и приборов на их основе, а также для студентов и аспирантов.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98163
Автор(ы) : Ковалев А. Н.
Заглавие : Гетероструктурная наноэлектроника : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2009
Колич.характеристики :155 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--гетероструктура--наноэлектроника--полевой транзистор--полупроводник
Аннотация: Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и направлению «Электроника и микроэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 99039
Автор(ы) : Тяжлов В. С., Посадский В. Н.
Заглавие : Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах : Учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
Выходные данные : Саратов: Издательство Саратовского университета, 2019
Колич.характеристики :36 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-292-04601-1: Б.ц.
УДК : 621.372.2
ББК : 32.850.4
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полевой транзистор--проектирование--свч-усилитель
Аннотация: На основе опыта проектирования широкополосных и сверхширокополосных СВЧ-усилителей излагаются основные этапы проектирования усилителей с полевым транзистором с барьером Шоттки в качестве активного элемента, рассматриваются некоторые расчетные и измерительные работы, выполняемые на каждом этапе. Обсуждаются практические вопросы, связанные с выбором транзистора, схемы его включения и рабочей точки, схемы построения усилителя. Приводятся инженерные формулы, связывающие характеристики проектируемых изделий с параметрами используемых приборов и материалов. Для студентов, магистрантов и аспирантов, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Физика».
(для доступа требуется авторизация)

1-10 11-20 21-24

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 01.07.2024
Число запросов	0
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)