Фундаментальная библиотека ФГБОУ ВО СПХФУ Минздрава России

Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Главная

ИРБИС64+

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Картотека журнальных статей

Систематический имидж-каталог

Авторефераты диссертаций

Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ

ЭБС IPRBooks

ЭБС Консультант студента

ЭБС Юрайт

Диссертации, защищенные в СПХФУ

Журнальный фонд СПХФУ

Библиотечный фонд техникума

ВКР

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полевой транзистор<.>)

Общее количество найденных документов : 24
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-24

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 91477
Автор(ы) : Бялик А. Д., Каменская А. В.
Заглавие : Физические основы электроники. Транзисторы. Гальваномагнитные и термоэлектрические приборы. Оптоэлектронные приборы : Учебное пособие
Выходные данные : Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет, 2017
Колич.характеристики :92 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-7782-3223-5: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--гальваномагнитный прибор--оптоэлектронный прибор--полевой транзистор--полупроводниковый прибор--термоэлектрический прибор--транзистор--физическая основа--электроника--эффект холла
Аннотация: Материал настоящего учебного пособия составлен таким образом, чтобы способствовать закреплению у студентов теоретических знаний, а также выработке навыков в решении инженерных задач.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 23864
Автор(ы) : Гречишкин В. С., Гречишкина Р. В., Карпинская Т. А.
Заглавие : Основы теории цепей : Учебное пособие
Выходные данные : Калининград: Калининградский государственный университет, 2005
Колич.характеристики :162 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 5-88874-543-X: Б.ц.
УДК : 621.3
ББК : 31.21
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): лампа--линейная электрическая цепь--полевой транзистор--радиофизика--радиоэлектроника--теория цепей--усилительное устройство
Аннотация: Рассмотрены методы расчета линейных электрических цепей, применяемые для анализа работы схем на лампах, биполярных и полевых транзисторах. Особое внимание уделено расчету режимов работы усилительных устройств. Приведены примеры расчетов различных схем. Учебное пособие предназначено в помощь студентам специальностей «Телекоммуникации» и «Радиофизика» при изучении дисциплин «Основы теории цепей», «Радиоэлектроника», «Линейные цепи».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 65393
Автор(ы) : Григорьев Б. И.
Заглавие : Элементная база и устройства аналоговой электроники : Учебное пособие
Выходные данные : Санкт-Петербург: Университет ИТМО, 2008
Колич.характеристики :98 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): аналоговая электроника--полевой транзистор--полупроводниковый диод--стабилитрон--схемотехника--элементная база
Аннотация: Учебное пособие содержит методические указания к шести виртуальным лабораторным работам по исследованию статических характеристик полупроводниковых приборов и переходных процессов в ряде устройств на их основе. В пособии отражены необходимые сведения о характеристиках и параметрах полупроводниковых диодов и стабилитронов, биполярных и полевых транзисторов, о работе выпрямителей и ограничителей напряжения, об особенностях работы транзисторных ключей и схемотехнического моделирования процессов в электронных устройствах. Пособие ориентировано на элементную базу, приборы и устройства программы Electronics Workbench 4.0 и составлено с учётом проведения лабораторных работ фронтальным методом в учебных лабораториях кафедры Электроники. Методические указания пособия рекомендованы студентам всех специальностей, изучающих дисциплины Электроника, Физические основы электроники, Электроника и микропроцессорная техника, Электротехника и электроника.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 91440
Автор(ы) : Дуркин В. В., Тырыкин С. В.
Заглавие : Схемотехника аналоговых электронных устройств. Основные понятия, обратные связи, работа усилительного элемента в схеме : Учебное пособие
Выходные данные : Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет, 2017
Колич.характеристики :100 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-7782-3206-8: Б.ц.
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): аналоговое устройство--биполярный транзистор--коллекторная стабилизация--полевой транзистор--схемотехника устройства--усилительный элемент--цепь питания--электрическая цепь--электронное устройство--эмиттерная стабилизация
Аннотация: Рассмотрены основные параметры и характеристики усилительных устройств, работа усилительного элемента в схеме, обратные связи, режимы работы и цепи питания усилительных элементов.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98759
Автор(ы) : Дыбко М. А., Удовиченко А. В., Волков А. Г.
Заглавие : Цифровая микроэлектроника : Учебное пособие
Выходные данные : Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет, 2019
Колич.характеристики :200 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-7782-3834-3: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--логический элемент--полевой транзистор--цифровая микроэлектроника--цифровое устройство--электронный ключ
Аннотация: Рассмотрены основы работы транзисторных ключей на биполярных и полевых транзисторах. Изложены принципы построения логических элементов семейств транзисторно-транзисторной логики, эмиттерно-связанной логики, комплементарных логических элементов и логики на базе биполярных транзисторов с комплементарными ключами. При рассмотрении транзисторных ключей и логических элементов приведены основные характеристики и свойства, а также способы улучшения статических характеристик и быстродействия. По каждому разделу помимо теоретического материала предложен ряд контрольных вопросов, а также практические задания для закрепления полученных знаний. В конце пособия рассмотрен пример разработки схемы цифровой электроники на базе логического элемента семейства ТТЛ, который служит примером выполнения расчетов по курсовому проекту в рамках курса «Микроэлектроника». Пособие предназначено для студентов третьего курса факультета РЭФ дневного отделения направления «Электроника и наноэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 55455
Автор(ы) : Игнатов А. Н.
Заглавие : Полевые транзисторы и их применение в технике связи : Монография
Выходные данные : Новосибирск: Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2008
Колич.характеристики :317 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.84
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): затворный детектор--наноэлектронный транзистор--полевой транзистор--техника связи
Аннотация: В монографии рассматриваются типы, характеристики и свойства полевых транзисторов (ПТ). Уточняется теория ПТ, работающих в режимах управляемого сопротивления, усиления, с прямыми токами затвора и подложки, а также, в предложенном автором, - комбинированном режиме. Рассматриваются технические решения электронных устройств для телекоммуникационных и информационных систем. Для инженерно-технических работников, студентов и аспирантов электронного и радиотехнического профилей.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 91004
Автор(ы) : Ковалев А. А., Тищенко Л. А.
Заглавие : Исследования характеристик базовых электрорадиоэлементов. Ч.2. Транзисторы и тиристоры : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Российский университет дружбы народов, 2018
Колич.характеристики :108 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-209-08467-9 (ч.2), 978-5-209-08466-2: Б.ц.
УДК : 621.37
ББК : 32.84
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): базовый электрорадиоэлемент--биполярный транзистор--индуцированный канал--мдп-транзистор--мультиметр--полевой транзистор--полупроводниковый прибор--тиристор
Аннотация: В учебном пособии представлены лабораторные работы, посвященные исследованию характеристик таких электрорадиоэлементов, как тиристор, биполярный и полевые транзисторы, необходимых студентам для проектирования радиоэлектронных устройств. Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки «Наноинженерия», «Конструирование и технология электронных средств», «Электроника и наноэлектроника», специальности «Радиоэлектронные системы и комплексы» и другим направлениям подготовки и специальностям по радиоэлектронике, а также специализации «Проектирование и технология радиоэлектронных систем и комплексов» и профилю подготовки «Проектирование электронных приборов и робототехнических комплексов».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98163
Автор(ы) : Ковалев А. Н.
Заглавие : Гетероструктурная наноэлектроника : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2009
Колич.характеристики :155 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--гетероструктура--наноэлектроника--полевой транзистор--полупроводник
Аннотация: Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и направлению «Электроника и микроэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98107
Автор(ы) : Ковалев А. Н.
Заглавие : Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : Монография
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2011
Колич.характеристики :364 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-489-6: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--гетероструктура--нанотехнология--полевой транзистор--электроника
Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки новых полупроводниковых микро- и наногетероструктур и приборов на их основе, а также для студентов и аспирантов.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 68432
Автор(ы) : Ковалев Е. И., Лучинин А. С., Мальцев А. П.
Заглавие : Исследование нелинейных цепей : Лабораторный практикум
Выходные данные : Екатеринбург: Уральский федеральный университет, ЭБС АСВ, 2014
Колич.характеристики :72 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-7996-1218-4: Б.ц.
УДК : 621.3
ББК : 31.211я73
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): амплитудная модуляция--детерминированный сигнал--исследование цепи--нелинейная цепь--осциллограф универсальный--полевой транзистор--преобразование сигнала--радиотехническая цепь--цифровой вольтметр
Аннотация: В издании даны описания пяти лабораторных работ, позволяющих экспериментально пронаблюдать преобразование детерминированных сигналов в нелинейных радиотехнических цепях и проверить методы математического описания этих преобразований. В практикуме приведены порядок выполнения работ, требования к оформлению отчетов, рекомендации по подготовке к работам, а также расчетную часть. Приведены основные расчетные соотношения.
(для доступа требуется авторизация)

1-10 11-20 21-24

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 01.07.2024
Число запросов	0
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)