Фундаментальная библиотека ФГБОУ ВО СПХФУ Минздрава России

Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Главная

ИРБИС64+

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Картотека журнальных статей

Систематический имидж-каталог

Авторефераты диссертаций

Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ

ЭБС IPRBooks

ЭБС Консультант студента

ЭБС Юрайт

Диссертации, защищенные в СПХФУ

Журнальный фонд СПХФУ

Библиотечный фонд техникума

ВКР

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полупроводниковое устройство<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 45076
Автор(ы) : Данилов В. С., Раков Ю. Н.
Заглавие : Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4: Учебное пособие. Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4
Выходные данные : : Новосибирский государственный технический университет Б.м., 2011
Колич.характеристики :79 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-7782-1618-1: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): анализ процессов--полупроводниковое устройство--полевой свч-транзистор--барьер шоттки
Аннотация: В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 45075
Автор(ы) : Данилов В. С.
Заглавие : Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 3: Учебное пособие. Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 3
Выходные данные : : Новосибирский государственный технический университет Б.м., 2009
Колич.характеристики :80 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-7782-1284-8: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): анализ процесса--полупроводниковое устройство--анализ тока
Аннотация: В третьей части учебного пособия рассмотрены наиболее важные процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Адресовано студентам, специализирующимся в области создания полупроводниковых устройств.
(для доступа требуется авторизация)

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 02.07.2024
Число запросов	0
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)