Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Картотека журнальных статей
Систематический имидж-каталог
Авторефераты диссертаций
Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ
ЭБС IPRBooks
ЭБС Консультант студента
ЭБС Юрайт
Диссертации, защищенные в СПХФУ
Журнальный фонд СПХФУ
Библиотечный фонд техникума
ВКР
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=твердотельная электроника<.>)
Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13980
Автор(ы) : Легостаев Н. С., Четвергов К. В.
Заглавие : Твердотельная электроника : Методические указания по изучению дисциплины
Выходные данные : Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Эль Контент, 2012
Колич.характеристики :52 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-4332-0030-2: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--полевой транзистор--полупроводниковый диод--твердотельная электроника--тиристор
Аннотация: Представлены рекомендации по самостоятельному изучению теоретического материала, выполнению контрольных и лабораторных работ. Для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» с профилем «Промышленная электроника» с использованием дистанционных образовательных технологий.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13981
Автор(ы) : Легостаев Н. С., Четвергов К. В.
Заглавие : Твердотельная электроника : Учебное пособие
Выходные данные : Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Эль Контент, 2011
Колич.характеристики :244 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-4332-0021-0: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): изотипный гетеропереход--контактное явление--мдп-транзистор--твердотельная электроника--твердотельный прибор
Аннотация: Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твердотельных приборов, явления переноса в твердых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик-полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Рассмотрены принципы действия и характеристики полупроводниковых диодов, биполярных транзисторов, тиристоров, МДП-транзисторов, полевых транзисторов с управляющим переходом, оптоэлектронных полупроводниковых приборов, а также полупроводниковых термоэлектрических и гальваномагнитных приборов. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13920
Автор(ы) : Битнер Л. Р.
Заглавие : Вакуумная и плазменная электроника : Учебное пособие
Выходные данные : Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2007
Колич.характеристики :148 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вакуумная электроника--микроэлектроника--плазменная электроника--твердотельная электроника
Аннотация: Учебно-методическое пособие предназначено для студентов специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и студентов направления 210100 «Электроника и микроэлектроника» (бакалавриат).
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13982
Автор(ы) : Троян П. Е.
Заглавие : Твердотельная электроника : Учебное пособие
Выходные данные : Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2006
Колич.характеристики :321 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микроэлектроника--полупроводниковый прибор--твердотельная электроника--эквивалентная схема
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены физические основы твердотельной электроники, устройство, принцип действия, характеристики и параметры основных классов полупроводниковых приборов различного назначения, их эквивалентные схемы и модели, а также вопросы изготовления и применения приборов. Учебное пособие предназначено для студентов специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника», обучающихся по направлению «электроника и микроэлектроника», и написано в соответствии с рабочей программой по дисциплине и требованиями ГОС ВПО по данному направлению.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 67224
Автор(ы) : Мамыкин А. И., Рассадина А. А.
Заглавие : Контактные явления в полупроводниках. Часть 2: Учебно-методическое пособие по курсу «Физические основы электроники». Контактные явления в полупроводниках. Часть 2
Выходные данные : : Университет ИТМО Б.м., 2014
Колич.характеристики :38 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-7782-2580-0: Б.ц.
УДК : 537
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): твердотельная электроника--полупроводник--диэлектрик--электропроводность--электрический ток--контактное явление
Аннотация: Рассматриваются основные физические процессы, лежащие в основе функционирования элементов твердотельной электроники и принципы работы полупроводниковых приборов. Пособие содержит элементарные сведения из квантовой механики и физики твердого тела, необходимые для понимания основного содержания курса «Физические основы электроники».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13959
Автор(ы) : Орликов Л. Н.
Заглавие : Основы технологии оптических материалов и изделий. Часть 1: Учебное пособие. Основы технологии оптических материалов и изделий. Часть 1
Выходные данные : : Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники Б.м., 2012
Колич.характеристики :88 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-4263-0119-1: Б.ц.
УДК : 621.387
ББК : 32.84
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптический материал--электронная техника--вакуумная электроника--плазменная электроника--твердотельная электроника
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены основы технологических процессов в производстве материалов и изделий электронной техники. В том числе кинетические, диффузионные и поверхностные явления и межфазные взаимодействия в технологических процессах; физические основы вакуумной, ионно-плазменной, электронно-лучевой и лазерной технологии; основы технологии изготовления приборов и устройств вакуумной, плазменной, твердотельной и микроэлектроники; основы автоматизации процессов производства оптических материалов и изделий и устройств; эксплуатация и сервисное обслуживание технологического оборудования. Большинство разделов содержит математические модели для инженерных расчетов. Пособие предназначено для студентов очной и заочной форм, обучающихся по направлению «Фотоника и оптоинформатика» по дисциплине «Основы технологии оптических материалов и изделий».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 87511
Автор(ы) : Захаров А. Г., Какурина Н. А., Какурин Ю. Б., Черепанцев А. С.
Заглавие : Физика. Введение в твердотельную электронику : Учебное пособие
Выходные данные : Ростов-на-Дону, Таганрог: Издательство Южного федерального университета, 2018
Колич.характеристики :107 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-9275-2621-5: Б.ц.
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура--идеальный кристалл--межатомное взаимодействие--полупроводник--сверхпроводимость--твердое тело--твердотельная электроника--физика--электронно-дырочный переход
Аннотация: В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно изложены контактные явления. Обсуждаются особенности гетеропереходов.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 97866
Автор(ы) : Ковалев А. Н.
Заглавие : Твердотельная электроника : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2010
Колич.характеристики :212 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-304-2: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): инжекционный лазер--оптоэлектронный прибор--полупроводник--светодиод--твердотельная электроника--транзистор--фотоприемник
Аннотация: Рассмотрены физические явления на границе раздела полупроводник – диэлектрик и в контактах металл – полупроводник. Изложены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров. Уделено внимание гетеропереходам и приборам на их основе. Проанализирована работа транзисторных структур, использующих свойства двумерного электронного газа. Изучаемый курс завершает физическую подготовку бакалавров и инженеров в данном направлении; имеет как теоретическую, так и практико-ориентированную направленность, – является составной частью профессиональной подготовки. Предназначено для изучения курса «Твердотельная электроника» студентами специальности 210100 «Электроника и микроэлектроника» и направления 150600 «Материаловедение и технология материалов».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98105
Автор(ы) : Кольцов Г. И., Диденко С. И., Орлова М. Н.
Заглавие : Теория и расчет полупроводниковых приборов: твердотельная электроника : Лабораторный практикум
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2010
Колич.характеристики :83 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--диод--полупроводниковый прибор--твердотельная электроника--физический процесс
Аннотация: В лабораторном практикуме приводится описание лабораторных работ, предназначенных для детального и углубленного изучения физических процессов в приборах и структурах современной полупроводниковой электроники – диодах и биполярных транзисторах. Предназначен обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98133
Автор(ы) : Кожитов Л. В., Крапухин В. В., Улыбин В. А.
Заглавие : Технология эпитаксиальных слоев и гетерокомпозиций : Учебно-методическое пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2001
Колич.характеристики :157 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетерокомпозиция--жидкофазная эпитаксия--микроэлектроника--парофазная эпитаксия--твердотельная электроника
Аннотация: Даны краткая история и пути и перспективы развития микроэлектроники, в частности, в области технологии эпитаксиальных гетерокомпозиций. Кратко описаны процессы парофазной эпитаксии химическим осаждением и жидкофазной эпитаксии кремния, соединений ΑIIIΒV и их твердых растворов, применяемого оборудования. Приведены математические модели этих процессов, включающие термодинамический и кинетический блоки. При получении гетерокомпозиций учитываются упругие напряжения и рассматриваются пути их устранения, в частности, создание изопериодных композиций и сверхрешеток. Кроме того, приведены восемь комплексных задач для самостоятельного вычислительного эксперимента при выборе параметров процесса, а также процедура решения задач с использованием разработанного пакета программ на ПЭВМ. Предназначено для студентов, обучающихся по специальности 200100 (направление 654100), а также для научных сотрудников и инженеров-технологов, занимающихся разработкой систем управления и оптимизации технологических процессов.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика обращений
Статистика
за 28.06.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)