Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=транзистор<.>)
Общее количество найденных документов : 94
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98082
Автор(ы) : Юрчук С. Ю., Мурашев В. Н.
Заглавие : Моделирование полупроводниковых приборов : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2001
Колич.характеристики :98 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--интегральная схема--модель--полупроводниковый прибор--униполярный транзистор
Аннотация: Данный курс лекций является частью курса «Моделирование технологических процессов». В нем приведены основные уравнения, описывающие работу полупроводниковых приборов, и основные подходы к их решению, применяемые при моделировании; предложены примеры моделирования работы основных полупроводниковых приборов, являющихся элементами интегральных схем; показаны способы упрощения решения базовой системы уравнений для разных приборов. Решение уравнений и численные алгоритмы не рассматриваются, так как этот материал должен прорабатываться на практических занятиях и при выполнении лабораторных работ. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам «Физика твердого тела», «Физика полупроводниковых приборов и ИС», а также иметь представления об основных численных методах. Предназначен для студентов направления 654100 «Электроника и микроэлектроника» специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов»).
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 23864
Автор(ы) : Гречишкин В. С., Гречишкина Р. В., Карпинская Т. А.
Заглавие : Основы теории цепей : Учебное пособие
Выходные данные : Калининград: Калининградский государственный университет, 2005
Колич.характеристики :162 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 5-88874-543-X: Б.ц.
УДК : 621.3
ББК : 31.21
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): лампа--линейная электрическая цепь--полевой транзистор--радиофизика--радиоэлектроника--теория цепей--усилительное устройство
Аннотация: Рассмотрены методы расчета линейных электрических цепей, применяемые для анализа работы схем на лампах, биполярных и полевых транзисторах. Особое внимание уделено расчету режимов работы усилительных устройств. Приведены примеры расчетов различных схем. Учебное пособие предназначено в помощь студентам специальностей «Телекоммуникации» и «Радиофизика» при изучении дисциплин «Основы теории цепей», «Радиоэлектроника», «Линейные цепи».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13978
Автор(ы) : Красько А. С.
Заглавие : Схемотехника аналоговых электронных устройств : Учебное пособие
Выходные данные : Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, В-Спектр, 2006
Колич.характеристики :180 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 5-902958-05-9: Б.ц.
УДК : 621.396
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): операционный усилитель--радиоэлектронная аппаратура--схемотехника--транзистор--электронное устройство
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены теоретические основы и принципы действия аналоговых устройств на биполярных и полевых транзисторах. Анализируются основные схемы, используемые в аналоговых трактах типовой радиоэлектронной аппаратуры, приводятся расчетные формулы, позволяющие определить элементы принципиальных схем этих устройств по требуемому виду частотных, фазовых и переходных характеристик. Излагаются основы построения различных функциональных устройств на основе операционных усилителей. Рассмотрен также ряд специальных вопросов, с которыми приходится сталкиваться разработчикам аналоговых электронных устройств, – оценка нелинейных искажений, анализ устойчивости, чувствительности и др. Для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 552500, 654200 – «Радиотехника», 654100 – «Электроника и микроэлектроника», а также для преподавателей и научных работников.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 13947
Автор(ы) : Троян П. Е.
Заглавие : Микроэлектроника : Учебное пособие
Выходные данные : Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2007
Колич.характеристики :346 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--интегральная схема--микроэлектроника--полевой транзистор--полярный транзистор
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены вопросы в соответствии ГОС ВПО и рабочей программой по дисциплине «Микроэлектроника» для студентов, обучающихся в ТУСУР по специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и бакалавров по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника». Дано описание физических процессов в основных элементах интегральных схем – биполярных и полевых транзисторах, их особенностей в интегральном исполнении. Рассмотрены интегральные схемы на биполярных и полевых транзисторах, и основные схемотехнические решения интегральных схем цифровой и аналоговой электроники. Рассмотрены перспективные элементы интегральных схем и их предельные возможности, а также вопросы, связанные с функциональной электроникой.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 62
Заглавие : Промышленная электроника : Учебное пособие
Выходные данные : Казань: Казанский национальный исследовательский технологический университет, 2008
Колич.характеристики :81 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-7882-0598-4: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): генератор--конденсатор--полупроводниковый прибор--промышленность--схема--транзистор--электроника
Аннотация: Учебное пособие написано в соответствии с действующей программой курса промышленной электроники. Содержит все основные разделы курса. Рассмотрена физика явлений в полупроводниковых приборах и основные принципы построения электронных схем. Предназначено для студентов всех форм обучения технических и технологических специальностей.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 55455
Автор(ы) : Игнатов А. Н.
Заглавие : Полевые транзисторы и их применение в технике связи : Монография
Выходные данные : Новосибирск: Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2008
Колич.характеристики :317 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.84
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): затворный детектор--наноэлектронный транзистор--полевой транзистор--техника связи
Аннотация: В монографии рассматриваются типы, характеристики и свойства полевых транзисторов (ПТ). Уточняется теория ПТ, работающих в режимах управляемого сопротивления, усиления, с прямыми токами затвора и подложки, а также, в предложенном автором, - комбинированном режиме. Рассматриваются технические решения электронных устройств для телекоммуникационных и информационных систем. Для инженерно-технических работников, студентов и аспирантов электронного и радиотехнического профилей.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 65393
Автор(ы) : Григорьев Б. И.
Заглавие : Элементная база и устройства аналоговой электроники : Учебное пособие
Выходные данные : Санкт-Петербург: Университет ИТМО, 2008
Колич.характеристики :98 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): аналоговая электроника--полевой транзистор--полупроводниковый диод--стабилитрон--схемотехника--элементная база
Аннотация: Учебное пособие содержит методические указания к шести виртуальным лабораторным работам по исследованию статических характеристик полупроводниковых приборов и переходных процессов в ряде устройств на их основе. В пособии отражены необходимые сведения о характеристиках и параметрах полупроводниковых диодов и стабилитронов, биполярных и полевых транзисторов, о работе выпрямителей и ограничителей напряжения, об особенностях работы транзисторных ключей и схемотехнического моделирования процессов в электронных устройствах. Пособие ориентировано на элементную базу, приборы и устройства программы Electronics Workbench 4.0 и составлено с учётом проведения лабораторных работ фронтальным методом в учебных лабораториях кафедры Электроники. Методические указания пособия рекомендованы студентам всех специальностей, изучающих дисциплины Электроника, Физические основы электроники, Электроника и микропроцессорная техника, Электротехника и электроника.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 65347
Автор(ы) : Ткалич В. Л., Ткалич В. Л., Фролков В. Н., Ткачев К. О., Волченко А. Н., Киянов А. А.
Заглавие : Физические основы микроэлектроники : Методическое учебное пособие к лабораторному практикуму
Выходные данные : Санкт-Петербург: Университет ИТМО, 2009
Колич.характеристики :98 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--интегральная схема--микроэлектроника--температурная зависимость--физическая основа
Аннотация: Пособие соответствует утвержденной учебной программе по направлению 210202 - «Проектирование и технология электронно-вычислительных средств». Предназначено для студентов, выполняющие работы лабораторного практикума по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Пособие содержит описание лабораторных работ, методические указания по их выполнению, контрольные вопросы и краткий теоретический материал. Предназначено для студентов факультета Компьютерных Технологий и Управления, обучающихся по направлению: 210202 – «Проектирование и технология электронно-вычислительных средств».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98163
Автор(ы) : Ковалев А. Н.
Заглавие : Гетероструктурная наноэлектроника : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2009
Колич.характеристики :155 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--гетероструктура--наноэлектроника--полевой транзистор--полупроводник
Аннотация: Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и направлению «Электроника и микроэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 14001
Автор(ы) : Кобзев А. В., Коновалов Б. И., Семенов В. Д.
Заглавие : Энергетическая электроника : Учебное пособие
Выходные данные : Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2010
Колич.характеристики :164 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): инвентор--схемотехника--транзистор--электромагнитный процесс--энергетическая электроника
Аннотация: Учебное пособие соответствует рабочей программе дисциплины «Энергетическая электроника» для студентов направления 210100 «Электроника и микроэлектроника» и специальности 210106 «Промышленная электроника». Содержит разделы, в которых рассматриваются схемотехника и электромагнитные процессы в устройствах силовой электроники, принцип действия которых основан на использовании полностью управляемых полупроводниковых приборов — транзисторов, работающих в ключевом режиме. Наибольшее внимание уделено таким распространенным в технике устройствам, как непосредственные преобразователи постоянного напряжения и инверторы. Изложение материала построено таким образом, что вначале подробно рассматривается принцип функционирования схем на идеализированных элементах, а уже затем учитывается влияние реальных параметров основных компонентов. Предназначено для студентов всех форм обучения с использованием дистанционных образовательных технологий.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
Статистика
за 22.07.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)