Фундаментальная библиотека ФГБОУ ВО СПХФУ Минздрава России

Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Главная

ИРБИС64+

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Картотека журнальных статей

Систематический имидж-каталог

Авторефераты диссертаций

Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ

ЭБС IPRBooks

ЭБС Консультант студента

ЭБС Юрайт

Диссертации, защищенные в СПХФУ

Журнальный фонд СПХФУ

Библиотечный фонд техникума

ВКР

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=фотодиод<.>)

Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 66503
Автор(ы) : Курашова С. А.
Заглавие : Квантовая оптика : Методические рекомендации по выполнению лабораторных работ
Выходные данные : Санкт-Петербург: Университет ИТМО, 2016
Колич.характеристики :74 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 535
ББК : 22.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интегральный коэффициент--квантовая оптика--потенциал--температура--фотодиод--фотоэффект--электрон
Аннотация: Пособие содержит методические рекомендации к выполнению лабораторных работ и теоретические сведения, необходимые для объяснения результатов эксперимента. При подготовке данного пособия использованы материалы научно-исследовательской лаборатории (НИЛ) техники эксперимента Новосибирского государственного технического университета. Для выполнения лабораторных работ используются установки, разработанные НИЛ техники эксперимента Новосибирского государственного технического университета, производства OOO «Опытные приборы».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 49392
Автор(ы) : Матвеев Б. А., Ратушный В. И., Рыбальченко А. Ю.
Заглавие : Широкополосные средневолновые инфракрасные фотодиоды на основе твердых растворов А III B V : Монография
Выходные данные : Москва, Саратов: Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Ай Пи Эр Медиа, 2016
Колич.характеристики :116 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-7262-2211-0: Б.ц.
УДК : 621
ББК : 38.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): физика--фотодиод--фототок
Аннотация: Проведен обзор материалов, структур и конструкций, применяемых при изготовлении средневолновых инфракрасных фотодиодов. Рассмотрены основные свойства и особенности протекания тока в диодах с контактами ограниченной площади и распределение плотности фототока в инфракрасных фотодиодах. На примере фотодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP/InAs(Sb), рассмотрено влияние неравномерности распределения плотности тока на основные характеристики фотодиодов. Для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики полупроводников, а также может быть полезна преподавателям, аспирантам, магистрантам и студентам инженерно-физических специальностей.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 56102
Автор(ы) : Юрчук С. Ю., Диденко С. И., Кольцов Г. И.
Заглавие : Полупроводниковые оптоэлектронные приборы : Лабораторный практикум
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2006
Колич.характеристики :63 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.86
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптоэлектронный прибор--оптрон--фотодиод--фототранзистор
Аннотация: Лабораторный практикум включает описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Представлены схемы измерения и методики расчета основных параметров и характеристик оптоэлектронных приборов. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам «Физика твердого тела», «Физика полупроводниковых приборов», «Квантовая и оптическая электроника». Предназначен для студентов специальности 210104 (2001) «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов»).
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 91003
Автор(ы) : Ковалев А. А., Тищенко Л. А.
Заглавие : Исследования характеристик базовых электрорадиоэлементов. Ч.1. Радиолампы, диоды и фотоэлементы : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Российский университет дружбы народов, 2018
Колич.характеристики :120 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-209-08468-6 (ч.1), 978-5-209-08466-2: Б.ц.
УДК : 621.37
ББК : 32.84
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): базовый электрорадиоэлемент--выпрямительный диод--исследование характеристики--кремниевый стабилитрон--полупроводниковый диод--радиолампа--термоэлектронная эмиссия--фотодиод--фоторезистор--фотоэлемент
Аннотация: В учебном пособии представлены лабораторные работы, посвященные исследованию характеристик таких электрорадиоэлементов, как радиолампа, выпрямительный диод, стабилитрон, фоторезистор и фотодиод, необходимых студентам для проектирования радиоэлектронных устройств. Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки «Наноинженерия», «Конструирование и технология электронных средств», «Электроника и наноэлектроника», специальности «Радиоэлектронные системы и комплексы» и другим направлениям подготовки и специальностям по радиоэлектронике, а также специализации «Проектирование и технология радиоэлектронных систем и комплексов» и профилю подготовки «Проектирование электронных приборов и робототехнических комплексов».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98121
Автор(ы) : Леготин С. А., Краснов А. А., Ельников Д. С., Мурашев В. Н., Диденко С. И., Таперо К. И., Коновалов М. П.
Заглавие : Проектирование и технология электронной компонентной базы: полупроводниковые приемники излучений : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2018
Колич.характеристики :188 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-906953-50-6: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионизирующее излучение--матричный приемник--полупроводник--фотодиод--фоторезистор--электроника
Аннотация: Методологически дисциплина построена на основе оптимального соотношения теоретических и прикладных вопросов проектирования полупроводниковых матричных приемников излучений. Теоретические основы изложены так, чтобы показать основные физические процессы, происходящие в элементах интегральной микросхемы матричного приемника излучений. Прикладные вопросы ориентируют слушателей на решение типовых задач проектирования технологии, конструкции и схемотехники оптических матричных интегральных микросхем. Этот курс дает недостающую информацию для инженеров и физиков, которые хотят больше узнать об интегрированных оптоэлектронных схемах, реализуемых по кремниевой технологии, и предназначен быть связующим звеном между микроэлектроникой и оптоэлектроникой. Курс лекций предназначен для студентов, обучающихся по укрупненной группе специальностей 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи» и специалистов, работающих на предприятиях в сфере оптоэлектроники.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98922
Автор(ы) : Ковалев А. Н., Рабинович О. И., Тимошина М. И.
Заглавие : Физика и технология наноструктурных гетерокомпозиций : Учебник
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2015
Колич.характеристики :460 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-941-9: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наногетероструктура--наноэлектроника--оптоэлектроника--полупроводник--транзистор--физика--фотодиод
Аннотация: Учебник содержит всестороннее изложение базовых элементов физики полупроводников, объемное изложение и анализ современных технологий выращивания полупроводниковых материалов, учитывающих квантово-размерные эффекты (метод молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, метод Фольмера–Вебера–Странского, Бартона–Кабреры–Ван дер Мерве). Рассмотрены современные многокомпонентные наногетероструктуры, в том числе нитридные, фосфидные и арсенидные материалы. Представлен и проанализирован широкий спектр приборов опто- и наноэлектроники. Приведены рабочие характеристики всех видов транзисторов, фотодиодов, солнечных элементов, светоизлучающих диодов и лазеров, механизмы их деградации и принципы спинтроники на основе нитридов. Учебник предназначен для бакалавров, магистров, инженеров, обучающихся по специальностям 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная электроника», 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», 15.03.04 «Автоматизация технологических процессов и производств», 11.03.01 «Радиотехника», 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи». Представляет интерес для широкого круга читателей, специализирующихся в опто- и наноэлектронике, технологии полупроводниковых материалов и приборов на их основе.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98118
Автор(ы) : Юрчук С. Ю., Диденко С. И., Кольцов Г. И., Мартынов В. Н.
Заглавие : Полупроводниковые оптоэлектронные приборы : Курс лекций
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2004
Колич.характеристики :112 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптоэлектронный прибор--оптрон--полупроводник--фотодиод--фотоприемник--фоторезистор--фототранзистор
Аннотация: Приведено описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Рассмотрены параметры и характеристики оптоэлектронных приборов. Дана классификация как самих приборов, так и их параметров. Курс лекций «Полупроводниковые оптоэлектронные приборы» предназначен для студентов специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов») направлений 550700, 654100 «Электроника и микроэлектроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98115
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д., Сушков В. П., Ованесов А. Е.
Заглавие : Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике : Лабораторный практикум
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2002
Колич.характеристики :41 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 548
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура--излучающий диод--оптоэлектроника--светодиод--светофильтр--фотодиод
Аннотация: Практикум состоит из пяти лабораторных работ, выполнение которых позволит получить достаточно полное представление о свойствах гетероструктур, используемых в оптоэлектронике. В каждом описании к лабораторной работе дается краткое рассмотрение теории и технологии изготовления гетероструктур, что закрепляет знания студентов, полученные в лекционных курсах. Настоящий лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по направлению 550700 для изучения курсов «Основы высоких технологий», «Физико-химические основы многослойных гетероструктур», «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники».
(для доступа требуется авторизация)

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	0
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)