Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Картотека журнальных статей
Систематический имидж-каталог
Авторефераты диссертаций
Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ
ЭБС IPRBooks
ЭБС Консультант студента
ЭБС Юрайт
Диссертации, защищенные в СПХФУ
Журнальный фонд СПХФУ
Библиотечный фонд техникума
ВКР
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=электронно-дырочный переход<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 66620
Автор(ы) : Дурнаков А. А., Елфимов В. И.
Заглавие : Электроника : Учебно-методическое пособие
Выходные данные : Екатеринбург: Уральский федеральный университет, ЭБС АСВ, 2016
Колич.характеристики :160 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-7996-1787-5: Б.ц.
УДК : 621.38
ББК : 32.85я73
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--лавинный пробой--параметр стабилитрона--полевой пробой--полупроводниковый диод--стабилизатор напряжения--туннельный эффект--электроника--электронно-дырочный переход
Аннотация: Пособие содержит описания физических процессов, возникающих в p-n-переходе, виды пробоев p-n-перехода, процессы в p-n-переходах с туннельным эффектом, устройство, принципы работы, характеристики и параметры биполярных транзисторов и полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Приводятся описание схем экспериментальных исследований, лабораторные задания, методика обработки результатов эксперимента, вопросы для самопроверки.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 63253
Автор(ы) : Валюхов Д. П., Пигулев Р. В.
Заглавие : Физические основы электроники : Учебное пособие
Выходные данные : Ставрополь: Северо-Кавказский федеральный университет, 2014
Колич.характеристики :135 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 519.7
ББК : 32.85я73
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): распределение электронов--свойство полупроводника--ток диффузии--ток дрейфа--токопроводящий материал--уровень ферми--физическая основа--электроника--электронно-дырочный переход--электропроводность полупроводника
Аннотация: Пособие представляет курс лекций, в которых дано систематическое изложение современной электроники, охватывающей как основные теоретические представления, так и важнейшие экспериментально установленные факты для объяснения принципов действия широкого круга электронных приборов и устройств, изложены физические основы процессов, лежащих в основе работы электронных приборов. Предназначено для бакалавров направления подготовки 210700.62 - Инфокоммуникационные технологии и системы связи.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 61881
Заглавие : Физические основы электроники : Методическое пособие для проведения лабораторных работ
Выходные данные : Ростов-на-Дону: Северо-Кавказский филиал Московского технического университета связи и информатики, 2012
Колич.характеристики :46 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 621.351
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--индуцированный канал--мдп-транзистор--общий эмиттер--полевой транзистор--физическая основа--электроника--электронно-дырочный переход
Аннотация: Курс «Физические основы электроники» изучается студентами специальности 210700. Учебный план предусматривает выполнение лабораторного практикума в количестве 18 часов для студентов очного обучения и 8 часов для студентов заочного обучения. Прохождение лабораторного практикума ставит своей задачей проверку на практике полученных теоретических знаний. Предлагаемое пособие содержит краткое изложение основных сведений из теории физических основ полупроводниковой электроники и порядок выполнения лабораторных работ на лабораторном стенде «Электронные приборы», а также порядок моделирования процесса исследования по каждой лабораторной работе на компьютере с использованием программы Electronics Workbench. Сборник предназначен для подготовки студентов к лабораторным занятиям и является руководством при выполнении лабораторных работ.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 87431
Автор(ы) : Авдеев С. П.
Заглавие : Краткий обзор теории полупроводниковых структур : Учебное пособие
Выходные данные : Ростов-на-Дону, Таганрог: Издательство Южного федерального университета, 2018
Колич.характеристики :118 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-9275-2721-2: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--выпрямительный диод--кремниевый транзистор--полупроводниковая структура--полупроводниковый материал--полупроводниковый прибор--удельная проводимость--уравнение пуассона--электронно-дырочный переход
Аннотация: В работе приведены основные теоретические положения в области электрофизического представления полупроводникового материала, рассмотрены явления, протекающие в полупроводниковых структурах, приведены физико-математические соотношения, описывающие работу полупроводниковых приборов. Материал приводится в виде краткого справочного материала для студентов, аспирантов и специалистов, занимающихся проектированием и разработкой технологических процессов полупроводниковых структур. Работа предназначена для инженерных направлений подготовки бакалавров и магистров.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 87511
Автор(ы) : Захаров А. Г., Какурина Н. А., Какурин Ю. Б., Черепанцев А. С.
Заглавие : Физика. Введение в твердотельную электронику : Учебное пособие
Выходные данные : Ростов-на-Дону, Таганрог: Издательство Южного федерального университета, 2018
Колич.характеристики :107 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-9275-2621-5: Б.ц.
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура--идеальный кристалл--межатомное взаимодействие--полупроводник--сверхпроводимость--твердое тело--твердотельная электроника--физика--электронно-дырочный переход
Аннотация: В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно изложены контактные явления. Обсуждаются особенности гетеропереходов.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика обращений
Статистика
за 28.06.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)