Фундаментальная библиотека ФГБОУ ВО СПХФУ Минздрава России

Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Главная

ИРБИС64+

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Картотека журнальных статей

Систематический имидж-каталог

Авторефераты диссертаций

Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ

ЭБС IPRBooks

ЭБС Консультант студента

ЭБС Юрайт

Диссертации, защищенные в СПХФУ

Журнальный фонд СПХФУ

Библиотечный фонд техникума

ВКР

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=эпитаксия<.>)

Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 62929
Автор(ы) : Сысоев И. А., Лунин Л. С.
Заглавие : Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону : Монография
Выходные данные : Ставрополь: Северо-Кавказский федеральный университет, 2015
Колич.характеристики :97 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-9296-0785-1: Б.ц.
УДК : 539.21
ББК : 22.36
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): газовая фаза--градиентная эпитаксия--массоперенос--микроструктура--многокомпонентная гетероструктура--наноструктура--свойство гетероструктуры--твердый раствор--термодинамический анализ--тонкая зона
Аннотация: В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, аспирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 63495
Автор(ы) : Евсеева Т. П.
Заглавие : Технология материалов и покрытий. Тексты лекций (часть I) : Учебное пособие
Выходные данные : Казань: Казанский национальный исследовательский технологический университет, 2011
Колич.характеристики :131 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-7882-1140-4: Б.ц.
УДК : 66
ББК : 30.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллизация--литьевая технология--материал--покрытие--сплав--эпитаксия
Аннотация: В учебном пособии представлены тексты лекций по курсу технологии материалов и покрытий. В пособии излагаются основы литьевой технологии, кристаллизационных процессов, методов размерной обработке материалов и нанесения покрытий. В лекциях значительное внимание уделено современным технологиям литьевой переработки энергонасыщенных материалов и формированию изделий из них. Предназначено для студентов, обучающихся по специальностям 150601 и 150502, может быть полезно при выполнении курсовой работы по дисциплине.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 56129
Автор(ы) : Кузнецов Г. Д.
Заглавие : Технология материалов электронной техники. Атомно-молекулярные процессы кристаллизации : Учебно-методическое пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2006
Колич.характеристики :99 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллизация--электронная техника--эпитаксия
Аннотация: Рассматриваются теоретические вопросы процессов роста объемных монокристаллов и пленок на атомно-молекулярном уровне. Анализируются существующие представления о механизме формирования кристалла с учетом начальных стадий его зарождения. Обсуждаются и анализируются особенности кристаллизации при различной движущей силе процесса. Описаны особенности молекулярно-лучевой эпитаксии. По большинству рассматриваемых разделов приводятся примеры расчетов параметров процесса кристаллизации. Для студентов обучающихся по направлениям 210100 «Электроника и микроэлектроника», 658300 «Нанотехнология», 150702 «Физика металлов» и специальностям 210104 «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и 202100 «Нанотехнология в электронике».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 93364
Автор(ы) : Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А.
Заглавие : МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Выходные данные : Воронеж: Техносфера, 2018
Колич.характеристики :488 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-94836-521-3: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 31.2
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гидридные источники--мос-источники--фотоника--электроника--эпитаксия
Аннотация: В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 93364
Автор(ы) : Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А.
Заглавие : МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Выходные данные : Москва: Техносфера, 2018
Колич.характеристики :488 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-94836-521-3: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 31.2
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гидридные источники--мос-источники--фотоника--электроника--эпитаксия
Аннотация: В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98084
Автор(ы) : Курочка С. П., Сергиенко А. А.
Заглавие : Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2015
Колич.характеристики :82 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-940-2: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанолитография--наноразмерная гетероструктура--нанотехнология--одноэлектронный транзистор--полевой транзистор--электроника
Аннотация: В результате анализа условий проявления квантово-размерных эффектов, возникающих в многослойных тонкопленочных структурах, уточнены требования к технологическим процессам формирования наноструктурированных гетерокомпозиций. Анализируются как базовые традиционные методы формирования с применением нанолитографии – молекулярно-лучевая эпитаксия и газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, так и специфические – зондовая нанотехнология и самоорганизация упорядоченных наноструктур на полупроводниковых подложках. В качестве практического применения наноструктурированных гетерокомпозиций рассмотрены конструкция и принцип работы полевого транзистора с высокой подвижностью носителей и одноэлектронный транзистор. Предназначено для магистрантов, обучающихся по направлениям 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника», 28.04.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98922
Автор(ы) : Ковалев А. Н., Рабинович О. И., Тимошина М. И.
Заглавие : Физика и технология наноструктурных гетерокомпозиций : Учебник
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2015
Колич.характеристики :460 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-941-9: Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наногетероструктура--наноэлектроника--оптоэлектроника--полупроводник--транзистор--физика--фотодиод
Аннотация: Учебник содержит всестороннее изложение базовых элементов физики полупроводников, объемное изложение и анализ современных технологий выращивания полупроводниковых материалов, учитывающих квантово-размерные эффекты (метод молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, метод Фольмера–Вебера–Странского, Бартона–Кабреры–Ван дер Мерве). Рассмотрены современные многокомпонентные наногетероструктуры, в том числе нитридные, фосфидные и арсенидные материалы. Представлен и проанализирован широкий спектр приборов опто- и наноэлектроники. Приведены рабочие характеристики всех видов транзисторов, фотодиодов, солнечных элементов, светоизлучающих диодов и лазеров, механизмы их деградации и принципы спинтроники на основе нитридов. Учебник предназначен для бакалавров, магистров, инженеров, обучающихся по специальностям 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная электроника», 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», 15.03.04 «Автоматизация технологических процессов и производств», 11.03.01 «Радиотехника», 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи». Представляет интерес для широкого круга читателей, специализирующихся в опто- и наноэлектронике, технологии полупроводниковых материалов и приборов на их основе.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 97909
Автор(ы) : Рабинович О. И., Крутогин Д. Г., Подгорная С. В., Маренкин С. Ф.
Заглавие : Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологий : Учебно-методическое пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2015
Колич.характеристики :89 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микротехнология--нанотехнология--тонкая пленка--химический метод--электроника--эпитаксия
Аннотация: В пособии излагаются теоретические основы технологических процессов роста полупроводниковых материалов и методы контроля в рамках курса «Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологий». Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении лабораторных работ, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98097
Автор(ы) : Рабинович О. И., Крутогин Д. Г., Евсеев В. А.
Заглавие : Основы технологии электронной компонентной базы: моделирование технологических процессов получения тонкопленочных материалов : Учебно-методическое пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2012
Колич.характеристики :81 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-87623-566-4: Б.ц.
УДК : 539
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): компонентная база--модель--технологический процесс--тонкопленочный материал--электроника--эпитаксия
Аннотация: В пособии излагаются теоретические основы технологических процессов роста полупроводниковых материалов и методы контроля в рамках курса «Основы технологии электронной компонентной базы». Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении лабораторных работ, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 98133
Автор(ы) : Кожитов Л. В., Крапухин В. В., Улыбин В. А.
Заглавие : Технология эпитаксиальных слоев и гетерокомпозиций : Учебно-методическое пособие
Выходные данные : Москва: Издательский Дом МИСиС, 2001
Колич.характеристики :157 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Цена : Б.ц.
УДК : 62
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетерокомпозиция--жидкофазная эпитаксия--микроэлектроника--парофазная эпитаксия--твердотельная электроника
Аннотация: Даны краткая история и пути и перспективы развития микроэлектроники, в частности, в области технологии эпитаксиальных гетерокомпозиций. Кратко описаны процессы парофазной эпитаксии химическим осаждением и жидкофазной эпитаксии кремния, соединений ΑIIIΒV и их твердых растворов, применяемого оборудования. Приведены математические модели этих процессов, включающие термодинамический и кинетический блоки. При получении гетерокомпозиций учитываются упругие напряжения и рассматриваются пути их устранения, в частности, создание изопериодных композиций и сверхрешеток. Кроме того, приведены восемь комплексных задач для самостоятельного вычислительного эксперимента при выборе параметров процесса, а также процедура решения задач с использованием разработанного пакета программ на ПЭВМ. Предназначено для студентов, обучающихся по специальности 200100 (направление 654100), а также для научных сотрудников и инженеров-технологов, занимающихся разработкой систем управления и оптимизации технологических процессов.
(для доступа требуется авторизация)

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	0
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)