Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.382<.>)
Общее количество найденных документов : 46
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-46 
1.
IPRBooks-87730
87730

   
    Моделирование конструкций и технологических процессов производства электронных средств [Электронный ресурс] : учебное пособие / Клунникова Ю. В. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 124 с. - ISBN 978-5-9275-2974-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
математическое моделирование -- моделирование конструкции -- регрессионная модель -- схемотехническая модель -- технологическая модель -- технологический процесс -- физико-топологическая модель -- функционально-логическая модель -- электронное средство -- электронное устройство
Аннотация: В учебном пособии излагаются основы моделирования конструкций и технологических процессов производства электронных средств в объеме, предусмотренном стандартом для подготовки магистров по направлению 11.04.03 «Конструирование и технология электронных средств». Пособие рекомендовано для студентов, обучающихся по данному направлению, а также для специалистов в области конструирования электронных средств.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Клунникова, Ю. В.; Малюков, С. П.; Саенко, А. В.; Палий, А. В.
Свободных экз. нет
Найти похожие

2.
IPRBooks-87722
87722

   
    Лазеры в микро- и наноэлектронике [Электронный ресурс] : учебное пособие / Малюков С. П. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 111 с. - ISBN 978-5-9275-3083-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
газовый лазер -- лазер -- лазерное излучение -- лазерное легирование -- лазерное окисление -- лазерный отжиг -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- полупроводниковый лазер -- твердотельный лазер
Аннотация: Учебное пособие содержит обобщение знаний в области лазерных технологий, сведения о физических основах лазерной обработки и её применении в микро- и наноэлектронике. Рассматриваются характеристики и параметры лазерного излучения и особенности различных лазерных технологических процессов, включая моделирование физики воздействия лазерного излучения на основе уравнения теплопроводности. Пособие рекомендовано для подготовки магистров по направлению 11.04.03 «Конструирование и технология электронных средств», а также для специалистов в области лазерных технологий.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Малюков, С. П.; Саенко, А. В.; Клунникова, Ю. В.; Палий, А. В.
Свободных экз. нет
Найти похожие

3.
IPRBooks-87731
87731

    Волощенко, П. Ю.
    Моделирование нелинейных электрических процессов в элементах электронной волновой цепи [Электронный ресурс] : учебное пособие / Волощенко П. Ю. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 116 с. - ISBN 978-5-9275-3038-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
волновая цепь -- моделирование процесса -- нелинейный процесс -- фотоэлектронная эмиссия -- электрический процесс -- электронная цепь -- электронная эмиссия -- электронный прибор -- электростатическая эмиссия -- эффект шоттки
Аннотация: В учебном пособии излагаются вопросы формализации инерционных и амплитудно-зависимых электрических процессов, наблюдаемых при одновременной циркуляции постоянного и переменного тока в сосредоточенных элементах электронной волновой цепи. Необходимость изучения нелинейных эффектов в них вызвана актуальностью создания резистивно-негатронных моделей систем двух-, трех- и многоэлектродных приборов СВЧ с электростатическим управлением. Приведенные схемы и аналитические соотношения позволяют без информационной избыточности и потери части исходных данных прогнозировать электромагнитные явления, например, в микровакуумных и полупроводниковых интегральных схемах гига- и терагерцового диапазонов. Подобное издание обеспечивает реализацию обязательных профессиональных компетенций, сформулированных в федеральных государственных образовательных стандартах подготовки бакалавров и магистров направлений 11.03.04, 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» и 13.03.02, 13.04.02 «Электроэнергетика и электротехника».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Волощенко, Ю. П.
Свободных экз. нет
Найти похожие

4.
IPRBooks-93364
93364

    Акчурин, Р. Х.
    МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники [Электронный ресурс] : учебное пособие / Акчурин Р. Х. - Москва : Техносфера, 2018. - 488 с. - ISBN 978-5-94836-521-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 31.2

Кл.слова (ненормированные):
гидридные источники -- мос-источники -- фотоника -- электроника -- эпитаксия
Аннотация: В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Мармалюк, А. А.
Свободных экз. нет
Найти похожие

5.
IPRBooks-93364
93364

    Акчурин, Р. Х.
    МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники [Электронный ресурс] : учебное пособие / Акчурин Р. Х. - Воронеж : Техносфера, 2018. - 488 с. - ISBN 978-5-94836-521-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 31.2

Кл.слова (ненормированные):
гидридные источники -- мос-источники -- фотоника -- электроника -- эпитаксия
Аннотация: В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Мармалюк, А. А.
Свободных экз. нет
Найти похожие

6.
IPRBooks-87431
87431

    Авдеев, С. П.
    Краткий обзор теории полупроводниковых структур [Электронный ресурс] : учебное пособие / Авдеев С. П. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 118 с. - ISBN 978-5-9275-2721-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.852

Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- выпрямительный диод -- кремниевый транзистор -- полупроводниковая структура -- полупроводниковый материал -- полупроводниковый прибор -- удельная проводимость -- уравнение пуассона -- электронно-дырочный переход
Аннотация: В работе приведены основные теоретические положения в области электрофизического представления полупроводникового материала, рассмотрены явления, протекающие в полупроводниковых структурах, приведены физико-математические соотношения, описывающие работу полупроводниковых приборов. Материал приводится в виде краткого справочного материала для студентов, аспирантов и специалистов, занимающихся проектированием и разработкой технологических процессов полупроводниковых структур. Работа предназначена для инженерных направлений подготовки бакалавров и магистров.

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

7.
IPRBooks-94932
94932

    Шошин, Е. Л.
    Электроника и схемотехника [Электронный ресурс] : учебное пособие для СПО / Шошин Е. Л. - Саратов, Москва : Профобразование, Ай Пи Ар Медиа, 2020. - 125 с. - ISBN 978-5-4488-0840-1, 978-5-4497-0538-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
операционный усилитель -- оптоэлектронный прибор -- полупроводниковый диод -- полупроводниковый прибор -- схемотехника -- транзистор -- электроника
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены теоретические основы электроники и схемотехники, в частности вопросы работы полупроводниковых приборов. Изложены физические явления, протекающие в диодах, транзисторах, силовых и оптоэлектронных приборах, операционных усилителях. Описана система схемотехнического моделирования Micro-Cap. Подготовлено с учетом требований Федерального государственного образовательного стандарта среднего профессионального образования. Предназначено для студентов технических специальностей и профессий, изучающих дисциплины «Основы электроники и схемотехники», «Электротехника и электроника», «Электроника».

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

8.
IPRBooks-99110
99110

    Михайлов, В. С.
    Интегральные оценки в теории надежности. Введение и основные результаты [Электронный ресурс] / Михайлов В. С. - Москва : Техносфера, 2020. - 152 с. - ISBN 978-5-94836-598-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 30.14

Кл.слова (ненормированные):
байесовский подход -- биномиальный план -- интегральные оценки -- минимаксный подход -- теория надежности
Аннотация: Целью настоящей работы является ознакомление широкого круга читателей с основными результатами получения эффективных по смещению оценок, чья эффективность доказана (или выбрана в качестве таковой на основе интегрального оценивания) на достаточно широком классе оценок. Монография предназначена прежде всего для инженеров, аспирантов и студентов старших курсов технических специальностей.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Юрков, Н. К.
Свободных экз. нет
Найти похожие

9.
IPRBooks-94003
94003

    Шошин, Е. Л.
    Электроника. Полупроводниковые приборы [Электронный ресурс] : учебное пособие / Шошин Е. Л. - Москва : Ай Пи Ар Медиа, 2020. - 282 с. - ISBN 978-5-4497-0508-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.853

Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- операционный усилитель -- оптоэлектронный прибор -- полевой транзистор -- полупроводниковый диод -- полупроводниковый прибор -- электроника
Аннотация: Учебное пособие содержит изложение теоретических основ работы полупроводниковых приборов. Рассмотрены физические явления, протекающие в диодах, транзисторах, силовых и оптоэлектронных приборах, операционных усилителях. Приведены эквивалентные схемы и описание P-Spice моделей полупроводниковых приборов. Издание включает также описание цикла лабораторных работ по исследованию параметров и характеристик полупроводниковых приборов в системе схемотехнического моделирования Micro-Cap. Подготовлено с учетом требований Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Предназначено для студентов технических направлений подготовки всех форм обучения, изучающих дисциплины «Электроника», «Электротехника и электроника», «Электротехника, электроника и схемотехника».

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

10.
IPRBooks-87708
87708

    Иванова, И. Н.
    Высокостабильные генераторы СВЧ [Электронный ресурс] : учебное пособие / Иванова И. Н. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 102 с. - ISBN 978-5-9275-2956-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
высокостабильный генератор -- генератор свч -- диод ганна -- диодный генератор -- кварцевый резонатор -- опорный генератор -- пав-генератор -- пав-резонатор -- свч-генератор
Аннотация: Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению подготовки 03.03.03 - Радиофизика, и содержит теоретические основы и рекомендации по выполнению лабораторных работ по изучению принципа действия, параметров и характеристик высокостабильных генераторов СВЧ, а также их практического применения.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Махно, В. В.; Нойкин, Ю. М.; Лерера, А. М. \ред.\
Свободных экз. нет
Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-46 
 
Статистика
за 28.06.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)