Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Картотека журнальных статей
Систематический имидж-каталог
Авторефераты диссертаций
Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ
ЭБС IPRBooks
ЭБС Консультант студента
ЭБС Юрайт
Диссертации, защищенные в СПХФУ
Журнальный фонд СПХФУ
Библиотечный фонд техникума
ВКР
Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.382<.>)
Общее количество найденных документов : 46
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-46 
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 87730
Автор(ы) : Клунникова Ю. В., Малюков С. П., Саенко А. В., Палий А. В.
Заглавие : Моделирование конструкций и технологических процессов производства электронных средств : Учебное пособие
Выходные данные : Ростов-на-Дону, Таганрог: Издательство Южного федерального университета, 2018
Колич.характеристики :124 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-9275-2974-2: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): математическое моделирование--моделирование конструкции--регрессионная модель--схемотехническая модель--технологическая модель--технологический процесс--физико-топологическая модель--функционально-логическая модель--электронное средство--электронное устройство
Аннотация: В учебном пособии излагаются основы моделирования конструкций и технологических процессов производства электронных средств в объеме, предусмотренном стандартом для подготовки магистров по направлению 11.04.03 «Конструирование и технология электронных средств». Пособие рекомендовано для студентов, обучающихся по данному направлению, а также для специалистов в области конструирования электронных средств.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 87722
Автор(ы) : Малюков С. П., Саенко А. В., Клунникова Ю. В., Палий А. В.
Заглавие : Лазеры в микро- и наноэлектронике : Учебное пособие
Выходные данные : Ростов-на-Дону, Таганрог: Издательство Южного федерального университета, 2018
Колич.характеристики :111 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-9275-3083-0: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): газовый лазер--лазер--лазерное излучение--лазерное легирование--лазерное окисление--лазерный отжиг--микроэлектроника--наноэлектроника--полупроводниковый лазер--твердотельный лазер
Аннотация: Учебное пособие содержит обобщение знаний в области лазерных технологий, сведения о физических основах лазерной обработки и её применении в микро- и наноэлектронике. Рассматриваются характеристики и параметры лазерного излучения и особенности различных лазерных технологических процессов, включая моделирование физики воздействия лазерного излучения на основе уравнения теплопроводности. Пособие рекомендовано для подготовки магистров по направлению 11.04.03 «Конструирование и технология электронных средств», а также для специалистов в области лазерных технологий.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 87731
Автор(ы) : Волощенко П. Ю., Волощенко Ю. П.
Заглавие : Моделирование нелинейных электрических процессов в элементах электронной волновой цепи : Учебное пособие
Выходные данные : Ростов-на-Дону, Таганрог: Издательство Южного федерального университета, 2018
Колич.характеристики :116 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-9275-3038-0: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): волновая цепь--моделирование процесса--нелинейный процесс--фотоэлектронная эмиссия--электрический процесс--электронная цепь--электронная эмиссия--электронный прибор--электростатическая эмиссия--эффект шоттки
Аннотация: В учебном пособии излагаются вопросы формализации инерционных и амплитудно-зависимых электрических процессов, наблюдаемых при одновременной циркуляции постоянного и переменного тока в сосредоточенных элементах электронной волновой цепи. Необходимость изучения нелинейных эффектов в них вызвана актуальностью создания резистивно-негатронных моделей систем двух-, трех- и многоэлектродных приборов СВЧ с электростатическим управлением. Приведенные схемы и аналитические соотношения позволяют без информационной избыточности и потери части исходных данных прогнозировать электромагнитные явления, например, в микровакуумных и полупроводниковых интегральных схемах гига- и терагерцового диапазонов. Подобное издание обеспечивает реализацию обязательных профессиональных компетенций, сформулированных в федеральных государственных образовательных стандартах подготовки бакалавров и магистров направлений 11.03.04, 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» и 13.03.02, 13.04.02 «Электроэнергетика и электротехника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 93364
Автор(ы) : Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А.
Заглавие : МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Выходные данные : Москва: Техносфера, 2018
Колич.характеристики :488 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-94836-521-3: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 31.2
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гидридные источники--мос-источники--фотоника--электроника--эпитаксия
Аннотация: В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 93364
Автор(ы) : Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А.
Заглавие : МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Выходные данные : Воронеж: Техносфера, 2018
Колич.характеристики :488 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-94836-521-3: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 31.2
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гидридные источники--мос-источники--фотоника--электроника--эпитаксия
Аннотация: В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 87431
Автор(ы) : Авдеев С. П.
Заглавие : Краткий обзор теории полупроводниковых структур : Учебное пособие
Выходные данные : Ростов-на-Дону, Таганрог: Издательство Южного федерального университета, 2018
Колич.характеристики :118 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-9275-2721-2: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--выпрямительный диод--кремниевый транзистор--полупроводниковая структура--полупроводниковый материал--полупроводниковый прибор--удельная проводимость--уравнение пуассона--электронно-дырочный переход
Аннотация: В работе приведены основные теоретические положения в области электрофизического представления полупроводникового материала, рассмотрены явления, протекающие в полупроводниковых структурах, приведены физико-математические соотношения, описывающие работу полупроводниковых приборов. Материал приводится в виде краткого справочного материала для студентов, аспирантов и специалистов, занимающихся проектированием и разработкой технологических процессов полупроводниковых структур. Работа предназначена для инженерных направлений подготовки бакалавров и магистров.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 94932
Автор(ы) : Шошин Е. Л.
Заглавие : Электроника и схемотехника : Учебное пособие для СПО
Выходные данные : Саратов, Москва: Профобразование, Ай Пи Ар Медиа, 2020
Колич.характеристики :125 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-4488-0840-1, 978-5-4497-0538-9: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): операционный усилитель--оптоэлектронный прибор--полупроводниковый диод--полупроводниковый прибор--схемотехника--транзистор--электроника
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены теоретические основы электроники и схемотехники, в частности вопросы работы полупроводниковых приборов. Изложены физические явления, протекающие в диодах, транзисторах, силовых и оптоэлектронных приборах, операционных усилителях. Описана система схемотехнического моделирования Micro-Cap. Подготовлено с учетом требований Федерального государственного образовательного стандарта среднего профессионального образования. Предназначено для студентов технических специальностей и профессий, изучающих дисциплины «Основы электроники и схемотехники», «Электротехника и электроника», «Электроника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 99110
Автор(ы) : Михайлов В. С., Юрков Н. К.
Заглавие : Интегральные оценки в теории надежности. Введение и основные результаты
Выходные данные : Москва: Техносфера, 2020
Колич.характеристики :152 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-94836-598-5: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 30.14
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): байесовский подход--биномиальный план--интегральные оценки--минимаксный подход--теория надежности
Аннотация: Целью настоящей работы является ознакомление широкого круга читателей с основными результатами получения эффективных по смещению оценок, чья эффективность доказана (или выбрана в качестве таковой на основе интегрального оценивания) на достаточно широком классе оценок. Монография предназначена прежде всего для инженеров, аспирантов и студентов старших курсов технических специальностей.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 94003
Автор(ы) : Шошин Е. Л.
Заглавие : Электроника. Полупроводниковые приборы : Учебное пособие
Выходные данные : Москва: Ай Пи Ар Медиа, 2020
Колич.характеристики :282 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-4497-0508-2: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.853
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярный транзистор--операционный усилитель--оптоэлектронный прибор--полевой транзистор--полупроводниковый диод--полупроводниковый прибор--электроника
Аннотация: Учебное пособие содержит изложение теоретических основ работы полупроводниковых приборов. Рассмотрены физические явления, протекающие в диодах, транзисторах, силовых и оптоэлектронных приборах, операционных усилителях. Приведены эквивалентные схемы и описание P-Spice моделей полупроводниковых приборов. Издание включает также описание цикла лабораторных работ по исследованию параметров и характеристик полупроводниковых приборов в системе схемотехнического моделирования Micro-Cap. Подготовлено с учетом требований Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Предназначено для студентов технических направлений подготовки всех форм обучения, изучающих дисциплины «Электроника», «Электротехника и электроника», «Электротехника, электроника и схемотехника».
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 87708
Автор(ы) : Иванова И. Н., Махно В. В., Нойкин Ю. М.
Заглавие : Высокостабильные генераторы СВЧ : Учебное пособие
Выходные данные : Ростов-на-Дону, Таганрог: Издательство Южного федерального университета, 2018
Колич.характеристики :102 с
Примечания : Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
ISBN, Цена 978-5-9275-2956-8: Б.ц.
УДК : 621.382
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): высокостабильный генератор--генератор свч--диод ганна--диодный генератор--кварцевый резонатор--опорный генератор--пав-генератор--пав-резонатор--свч-генератор
Аннотация: Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению подготовки 03.03.03 - Радиофизика, и содержит теоретические основы и рекомендации по выполнению лабораторных работ по изучению принципа действия, параметров и характеристик высокостабильных генераторов СВЧ, а также их практического применения.
(для доступа требуется авторизация)

Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-46 
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика обращений
Статистика
за 30.06.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)