Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=биполярный прибор<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
IPRBooks-56589
56589

    Кольцов, Г. И.
    Физика полупроводниковых приборов. Расчет параметров биполярных приборов [Электронный ресурс] : сборник задач / Кольцов Г. И. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2012. - 78 с. - ISBN 978-5-87623-533-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
биполярный прибор -- полупроводниковый прибор -- физика
Аннотация: Сборник задач содержит ряд указаний по расчету параметров полупроводниковых материалов и приборов, а также примеры решения задач и необходимые теоретические сведения. Предназначен для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника», изучающих дисциплину «Физические основы электроники».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Диденко, С. И.; Орлова, М. Н.
Свободных экз. нет
Найти похожие

2.
IPRBooks-98100
98100

    Таперо, К. И.
    Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: основы радиационной стойкости изделий электронной техники [Электронный ресурс] : курс лекций / Таперо К. И. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2011. - 252 с. - ISBN 978-5-87623-415-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
биполярный прибор -- интегральная схема -- ионизирующее излучение -- космическое пространство -- полупроводник -- радиация -- электронная техника
Аннотация: В курсе лекций по дисциплине «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения» рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства; численное моделирование радиационных эффектов в кремниевых приборах при воздействии ионизирующего излучения космического пространства. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» и по специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника».

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

 
Статистика
за 03.06.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)