Фундаментальная библиотека ФГБОУ ВО СПХФУ Минздрава России

Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Главная

ИРБИС64+

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Картотека журнальных статей

Систематический имидж-каталог

Авторефераты диссертаций

Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ

ЭБС IPRBooks

ЭБС Консультант студента

ЭБС Юрайт

Диссертации, защищенные в СПХФУ

Журнальный фонд СПХФУ

Библиотечный фонд техникума

ВКР

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>K=многокомпонентная гетероструктура<.>)

Общее количество найденных документов : 1

IPRBooks-62929

62929

Сысоев, И. А.
Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону [Электронный ресурс] : монография / Сысоев И. А. - Ставрополь : Северо-Кавказский федеральный университет, 2015. - 97 с. - ISBN 978-5-9296-0785-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

539.21

ББК 22.36

Кл.слова (ненормированные):
газовая фаза -- градиентная эпитаксия -- массоперенос -- микроструктура -- многокомпонентная гетероструктура -- наноструктура -- свойство гетероструктуры -- твердый раствор -- термодинамический анализ -- тонкая зона
Аннотация: В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, аспирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой.

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Лунин, Л. С.
Свободных экз. нет
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 03.06.2024
Число запросов	0
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)