Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Картотека журнальных статей
Систематический имидж-каталог
Авторефераты диссертаций
Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ
ЭБС IPRBooks
ЭБС Консультант студента
ЭБС Юрайт
Диссертации, защищенные в СПХФУ
Журнальный фонд СПХФУ
Библиотечный фонд техникума
ВКР
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=эпитаксия<.>)
Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10
1.
IPRBooks-62929
62929

    Сысоев, И. А.
    Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону [Электронный ресурс] : монография / Сысоев И. А. - Ставрополь : Северо-Кавказский федеральный университет, 2015. - 97 с. - ISBN 978-5-9296-0785-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
539.21
ББК 22.36

Кл.слова (ненормированные):
газовая фаза -- градиентная эпитаксия -- массоперенос -- микроструктура -- многокомпонентная гетероструктура -- наноструктура -- свойство гетероструктуры -- твердый раствор -- термодинамический анализ -- тонкая зона
Аннотация: В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, аспирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Лунин, Л. С.
Свободных экз. нет
Найти похожие
2.
IPRBooks-63495
63495

    Евсеева, Т. П.
    Технология материалов и покрытий. Тексты лекций (часть I) [Электронный ресурс] : учебное пособие / Евсеева Т. П. - Казань : Казанский национальный исследовательский технологический университет, 2011. - 131 с. - ISBN 978-5-7882-1140-4 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
66
ББК 30.3

Кл.слова (ненормированные):
кристаллизация -- литьевая технология -- материал -- покрытие -- сплав -- эпитаксия
Аннотация: В учебном пособии представлены тексты лекций по курсу технологии материалов и покрытий. В пособии излагаются основы литьевой технологии, кристаллизационных процессов, методов размерной обработке материалов и нанесения покрытий. В лекциях значительное внимание уделено современным технологиям литьевой переработки энергонасыщенных материалов и формированию изделий из них. Предназначено для студентов, обучающихся по специальностям 150601 и 150502, может быть полезно при выполнении курсовой работы по дисциплине.

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие
3.
IPRBooks-56129
56129

    Кузнецов, Г. Д.
    Технология материалов электронной техники. Атомно-молекулярные процессы кристаллизации [Электронный ресурс] : учебно-методическое пособие / Кузнецов Г. Д. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2006. - 99 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
62
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
кристаллизация -- электронная техника -- эпитаксия
Аннотация: Рассматриваются теоретические вопросы процессов роста объемных монокристаллов и пленок на атомно-молекулярном уровне. Анализируются существующие представления о механизме формирования кристалла с учетом начальных стадий его зарождения. Обсуждаются и анализируются особенности кристаллизации при различной движущей силе процесса. Описаны особенности молекулярно-лучевой эпитаксии. По большинству рассматриваемых разделов приводятся примеры расчетов параметров процесса кристаллизации. Для студентов обучающихся по направлениям 210100 «Электроника и микроэлектроника», 658300 «Нанотехнология», 150702 «Физика металлов» и специальностям 210104 «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и 202100 «Нанотехнология в электронике».

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие
4.
IPRBooks-93364
93364

    Акчурин, Р. Х.
    МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники [Электронный ресурс] : учебное пособие / Акчурин Р. Х. - Воронеж : Техносфера, 2018. - 488 с. - ISBN 978-5-94836-521-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
621.382
ББК 31.2

Кл.слова (ненормированные):
гидридные источники -- мос-источники -- фотоника -- электроника -- эпитаксия
Аннотация: В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Мармалюк, А. А.
Свободных экз. нет
Найти похожие
5.
IPRBooks-93364
93364

    Акчурин, Р. Х.
    МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники [Электронный ресурс] : учебное пособие / Акчурин Р. Х. - Москва : Техносфера, 2018. - 488 с. - ISBN 978-5-94836-521-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
621.382
ББК 31.2

Кл.слова (ненормированные):
гидридные источники -- мос-источники -- фотоника -- электроника -- эпитаксия
Аннотация: В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Мармалюк, А. А.
Свободных экз. нет
Найти похожие
6.
IPRBooks-98084
98084

    Курочка, С. П.
    Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций [Электронный ресурс] : учебное пособие / Курочка С. П. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2015. - 82 с. - ISBN 978-5-87623-940-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
62
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
нанолитография -- наноразмерная гетероструктура -- нанотехнология -- одноэлектронный транзистор -- полевой транзистор -- электроника
Аннотация: В результате анализа условий проявления квантово-размерных эффектов, возникающих в многослойных тонкопленочных структурах, уточнены требования к технологическим процессам формирования наноструктурированных гетерокомпозиций. Анализируются как базовые традиционные методы формирования с применением нанолитографии – молекулярно-лучевая эпитаксия и газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, так и специфические – зондовая нанотехнология и самоорганизация упорядоченных наноструктур на полупроводниковых подложках. В качестве практического применения наноструктурированных гетерокомпозиций рассмотрены конструкция и принцип работы полевого транзистора с высокой подвижностью носителей и одноэлектронный транзистор. Предназначено для магистрантов, обучающихся по направлениям 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника», 28.04.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Сергиенко, А. А.
Свободных экз. нет
Найти похожие
7.
IPRBooks-98922
98922

    Ковалев, А. Н.
    Физика и технология наноструктурных гетерокомпозиций [Электронный ресурс] : учебник / Ковалев А. Н. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2015. - 460 с. - ISBN 978-5-87623-941-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
62
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
наногетероструктура -- наноэлектроника -- оптоэлектроника -- полупроводник -- транзистор -- физика -- фотодиод
Аннотация: Учебник содержит всестороннее изложение базовых элементов физики полупроводников, объемное изложение и анализ современных технологий выращивания полупроводниковых материалов, учитывающих квантово-размерные эффекты (метод молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, метод Фольмера–Вебера–Странского, Бартона–Кабреры–Ван дер Мерве). Рассмотрены современные многокомпонентные наногетероструктуры, в том числе нитридные, фосфидные и арсенидные материалы. Представлен и проанализирован широкий спектр приборов опто- и наноэлектроники. Приведены рабочие характеристики всех видов транзисторов, фотодиодов, солнечных элементов, светоизлучающих диодов и лазеров, механизмы их деградации и принципы спинтроники на основе нитридов. Учебник предназначен для бакалавров, магистров, инженеров, обучающихся по специальностям 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная электроника», 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», 15.03.04 «Автоматизация технологических процессов и производств», 11.03.01 «Радиотехника», 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи». Представляет интерес для широкого круга читателей, специализирующихся в опто- и наноэлектронике, технологии полупроводниковых материалов и приборов на их основе.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Рабинович, О. И.; Тимошина, М. И.
Свободных экз. нет
Найти похожие
8.
IPRBooks-97909
97909

   
    Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологий [Электронный ресурс] : учебно-методическое пособие / Рабинович О. И. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2015. - 89 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
62
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
микротехнология -- нанотехнология -- тонкая пленка -- химический метод -- электроника -- эпитаксия
Аннотация: В пособии излагаются теоретические основы технологических процессов роста полупроводниковых материалов и методы контроля в рамках курса «Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологий». Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении лабораторных работ, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Рабинович, О. И.; Крутогин, Д. Г.; Подгорная, С. В.; Маренкин, С. Ф.
Свободных экз. нет
Найти похожие
9.
IPRBooks-98097
98097

    Рабинович, О. И.
    Основы технологии электронной компонентной базы: моделирование технологических процессов получения тонкопленочных материалов [Электронный ресурс] : учебно-методическое пособие / Рабинович О. И. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2012. - 81 с. - ISBN 978-5-87623-566-4 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
539
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
компонентная база -- модель -- технологический процесс -- тонкопленочный материал -- электроника -- эпитаксия
Аннотация: В пособии излагаются теоретические основы технологических процессов роста полупроводниковых материалов и методы контроля в рамках курса «Основы технологии электронной компонентной базы». Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении лабораторных работ, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Крутогин, Д. Г.; Евсеев, В. А.
Свободных экз. нет
Найти похожие
10.
IPRBooks-98133
98133

    Кожитов, Л. В.
    Технология эпитаксиальных слоев и гетерокомпозиций [Электронный ресурс] : учебно-методическое пособие / Кожитов Л. В. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2001. - 157 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
62
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
гетерокомпозиция -- жидкофазная эпитаксия -- микроэлектроника -- парофазная эпитаксия -- твердотельная электроника
Аннотация: Даны краткая история и пути и перспективы развития микроэлектроники, в частности, в области технологии эпитаксиальных гетерокомпозиций. Кратко описаны процессы парофазной эпитаксии химическим осаждением и жидкофазной эпитаксии кремния, соединений ΑIIIΒV и их твердых растворов, применяемого оборудования. Приведены математические модели этих процессов, включающие термодинамический и кинетический блоки. При получении гетерокомпозиций учитываются упругие напряжения и рассматриваются пути их устранения, в частности, создание изопериодных композиций и сверхрешеток. Кроме того, приведены восемь комплексных задач для самостоятельного вычислительного эксперимента при выборе параметров процесса, а также процедура решения задач с использованием разработанного пакета программ на ПЭВМ. Предназначено для студентов, обучающихся по специальности 200100 (направление 654100), а также для научных сотрудников и инженеров-технологов, занимающихся разработкой систем управления и оптимизации технологических процессов.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Крапухин, В. В.; Улыбин, В. А.
Свободных экз. нет
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика обращений
Статистика
за 26.06.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)