Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=неупорядоченный полупроводник<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
IPRBooks-79688
79688

    Вихров, С. П.
    Физические процессы в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников [Электронный ресурс] : учебное пособие / Вихров С. П. - Саратов : Вузовское образование, 2019. - 75 с. - ISBN 978-5-4487-0364-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
барьерный слой -- локализованное состояние -- неупорядоченный полупроводник -- электроника
Аннотация: В учебном пособии изложены вопросы, связанные с особенностями энергетического спектра\nплотности состояний в неупорядоченных полупроводниках и их влиянием на физические процессы формирования потенциального рельефа в контактных слоях и образования потенциальных барьеров в активных элементах электроники. Предназначено для студентов и аспирантов инженерно-технических специальностей и направлений подготовки высшего образования.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Вишняков, Н. В.; Мишустин, В. Г.
Свободных экз. нет
Найти похожие

2.
IPRBooks-20682
20682

    Авачёва, Т. Г.
    Процессы самоорганизации в неупорядоченных материалах [Электронный ресурс] : учебное пособие / Авачёва Т. Г. - Саратов : Вузовское образование, 2007. - 54 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
вложение такенса -- неупорядоченный полупроводник -- самоорганизация
Аннотация: Изложены теоретические аспекты процессов самоорганизации применительно к технологиям неупорядоченных материалов. Описана методика исследования порядка в структуре поверхности полупроводников, обусловленного особенностями структурообразования. Предназначено для студентов направления 210100 «Электроника и микроэлектроника» и для аспирантов специальности 01.04.10.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Бодягин, Н. В.; Вихров, С. П.; Мурсалов, С. М.
Свободных экз. нет
Найти похожие

 
Статистика
за 29.06.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)