Фундаментальная библиотека ФГБОУ ВО СПХФУ Минздрава России

Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Главная

ИРБИС64+

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Картотека журнальных статей

Систематический имидж-каталог

Авторефераты диссертаций

Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ

ЭБС IPRBooks

ЭБС Консультант студента

ЭБС Юрайт

Диссертации, защищенные в СПХФУ

Журнальный фонд СПХФУ

Библиотечный фонд техникума

ВКР

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полупроводниковое устройство<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

IPRBooks-45076

45076

Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 [Электронный ресурс] : учебное пособие. - [Б. м.] : Новосибирский государственный технический университет, 2011 - .Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 / Данилов В. С. - 2011. - 79 с. - ISBN 978-5-7782-1618-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

621.382

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
анализ процессов -- полупроводниковое устройство -- полевой СВЧ-транзистор -- барьер Шоттки
Аннотация: В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-45075

45075

Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 3 [Электронный ресурс] : учебное пособие. - [Б. м.] : Новосибирский государственный технический университет, 2009 - .Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 3 / Данилов В. С. - 2009. - 80 с. - ISBN 978-5-7782-1284-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

621.382

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
анализ процесса -- полупроводниковое устройство -- анализ тока
Аннотация: В третьей части учебного пособия рассмотрены наиболее важные процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Адресовано студентам, специализирующимся в области создания полупроводниковых устройств.

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 30.06.2024
Число запросов	0
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)