Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=фотодиод<.>)
Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8
1.
IPRBooks-66503
66503

    Курашова, С. А.
    Квантовая оптика [Электронный ресурс] : методические рекомендации по выполнению лабораторных работ / Курашова С. А. - Санкт-Петербург : Университет ИТМО, 2016. - 74 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 22.3

Кл.слова (ненормированные):
интегральный коэффициент -- квантовая оптика -- потенциал -- температура -- фотодиод -- фотоэффект -- электрон
Аннотация: Пособие содержит методические рекомендации к выполнению лабораторных работ и теоретические сведения, необходимые для объяснения результатов эксперимента. При подготовке данного пособия использованы материалы научно-исследовательской лаборатории (НИЛ) техники эксперимента Новосибирского государственного технического университета. Для выполнения лабораторных работ используются установки, разработанные НИЛ техники эксперимента Новосибирского государственного технического университета, производства OOO «Опытные приборы».

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

2.
IPRBooks-49392
49392

    Матвеев, Б. А.
    Широкополосные средневолновые инфракрасные фотодиоды на основе твердых растворов А III B V [Электронный ресурс] : монография / Матвеев Б. А. - Москва, Саратов : Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Ай Пи Эр Медиа, 2016. - 116 с. - ISBN 978-5-7262-2211-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 38.85

Кл.слова (ненормированные):
физика -- фотодиод -- фототок
Аннотация: Проведен обзор материалов, структур и конструкций, применяемых при изготовлении средневолновых инфракрасных фотодиодов. Рассмотрены основные свойства и особенности протекания тока в диодах с контактами ограниченной площади и распределение плотности фототока в инфракрасных фотодиодах. На примере фотодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP/InAs(Sb), рассмотрено влияние неравномерности распределения плотности тока на основные характеристики фотодиодов. Для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики полупроводников, а также может быть полезна преподавателям, аспирантам, магистрантам и студентам инженерно-физических специальностей.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Ратушный, В. И.; Рыбальченко, А. Ю.
Свободных экз. нет
Найти похожие

3.
IPRBooks-56102
56102

    Юрчук, С. Ю.
    Полупроводниковые оптоэлектронные приборы [Электронный ресурс] : лабораторный практикум / Юрчук С. Ю. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2006. - 63 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.86

Кл.слова (ненормированные):
оптоэлектронный прибор -- оптрон -- фотодиод -- фототранзистор
Аннотация: Лабораторный практикум включает описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Представлены схемы измерения и методики расчета основных параметров и характеристик оптоэлектронных приборов. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам «Физика твердого тела», «Физика полупроводниковых приборов», «Квантовая и оптическая электроника». Предназначен для студентов специальности 210104 (2001) «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов»).

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Диденко, С. И.; Кольцов, Г. И.
Свободных экз. нет
Найти похожие

4.
IPRBooks-91003
91003

    Ковалев, А. А.
    Исследования характеристик базовых электрорадиоэлементов. Ч.1. Радиолампы, диоды и фотоэлементы [Электронный ресурс] : учебное пособие / Ковалев А. А. - Москва : Российский университет дружбы народов, 2018. - 120 с. - ISBN 978-5-209-08468-6 (ч.1), 978-5-209-08466-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.84

Кл.слова (ненормированные):
базовый электрорадиоэлемент -- выпрямительный диод -- исследование характеристики -- кремниевый стабилитрон -- полупроводниковый диод -- радиолампа -- термоэлектронная эмиссия -- фотодиод -- фоторезистор -- фотоэлемент
Аннотация: В учебном пособии представлены лабораторные работы, посвященные исследованию характеристик таких электрорадиоэлементов, как радиолампа, выпрямительный диод, стабилитрон, фоторезистор и фотодиод, необходимых студентам для проектирования радиоэлектронных устройств. Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки «Наноинженерия», «Конструирование и технология электронных средств», «Электроника и наноэлектроника», специальности «Радиоэлектронные системы и комплексы» и другим направлениям подготовки и специальностям по радиоэлектронике, а также специализации «Проектирование и технология радиоэлектронных систем и комплексов» и профилю подготовки «Проектирование электронных приборов и робототехнических комплексов».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Тищенко, Л. А.
Свободных экз. нет
Найти похожие

5.
IPRBooks-98121
98121

   
    Проектирование и технология электронной компонентной базы: полупроводниковые приемники излучений [Электронный ресурс] : курс лекций / Леготин С. А. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2018. - 188 с. - ISBN 978-5-906953-50-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
ионизирующее излучение -- матричный приемник -- полупроводник -- фотодиод -- фоторезистор -- электроника
Аннотация: Методологически дисциплина построена на основе оптимального соотношения теоретических и прикладных вопросов проектирования полупроводниковых матричных приемников излучений. Теоретические основы изложены так, чтобы показать основные физические процессы, происходящие в элементах интегральной микросхемы матричного приемника излучений. Прикладные вопросы ориентируют слушателей на решение типовых задач проектирования технологии, конструкции и схемотехники оптических матричных интегральных микросхем. Этот курс дает недостающую информацию для инженеров и физиков, которые хотят больше узнать об интегрированных оптоэлектронных схемах, реализуемых по кремниевой технологии, и предназначен быть связующим звеном между микроэлектроникой и оптоэлектроникой. Курс лекций предназначен для студентов, обучающихся по укрупненной группе специальностей 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи» и специалистов, работающих на предприятиях в сфере оптоэлектроники.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Леготин, С. А.; Краснов, А. А.; Ельников, Д. С.; Мурашев, В. Н.; Диденко, С. И.; Таперо, К. И.; Коновалов, М. П.
Свободных экз. нет
Найти похожие

6.
IPRBooks-98922
98922

    Ковалев, А. Н.
    Физика и технология наноструктурных гетерокомпозиций [Электронный ресурс] : учебник / Ковалев А. Н. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2015. - 460 с. - ISBN 978-5-87623-941-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
наногетероструктура -- наноэлектроника -- оптоэлектроника -- полупроводник -- транзистор -- физика -- фотодиод
Аннотация: Учебник содержит всестороннее изложение базовых элементов физики полупроводников, объемное изложение и анализ современных технологий выращивания полупроводниковых материалов, учитывающих квантово-размерные эффекты (метод молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, метод Фольмера–Вебера–Странского, Бартона–Кабреры–Ван дер Мерве). Рассмотрены современные многокомпонентные наногетероструктуры, в том числе нитридные, фосфидные и арсенидные материалы. Представлен и проанализирован широкий спектр приборов опто- и наноэлектроники. Приведены рабочие характеристики всех видов транзисторов, фотодиодов, солнечных элементов, светоизлучающих диодов и лазеров, механизмы их деградации и принципы спинтроники на основе нитридов. Учебник предназначен для бакалавров, магистров, инженеров, обучающихся по специальностям 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная электроника», 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», 15.03.04 «Автоматизация технологических процессов и производств», 11.03.01 «Радиотехника», 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи». Представляет интерес для широкого круга читателей, специализирующихся в опто- и наноэлектронике, технологии полупроводниковых материалов и приборов на их основе.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Рабинович, О. И.; Тимошина, М. И.
Свободных экз. нет
Найти похожие

7.
IPRBooks-98118
98118

   
    Полупроводниковые оптоэлектронные приборы [Электронный ресурс] : курс лекций / Юрчук С. Ю. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2004. - 112 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
оптоэлектронный прибор -- оптрон -- полупроводник -- фотодиод -- фотоприемник -- фоторезистор -- фототранзистор
Аннотация: Приведено описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Рассмотрены параметры и характеристики оптоэлектронных приборов. Дана классификация как самих приборов, так и их параметров. Курс лекций «Полупроводниковые оптоэлектронные приборы» предназначен для студентов специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов») направлений 550700, 654100 «Электроника и микроэлектроника».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Юрчук, С. Ю.; Диденко, С. И.; Кольцов, Г. И.; Мартынов, В. Н.
Свободных экз. нет
Найти похожие

8.
IPRBooks-98115
98115

    Кузнецов, Г. Д.
    Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике [Электронный ресурс] : лабораторный практикум / Кузнецов Г. Д. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2002. - 41 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктура -- излучающий диод -- оптоэлектроника -- светодиод -- светофильтр -- фотодиод
Аннотация: Практикум состоит из пяти лабораторных работ, выполнение которых позволит получить достаточно полное представление о свойствах гетероструктур, используемых в оптоэлектронике. В каждом описании к лабораторной работе дается краткое рассмотрение теории и технологии изготовления гетероструктур, что закрепляет знания студентов, полученные в лекционных курсах. Настоящий лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по направлению 550700 для изучения курсов «Основы высоких технологий», «Физико-химические основы многослойных гетероструктур», «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Сушков, В. П.; Ованесов, А. Е.
Свободных экз. нет
Найти похожие

 
Статистика
за 27.06.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)