Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Главная ИРБИС64+ Упрощенный режим Описание
Авторизация
Логин
Пароль
 

Базы данных


ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Данилов, В. С.$<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.
IPRBooks-45076
45076

    Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 [Электронный ресурс] : учебное пособие. - [Б. м.] : Новосибирский государственный технический университет, 2011 - .Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 / Данилов В. С. - 2011. - 79 с. - ISBN 978-5-7782-1618-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
анализ процессов -- полупроводниковое устройство -- полевой СВЧ-транзистор -- барьер Шоттки
Аннотация: В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
Свободных экз. нет
Найти похожие

2.
IPRBooks-45075
45075

    Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 3 [Электронный ресурс] : учебное пособие. - [Б. м.] : Новосибирский государственный технический университет, 2009 - .Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 3 / Данилов В. С. - 2009. - 80 с. - ISBN 978-5-7782-1284-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
анализ процесса -- полупроводниковое устройство -- анализ тока
Аннотация: В третьей части учебного пособия рассмотрены наиболее важные процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Адресовано студентам, специализирующимся в области создания полупроводниковых устройств.

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

3.
IPRBooks-91724
91724

    Данилов, В. С.
    Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов [Электронный ресурс] : учебное пособие / Данилов В. С. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. - 418 с. - ISBN 978-5-7782-3369-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- барьер шоттки -- биполярный транзистор -- гетероструктурный транзистор -- моп-транзитор -- полевой свч-транзистор -- полупроводниковый элемент -- тепловое равновесие -- уравнение непрерывности -- уравнение пуассона
Аннотация: В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
Свободных экз. нет
Найти похожие

 
Статистика
за 29.06.2024
Число запросов 0
Число посетителей 0
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)