Фундаментальная библиотека ФГБОУ ВО СПХФУ Минздрава России

Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Главная

ИРБИС64+

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Картотека журнальных статей

Систематический имидж-каталог

Авторефераты диссертаций

Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ

ЭБС IPRBooks

ЭБС Консультант студента

ЭБС Юрайт

Диссертации, защищенные в СПХФУ

Журнальный фонд СПХФУ

Библиотечный фонд техникума

ВКР

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Смирнов, К. В.$<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

IPRBooks-70150

70150

Корнеев, А. А.
Спонтанные и фотоиндуцированные резистивные состояния в узких сверхпроводящих NbN полосках [Электронный ресурс] : монография / Корнеев А. А. - Москва : Московский педагогический государственный университет, 2015. - 108 с. - ISBN 978-5-4263-0269-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

535

ББК 22.3

Кл.слова (ненормированные):
детектор -- пленка -- сверхпроводник -- физика -- фотоника
Аннотация: Монография посвящена актуальной проблеме современной фотоники: разработке высокочувствительных и быстродействующих сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе тонкой пленки NbN. В работе исследуются неравновесные процессы, протекающие в тонкой сверхпроводящей пленке после поглощения инфракрасного фотона и приводящие к возникновению резистивного состояния. На этих процессах основан механизм фотоотклика исследуемого в работе однофотонного детектора. В частности, исследуются зависимости квантовой эффективности и скорости темнового счета от геометрических параметров детектора: толщины пленки, ширины полоски, а также от величины транспортного тока детектора. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики.

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Окунев, О. В.; Чулкова, Г. М.; Смирнов, К. В.; Милостная, И. И.; Минаева, О. В.; Корнеева, Ю. П.; Каурова, Н. С.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н.
Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-70140

70140

Смирнов, К. В.
Особенности разогрева и релаксации горячих электронов в тонкопленочных сверхпроводниковых наноструктурах и 2D полупроводниковых гетероструктурах при поглощении излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов [Электронный ресурс] : монография / Смирнов К. В. - Москва : Московский педагогический государственный университет, 2014. - 240 с. - ISBN 978-5-4263-0145-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

537

ББК 22.3

Кл.слова (ненормированные):
заряд -- полупроводник -- сверхпроводник -- технология -- фотон
Аннотация: В монографии рассмотрены основные особенности эффекта электронного разогрева в тонких сверхпроводниковых пленках и полупроводниковых гетеропереходах, возникающего при поглощении носителями заряда излучений терагерцового и инфракрасного диапазонов. Значительная часть монографии посвящена представлению современных достижений при использовании указанного эффекта для создания приемных устройств с рекордными характеристиками: терагерцовых гетеродинных и болометрических приемников на основе сверхпроводниковых и полупроводниковых структур; сверхпроводниковых приемников одиночных ИК фотонов. В работе также подробно рассмотрены основы современной сверхпроводниковой тонкопленочной технологии. Монография может быть полезна студентам старших курсов, аспирантам и начинающим исследователям, работающим в области физики твердого тела, оптики, радиофизики.

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Чулкова, Г. М.; Вахтомин, Ю. Б.; Корнеев, А. А.; Окунев, О. В.; Дивочий, А. В.; Семенов, А. В.; Гольцман, Г. Н.
Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-23976

23976

Минаева, О. В.
Быстродействующий однофотонный детектор на основе тонкой сверхпроводниковой пленки NbN [Электронный ресурс] : монография / Минаева О. В. - Москва : Прометей, 2013. - 144 с. - ISBN 978-5-7042-2475-4 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

ББК 32.844

Кл.слова (ненормированные):
быстродействующий детектор -- однофотонный детектор -- пленка nbn -- сверхпроводниковая пленка
Аннотация: В настоящее время приборы ИК диапазона широко применяются в научных исследованиях, промышленности, военном деле. Можно привести множество примеров практического использования этих приборов: дистанционное измерение температур и теплового излучения различных тел, химический анализ веществ по спектрам их поглощения и излучения в ИК области спектра, инфракрасные астрономические исследования, тепловидение, обнаружение морских, наземных, воздушных объектов, тестирование микросхем, квантовая криптография, квантовые компьютеры.

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Окунев, О. В.; Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.
Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-18639

18639

Чулкова, Г. М.
Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе [Электронный ресурс] : монография / Чулкова Г. М. - Москва : Прометей, 2012. - 140 с. - ISBN 978-5-4263-0118-4 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

537.311

ББК 22.37

Кл.слова (ненормированные):
двумерный электронный газ -- монография -- нанотехнологии -- наноэлектроника -- полупроводник -- примесный металл -- энергетическая релаксация
Аннотация: Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники.

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В.
Свободных экз. нет
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 28.06.2024
Число запросов	0
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)