Фундаментальная библиотека ФГБОУ ВО СПХФУ Минздрава России

Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Главная

ИРБИС64+

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

ЭБС IPRBooks- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Картотека журнальных статей

Систематический имидж-каталог

Авторефераты диссертаций

Учебники и учебно-методические пособия СПХФУ

ЭБС IPRBooks

ЭБС Консультант студента

ЭБС Юрайт

Диссертации, защищенные в СПХФУ

Журнальный фонд СПХФУ

Библиотечный фонд техникума

ВКР

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Юрчук, С. Ю.$<.>)

Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7

IPRBooks-78562

78562

Юрчук, С. Ю.
Методы математического моделирования [Электронный ресурс] : учебное пособие / Юрчук С. Ю. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2018. - 96 с. - ISBN 978-5-906953-43-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

621.3

ББК 22.1

Кл.слова (ненормированные):
моделирование -- структура -- уравнение
Аннотация: Изложены основные методы численного моделирования полупроводниковых структур микро- и наноэлектроники, основанные на решении фундаментальной системы уравнений: Пуассона, непрерывности и переноса. Рассмотрены основные приближения базовой системы уравнений и границы их применимости. Представлены методы дискретизации фундаментальной системы уравнений (конечных разностей и конечных элементов) для последующего решения и сами методики решения. Отдельно рассмотрены подходы к моделированию полупроводниковых наноструктур с учетом влияния квантовых эффектов. Описаны методы численного решения стационарного и нестационарного уравнений Шредингера и метод совместного решения уравнений\nШредингера и Пуассона для полупроводниковых гетероструктур. Предназначено для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».
Изложены основные методы численного моделирования полупроводниковых структур микро- и наноэлектроники, основанные на решении фундаментальной системы уравнений: Пуассона, непрерывности и переноса. Рассмотрены основные приближения базовой системы уравнений и границы их применимости. Представлены методы дискретизации фундаментальной системы уравнений (конечных разностей и конечных элементов) для последующего решения и сами методики решения. Отдельно рассмотрены подходы к моделированию полупроводниковых наноструктур с учетом влияния квантовых эффектов. Описаны методы численного решения стационарного и нестационарного уравнений Шредингера и метод совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона для полупроводниковых гетероструктур. Предназначено для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-56066

56066

Юрчук, С. Ю.
Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур. Математическое моделирование фотолитографических процессов и процессов электронной литографии при создании субмикронных структур и структур с нанометровыми размерами [Электронный ресурс] : курс лекций / Юрчук С. Ю. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2013. - 45 с. - ISBN 978-5-87623-662-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

539

ББК 32.81

Кл.слова (ненормированные):
математическое моделирование -- субмикронная структура -- фотолитография -- электронная литография
Аннотация: Курс лекций описывает основные математические модели фотолитографии и электронной литографии, используемых при создании субмикронных структур. Приведены модели отдельных процессов фотолитографии: формирование изображения в фоторезисте, экспонирование, травление фоторезиста. Показаны ограничения, которые накладываются на процесс фотолитографии. Приведена теория электронной эмиссии, используемая для моделирования формирования электронного пучка. Описан эффект близости, который вносит ограничения в точность формирования изображения при электронной литографии. Показаны способы коррекции эффекта близости. Предназначен для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-56067

56067

Юрчук, С. Ю.
Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур. Моделирование наносистем методами молекулярной динамики [Электронный ресурс] : курс лекций / Юрчук С. Ю. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2013. - 47 с. - ISBN 978-5-87623-663-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

539

ББК 32.81

Кл.слова (ненормированные):
моделирование -- молекулярная динамика -- наносистема
Аннотация: Цель курса лекций – ознакомить студентов с методами моделирования процессов выращивания наноструктур. Даны основные представления о методе Монте-Карло, основанном на выборе случайных процессов. Представлены приложения метода Монте-Карло для моделирования взаимодействия частиц. Даны основные представления моделирования выращивания нанопленок методом молекулярной динамики, с помощью которого можно численно интегрировать классические уравнения движения и проследить траекторию движения атомов и молекул в некотором конечном временном интервале, не превышающем нано- или микросекунду. Показаны примеры результатов моделирования роста нанослоев. Предназначен для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-56102

56102

Юрчук, С. Ю.
Полупроводниковые оптоэлектронные приборы [Электронный ресурс] : лабораторный практикум / Юрчук С. Ю. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2006. - 63 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

ББК 32.86

Кл.слова (ненормированные):
оптоэлектронный прибор -- оптрон -- фотодиод -- фототранзистор
Аннотация: Лабораторный практикум включает описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Представлены схемы измерения и методики расчета основных параметров и характеристик оптоэлектронных приборов. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам «Физика твердого тела», «Физика полупроводниковых приборов», «Квантовая и оптическая электроника». Предназначен для студентов специальности 210104 (2001) «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов»).

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Диденко, С. И.; Кольцов, Г. И.
Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-98880

98880

Юрчук, С. Ю.
Основы математического моделирования [Электронный ресурс] : учебное пособие / Юрчук С. Ю. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2014. - 108 с. - ISBN 978-5-87623-811-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
диффузный процесс -- ионная имплантация -- математическая модель -- технологический процесс -- электроника
Аннотация: В учебном пособии описаны основные математические модели современных технологических процессов полупроводниковой электроники: диффузии, ионной имплантации, термического окисления и импульсного отжига. Представлены методики решения основных уравнений и способы проведения процесса моделирования с целью разработки топологии современных структур микро- и наноэлектроники. Дана информация о широко используемых в настоящее время физических моделях технологических процессов электроники, их возможностях и ограничениях. Большое внимание уделено описанию параметров математических моделей, позволяющих получать реалистичные результаты моделирования, хорошо совпадающие с экспериментальными. Учебное пособие предназначено для освоения студентами методов математического моделирования основных технологических процессов изготовления микроэлектронных полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также изучения современных моделей процессов электроники. Пособие позволит студентам более глубоко усвоить лекционный материал при подготовке к практическим занятиям и окажет помощь при выполнении домашних заданий и курсовых работ. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».

(для доступа требуется авторизация)

Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-98118

98118

Полупроводниковые оптоэлектронные приборы [Электронный ресурс] : курс лекций / Юрчук С. Ю. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2004. - 112 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
оптоэлектронный прибор -- оптрон -- полупроводник -- фотодиод -- фотоприемник -- фоторезистор -- фототранзистор
Аннотация: Приведено описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Рассмотрены параметры и характеристики оптоэлектронных приборов. Дана классификация как самих приборов, так и их параметров. Курс лекций «Полупроводниковые оптоэлектронные приборы» предназначен для студентов специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов») направлений 550700, 654100 «Электроника и микроэлектроника».

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Юрчук, С. Ю.; Диденко, С. И.; Кольцов, Г. И.; Мартынов, В. Н.
Свободных экз. нет
Найти похожие

IPRBooks-98082

98082

Юрчук, С. Ю.
Моделирование полупроводниковых приборов [Электронный ресурс] : курс лекций / Юрчук С. Ю. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2001. - 98 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:

УДК

ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- интегральная схема -- модель -- полупроводниковый прибор -- униполярный транзистор
Аннотация: Данный курс лекций является частью курса «Моделирование технологических процессов». В нем приведены основные уравнения, описывающие работу полупроводниковых приборов, и основные подходы к их решению, применяемые при моделировании; предложены примеры моделирования работы основных полупроводниковых приборов, являющихся элементами интегральных схем; показаны способы упрощения решения базовой системы уравнений для разных приборов. Решение уравнений и численные алгоритмы не рассматриваются, так как этот материал должен прорабатываться на практических занятиях и при выполнении лабораторных работ. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам «Физика твердого тела», «Физика полупроводниковых приборов и ИС», а также иметь представления об основных численных методах. Предназначен для студентов направления 654100 «Электроника и микроэлектроника» специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов»).

(для доступа требуется авторизация)

Доп.точки доступа:
Мурашев, В. Н.
Свободных экз. нет
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 26.06.2024
Число запросов	0
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)