Головкина, М. В. История и методология фотоники и оптоинформатики [Электронный ресурс] : учебное пособие / Головкина М. В. - Самара : Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2017. - 100 с. - Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): гетероструктура -- история фотоники -- компьютерное моделирование -- лазер -- метаматериал -- методология фотоники -- научное познание -- оптоинформатика -- полупроводниковый материал -- этика науки Аннотация: Книга представляет собой учебное пособие по дисциплине «История и методология фотоники и оптоинформатики». Учебное пособие рассчитано на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработано в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014. В книге на высоком уровне рассматриваются вопросы роли науки в современном обществе, методологические проблемы конкретной отрасли науки - фотоники и оптоинформатики, практические вопросы особенностей методологии решения научных и инженерных задач в области фотоники и оптоинформатики, изучается история фотоники. Особое внимание уделяется вкладу советских и российских ученых в развитие фотоники. Для магистрантов, аспирантов, изучающих вопросы фотоники, оптики, оптоинформатики и оптической связи, а также для инженерно-технических работников. Свободных экз. нет |
Сысоев, И. А. Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону [Электронный ресурс] : монография / Сысоев И. А. - Ставрополь : Северо-Кавказский федеральный университет, 2015. - 97 с. - ISBN 978-5-9296-0785-1 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): газовая фаза -- градиентная эпитаксия -- массоперенос -- микроструктура -- многокомпонентная гетероструктура -- наноструктура -- свойство гетероструктуры -- твердый раствор -- термодинамический анализ -- тонкая зона Аннотация: В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, аспирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой. Доп.точки доступа: Лунин, Л. С. Свободных экз. нет |
Федоров, А. В. Физика и технология гетероструктур, оптика квантовых наноструктур [Электронный ресурс] : методические рекомендации / Федоров А. В. - Санкт-Петербург : Университет ИТМО, 2009. - 59 с. - Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): гетероструктура -- квантовая наноструктура -- квантовая точка -- квантовая яма -- оптика -- физика Аннотация: В настоящее издание включены методические рекомендации по выполнению самостоятельной работы студентов к образовательному модулю №1 «Физика и технология гетероструктур, оптика квантовых наноструктур» 1.1.68.1 магистерской программы «Оптика наноструктур» 2 этап «Технологии». Методические рекомендации предназначены для магистрантов первого и второго курса факультета фотоники и оптоинформатики. Материал может быть рекомендован для студентов старших курсов физико-технических специальностей, а также при подготовке магистрантов и аспирантов, специализирующихся в области применения оптических методов в нанотехнологиях. Свободных экз. нет |
Физика. Введение в твердотельную электронику [Электронный ресурс] : учебное пособие / Захаров А. Г. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 107 с. - ISBN 978-5-9275-2621-5 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): гетероструктура -- идеальный кристалл -- межатомное взаимодействие -- полупроводник -- сверхпроводимость -- твердое тело -- твердотельная электроника -- физика -- электронно-дырочный переход Аннотация: В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно изложены контактные явления. Обсуждаются особенности гетеропереходов. Доп.точки доступа: Захаров, А. Г.; Какурина, Н. А.; Какурин, Ю. Б.; Черепанцев, А. С. Свободных экз. нет |
Курочка, С. П. Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций [Электронный ресурс] : учебное пособие / Курочка С. П. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2015. - 82 с. - ISBN 978-5-87623-940-2 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): нанолитография -- наноразмерная гетероструктура -- нанотехнология -- одноэлектронный транзистор -- полевой транзистор -- электроника Аннотация: В результате анализа условий проявления квантово-размерных эффектов, возникающих в многослойных тонкопленочных структурах, уточнены требования к технологическим процессам формирования наноструктурированных гетерокомпозиций. Анализируются как базовые традиционные методы формирования с применением нанолитографии – молекулярно-лучевая эпитаксия и газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, так и специфические – зондовая нанотехнология и самоорганизация упорядоченных наноструктур на полупроводниковых подложках. В качестве практического применения наноструктурированных гетерокомпозиций рассмотрены конструкция и принцип работы полевого транзистора с высокой подвижностью носителей и одноэлектронный транзистор. Предназначено для магистрантов, обучающихся по направлениям 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника», 28.04.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника». Доп.точки доступа: Сергиенко, А. А. Свободных экз. нет |
Ковалев, А. Н. Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур [Электронный ресурс] : монография / Ковалев А. Н. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2011. - 364 с. - ISBN 978-5-87623-489-6 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): биполярный транзистор -- гетероструктура -- нанотехнология -- полевой транзистор -- электроника Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки новых полупроводниковых микро- и наногетероструктур и приборов на их основе, а также для студентов и аспирантов. Свободных экз. нет |
Ковалев, А. Н. Гетероструктурная наноэлектроника [Электронный ресурс] : учебное пособие / Ковалев А. Н. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2009. - 155 с. - Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): биполярный транзистор -- гетероструктура -- наноэлектроника -- полевой транзистор -- полупроводник Аннотация: Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и направлению «Электроника и микроэлектроника». Свободных экз. нет |
Процессы микро- и нанотехнологии. Ионно-плазменные процессы [Электронный ресурс] : лабораторный практикум / Кузнецов Г. Д. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2007. - 141 с. - Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): гетероструктура -- диэлектрическая пленка -- металлическая пленка -- микротехнология -- нанотехнология -- электронная эмиссия Аннотация: Лабораторный практикум выполняется по курсам «Основы высоких технологий», «Процессы микро- и нанотехнологии» и «Микротехнология слоистых материалов и покрытий». В нем рассматриваются основы физики взаимодействия ускоренных низкоэнергетических ионов с твердым телом, практические возможности использования эффектов ионного воздействия для получения и травления микро- и наноразмерных пленочных гетерокомпозиций. Приводится методика расчета параметров различных технологических ионно-плазменных процессов обработки тонких пленок и покрытий. Дается методика определения экспериментальных параметров процессов осаждения и травления на реальных промышленных установках. Практикум предназначен для студентов и магистров, обучающихся по направлению «Электроника и наноэлектроника», специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника». Доп.точки доступа: Кузнецов, Г. Д.; Курочка, С. П.; Кушхов, А. Р.; Демченкова, Д. Н.; Курочка, А. С. Свободных экз. нет |
Кузнецов, Г. Д. Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике [Электронный ресурс] : лабораторный практикум / Кузнецов Г. Д. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2002. - 41 с. - Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): гетероструктура -- излучающий диод -- оптоэлектроника -- светодиод -- светофильтр -- фотодиод Аннотация: Практикум состоит из пяти лабораторных работ, выполнение которых позволит получить достаточно полное представление о свойствах гетероструктур, используемых в оптоэлектронике. В каждом описании к лабораторной работе дается краткое рассмотрение теории и технологии изготовления гетероструктур, что закрепляет знания студентов, полученные в лекционных курсах. Настоящий лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по направлению 550700 для изучения курсов «Основы высоких технологий», «Физико-химические основы многослойных гетероструктур», «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники». Доп.точки доступа: Сушков, В. П.; Ованесов, А. Е. Свободных экз. нет |
Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники: оптоэлектронные преобразователи излучений [Электронный ресурс] : курс лекций / Кузнецов Г. Д. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2001. - 62 с. - Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): гетероструктура -- микроэлектроника -- однокристальный преобразователь -- оптоэлектроника -- полупроводник Аннотация: В курсе лекций рассматриваются результаты работ по созданию бистабильных электронных и оптических элементов для систем обработки и хранения информации на основе полупроводниковых гетерокомпозиций, а также анализируются этапы разработки конструкций для создания однокристального преобразователя. Рассматривается возможность создания новых типов приборов оптоэлектроники. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по специализации «Технология новых материалов», «Нетрадиционные экологически чистые источники и преобразователи энергии» и магистров, обучающихся по программе «Процессы микро- и нанотехнологии». Доп.точки доступа: Кузнецов, Г. Д.; Образцов, А. А.; Сушков, В. П.; Фурманов, Г. П.; Кузнецова, Г. Д. \ред.\ Свободных экз. нет |