Белый, А. В. Инженерия поверхностей конструкционных материалов с использованием плазменных и пучковых технологий [Электронный ресурс] / Белый А. В. - Минск : Белорусская наука, 2017. - 458 с. - ISBN 978-985-08-2140-9 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): инженерия поверхности -- интерметаллический сплав -- ионно-лучевая обработка -- ионно-плазменное азотирование -- ионное легирование -- конструкционный материал -- коррозионная стойкость -- плазменная технология -- пучковая технология Аннотация: Монография посвящена методам обработки материалов с применением концентрированных потоков энергии. Основное внимание уделено вопросам формирования структуры и свойств поверхностного слоя конструкционных, инструментальных и функциональных материалов под воздействием лазерных, электронных и ионных пучков, плазменных потоков. Приведена краткая характеристика современного оборудования для обеспечения лазерной, ионно- и электронно-лучевой обработки, нанесения ионно-плазменных покрытий. Монография рассчитана на специалистов научно-исследовательских институтов, объединений, предприятий, занимающихся вопросами упрочняющей обработки металлов, сплавов и керамических материалов. Может быть полезна студентам высших учебных заведений, магистрантам и аспирантам соответствующих специальностей. Доп.точки доступа: Калиниченко, А. С.; Девойно, О. Г.; Кукареко, В. А. Свободных экз. нет |
Перинский, В. В. Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств [Электронный ресурс] : учебное пособие / Перинский В. В. - Саратов : Саратовский государственный технический университет имени Ю.А. Гагарина, ЭБС АСВ, 2019. - 123 с. - ISBN 978-5-7433-3318-9 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): ионное легирование -- кластеризация -- корреляция -- наноконструирование -- физика Аннотация: Ионная имплантация арсенида галлия позволяет изготавливать наноразмерные локальные активные, резистивные и изолирующие области в монокристаллическом и эпитаксиальном арсениде галлия в промышленной установке ионного легирования, где осуществляется изготовление элементов ИС СВЧ. Учебное пособие посвящено разработке физических основ и технике ионно-лучевой технологии микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия, особенностям применения ускоренных ионов серы, селена, гелия, водорода при создании наноразмерных активных, изолирующих областей в монокристаллическом арсениде галлия и его эпитаксиальных структурах; проблеме качества полупроводниковых структур арсенида галлия; роли процессов кластеризации в технологии ионного легирования и изоляции. Книга предназначена магистрантам, занимающимся исследованиями в области технологии полупроводников АIIIВV для твердотельной СВЧ микроэлектроники, а также студентам, обучающимся по направлению «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» в соответствии с программой подготовки специалистов высшей квалификации для предприятий твердотельной СВЧ электроники. Доп.точки доступа: Перинская, И. В.; Калганова, С. Г. Свободных экз. нет |