66481

    Щеулин, А. С.
    Ионные кристаллы. Оптические и голографические свойства [Электронный ресурс] : учебное пособие по выполнению лабораторного практикума / Щеулин А. С. - Санкт-Петербург : Университет ИТМО, 2013. - 48 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 22.3

Кл.слова (ненормированные):
голограмма -- ионный кристалл -- кубический кристалл -- оптика -- поляризованная люминесценция -- спектр
Аннотация: В пособии представлены материалы к лабораторному практикуму, сопровождающему курсы лекций по физике твердого тела и оптическому материаловедению. Содержащиеся в этих материалах лабораторные работы посвящены важному классу материалов оптики и оптоинформатики – ионным кристаллам с центрами окраски. Описания работ сопровождаются кратким изложением необходимого для их выполнения теоретического материала. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальностям 200600 «Фотоника и оптоинформатика», 551900 «Оптотехника».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Ангервакс, А. Е.; Верховский, Е. Б.; Купчиков, А. К.; Рыскин, А. И.
Свободных экз. нет

56747

    Андреев, Л. А.
    Физика и химия твердого тела. Точечные дефекты в ионных кристаллах [Электронный ресурс] : методические указания / Андреев Л. А. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2003. - 82 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 24.5

Кл.слова (ненормированные):
ионный кристалл -- твердое тело -- физика -- химия
Аннотация: Настоящие указания содержат многовариантные задачи для выполнения индивидуальных домашних работ по разделу «Точечные дефекты в ионных кристаллах» курса «Физика и химия твердого состояния». Выполнение домашней работы должно развить у студентов: умение составлять символические («квазихимические») уравнения физико-химических процессов, протекающих в ионных кристаллах с участием точечных дефектов; понимание электронной природы некоторых типов центров окраски кристаллов (F-центров); навык прогнозирования влияния примесей гетеровалентных ионов на ионную электропроводность кристаллов и их присутствия в оксиде (сульфиде) на скорость роста оксидной (сульфидной) пленки на металле. Теоретические разделы должны помочь глубже понять рассматриваемые проблемы как при выполнении задания, так и при самостоятельной проработке материала по соответствующим вопросам курса. Исходные данные, используемые для составления задач, заимствованы из оригинальных работ. Предназначены для студентов специальности 070800.

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Новиков, А. В.; Новикова, Е. А.; Бокштейн, Б. С. \ред.\
Свободных экз. нет