Курашова, С. А. Квантовая оптика [Электронный ресурс] : методические рекомендации по выполнению лабораторных работ / Курашова С. А. - Санкт-Петербург : Университет ИТМО, 2016. - 74 с. - Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): интегральный коэффициент -- квантовая оптика -- потенциал -- температура -- фотодиод -- фотоэффект -- электрон Аннотация: Пособие содержит методические рекомендации к выполнению лабораторных работ и теоретические сведения, необходимые для объяснения результатов эксперимента. При подготовке данного пособия использованы материалы научно-исследовательской лаборатории (НИЛ) техники эксперимента Новосибирского государственного технического университета. Для выполнения лабораторных работ используются установки, разработанные НИЛ техники эксперимента Новосибирского государственного технического университета, производства OOO «Опытные приборы». Свободных экз. нет |
Матвеев, Б. А. Широкополосные средневолновые инфракрасные фотодиоды на основе твердых растворов А III B V [Электронный ресурс] : монография / Матвеев Б. А. - Москва, Саратов : Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Ай Пи Эр Медиа, 2016. - 116 с. - ISBN 978-5-7262-2211-0 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): физика -- фотодиод -- фототок Аннотация: Проведен обзор материалов, структур и конструкций, применяемых при изготовлении средневолновых инфракрасных фотодиодов. Рассмотрены основные свойства и особенности протекания тока в диодах с контактами ограниченной площади и распределение плотности фототока в инфракрасных фотодиодах. На примере фотодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP/InAs(Sb), рассмотрено влияние неравномерности распределения плотности тока на основные характеристики фотодиодов. Для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики полупроводников, а также может быть полезна преподавателям, аспирантам, магистрантам и студентам инженерно-физических специальностей. Доп.точки доступа: Ратушный, В. И.; Рыбальченко, А. Ю. Свободных экз. нет |
Юрчук, С. Ю. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы [Электронный ресурс] : лабораторный практикум / Юрчук С. Ю. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2006. - 63 с. - Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): оптоэлектронный прибор -- оптрон -- фотодиод -- фототранзистор Аннотация: Лабораторный практикум включает описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Представлены схемы измерения и методики расчета основных параметров и характеристик оптоэлектронных приборов. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам «Физика твердого тела», «Физика полупроводниковых приборов», «Квантовая и оптическая электроника». Предназначен для студентов специальности 210104 (2001) «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов»). Доп.точки доступа: Диденко, С. И.; Кольцов, Г. И. Свободных экз. нет |
Ковалев, А. А. Исследования характеристик базовых электрорадиоэлементов. Ч.1. Радиолампы, диоды и фотоэлементы [Электронный ресурс] : учебное пособие / Ковалев А. А. - Москва : Российский университет дружбы народов, 2018. - 120 с. - ISBN 978-5-209-08468-6 (ч.1), 978-5-209-08466-2 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): базовый электрорадиоэлемент -- выпрямительный диод -- исследование характеристики -- кремниевый стабилитрон -- полупроводниковый диод -- радиолампа -- термоэлектронная эмиссия -- фотодиод -- фоторезистор -- фотоэлемент Аннотация: В учебном пособии представлены лабораторные работы, посвященные исследованию характеристик таких электрорадиоэлементов, как радиолампа, выпрямительный диод, стабилитрон, фоторезистор и фотодиод, необходимых студентам для проектирования радиоэлектронных устройств. Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки «Наноинженерия», «Конструирование и технология электронных средств», «Электроника и наноэлектроника», специальности «Радиоэлектронные системы и комплексы» и другим направлениям подготовки и специальностям по радиоэлектронике, а также специализации «Проектирование и технология радиоэлектронных систем и комплексов» и профилю подготовки «Проектирование электронных приборов и робототехнических комплексов». Доп.точки доступа: Тищенко, Л. А. Свободных экз. нет |
Проектирование и технология электронной компонентной базы: полупроводниковые приемники излучений [Электронный ресурс] : курс лекций / Леготин С. А. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2018. - 188 с. - ISBN 978-5-906953-50-6 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): ионизирующее излучение -- матричный приемник -- полупроводник -- фотодиод -- фоторезистор -- электроника Аннотация: Методологически дисциплина построена на основе оптимального соотношения теоретических и прикладных вопросов проектирования полупроводниковых матричных приемников излучений. Теоретические основы изложены так, чтобы показать основные физические процессы, происходящие в элементах интегральной микросхемы матричного приемника излучений. Прикладные вопросы ориентируют слушателей на решение типовых задач проектирования технологии, конструкции и схемотехники оптических матричных интегральных микросхем. Этот курс дает недостающую информацию для инженеров и физиков, которые хотят больше узнать об интегрированных оптоэлектронных схемах, реализуемых по кремниевой технологии, и предназначен быть связующим звеном между микроэлектроникой и оптоэлектроникой. Курс лекций предназначен для студентов, обучающихся по укрупненной группе специальностей 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи» и специалистов, работающих на предприятиях в сфере оптоэлектроники. Доп.точки доступа: Леготин, С. А.; Краснов, А. А.; Ельников, Д. С.; Мурашев, В. Н.; Диденко, С. И.; Таперо, К. И.; Коновалов, М. П. Свободных экз. нет |
Ковалев, А. Н. Физика и технология наноструктурных гетерокомпозиций [Электронный ресурс] : учебник / Ковалев А. Н. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2015. - 460 с. - ISBN 978-5-87623-941-9 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): наногетероструктура -- наноэлектроника -- оптоэлектроника -- полупроводник -- транзистор -- физика -- фотодиод Аннотация: Учебник содержит всестороннее изложение базовых элементов физики полупроводников, объемное изложение и анализ современных технологий выращивания полупроводниковых материалов, учитывающих квантово-размерные эффекты (метод молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, метод Фольмера–Вебера–Странского, Бартона–Кабреры–Ван дер Мерве). Рассмотрены современные многокомпонентные наногетероструктуры, в том числе нитридные, фосфидные и арсенидные материалы. Представлен и проанализирован широкий спектр приборов опто- и наноэлектроники. Приведены рабочие характеристики всех видов транзисторов, фотодиодов, солнечных элементов, светоизлучающих диодов и лазеров, механизмы их деградации и принципы спинтроники на основе нитридов. Учебник предназначен для бакалавров, магистров, инженеров, обучающихся по специальностям 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная электроника», 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», 15.03.04 «Автоматизация технологических процессов и производств», 11.03.01 «Радиотехника», 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи». Представляет интерес для широкого круга читателей, специализирующихся в опто- и наноэлектронике, технологии полупроводниковых материалов и приборов на их основе. Доп.точки доступа: Рабинович, О. И.; Тимошина, М. И. Свободных экз. нет |
Полупроводниковые оптоэлектронные приборы [Электронный ресурс] : курс лекций / Юрчук С. Ю. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2004. - 112 с. - Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): оптоэлектронный прибор -- оптрон -- полупроводник -- фотодиод -- фотоприемник -- фоторезистор -- фототранзистор Аннотация: Приведено описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Рассмотрены параметры и характеристики оптоэлектронных приборов. Дана классификация как самих приборов, так и их параметров. Курс лекций «Полупроводниковые оптоэлектронные приборы» предназначен для студентов специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов») направлений 550700, 654100 «Электроника и микроэлектроника». Доп.точки доступа: Юрчук, С. Ю.; Диденко, С. И.; Кольцов, Г. И.; Мартынов, В. Н. Свободных экз. нет |
Кузнецов, Г. Д. Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике [Электронный ресурс] : лабораторный практикум / Кузнецов Г. Д. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2002. - 41 с. - Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): гетероструктура -- излучающий диод -- оптоэлектроника -- светодиод -- светофильтр -- фотодиод Аннотация: Практикум состоит из пяти лабораторных работ, выполнение которых позволит получить достаточно полное представление о свойствах гетероструктур, используемых в оптоэлектронике. В каждом описании к лабораторной работе дается краткое рассмотрение теории и технологии изготовления гетероструктур, что закрепляет знания студентов, полученные в лекционных курсах. Настоящий лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по направлению 550700 для изучения курсов «Основы высоких технологий», «Физико-химические основы многослойных гетероструктур», «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники». Доп.точки доступа: Сушков, В. П.; Ованесов, А. Е. Свободных экз. нет |