98215

    Астахов, В. П.
    Основы технологии электронной компонентной базы [Электронный ресурс] : практикум / Астахов В. П. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2016. - 53 с. - ISBN 978-5-87623-964-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
диффузия -- ионная имплантация -- компонентная база -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- технологический процесс
Аннотация: Содержит описание трех практических занятий, в которых изучаются такие процессы создания приборных структур наноэлектроники, как термическое окисление, диффузия и ионная имплантация. Ставит перед собой задачи объяснить физическую сущность используемых в микро- и наноэлектронике технологических процессов, научить комплексному научному подходу к выбору методов и процессов формирования электронной компонентной базы, а также освоить методики расчета параметров технологических процессов. Результатом обучения должно быть приобретение компетенций по основным базовым процессам технологии для применения их в научных исследованиях, разработке и производстве изделий микро- и наноэлектроники. Практикум является составной частью курса «Основы технологии электронной компонентной базы» для студентов, обучающихся по направлению 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Леготин, С. А.; Кузьмина, К. А.
Свободных экз. нет

98140

   
    Физические основы электроники: полевые приборы [Электронный ресурс] : лабораторный практикум / Диденко С. И. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2016. - 56 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Режим доcтупа:
УДК
ББК 32.85

Кл.слова (ненормированные):
полевой прибор -- полупроводник -- транзистор -- физический процесс -- электроника
Аннотация: В практикуме приводятся описания лабораторных работ, предназначенных для детального и углубленного изучения физических процессов в приборах и структурах современной полупроводниковой электроники – полевых транзисторах с управляющим p–n переходом и МДП-структурой, а также вольт-фарадных характеристик структур металл–диэлектрик–полупроводник. Предназначен для студентов направления 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника».

(для доступа требуется авторизация)


Доп.точки доступа:
Диденко, С. И.; Астахов, В. П.; Барышников, Ф. М.; Борзых, И. В.; Хрусталёва, Т. М.
Свободных экз. нет