Рабинович, О. И. Основы технологии электронной компонентной базы [Электронный ресурс] : методы контроля характеристик материалов в технологических процессах получения тонкопленочных материалов. Лабораторный практикум / Рабинович О. И. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2013. - 42 с. - ISBN 978-5-87623-710-1 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): компонентная база -- тонкопленочный материал -- электронная база Аннотация: В лабораторном практикуме излагаются теоретические основы технологических процессов роста полупроводниковых материалов и методы контроля их электрофизических и структурных параметров. Материал практикума соответствует учебному плану курса «Основы технологии электронной компонентной базы». Предназначен для студентов, обучающихся по направлению 210100 в качестве бакалавров, инженеров и магистров, при выполнении лабораторных работ, подготовке дипломных работ и магистерских диссертаций. Доп.точки доступа: Крутогин, Д. Г. Свободных экз. нет |
Сушков, В. П. Конструирование компонентов и элементов микро- и наноэлектроники [Электронный ресурс] : компьютерное моделирование оптоэлектронных приборов. Учебно-методическое пособие / Сушков В. П. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2012. - 128 с. - ISBN 978-5-87623-565-7 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): simwindows -- компьютерное моделирование -- оптоэлектронный прибор Аннотация: В пособии излагаются теоретические основы работы программы SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Приводится информация о типах файлов программы, о формировании необходимых данных по параметрам, используемых при моделировании материалов, примеры записи файлов, описывающих свойства материалов и приборов на основе Si, AlGaInP, AlGaAs, нитридов элементов III группы и их твердых растворов. Рассматривается пример моделирования диода с p-n-переходом на основе гетероструктур AlGaAs и солнечных элементов. Приводятся основные физические сведения о программе SimWindows. Пособие соответствует программе курса «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники». Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении домашних заданий, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ. Доп.точки доступа: Кузнецов, Г. Д.; Рабинович, О. И. Свободных экз. нет |
Основы технологии электронной компонентной базы [Электронный ресурс] : учебно-методическое пособие / Рабинович О. И. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2015. - 59 с. - Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): полупроводник -- спектрофотометрия -- тонкопленочная структура -- турбомолекулярный насос -- электроника Аннотация: В пособии излагаются теоретические основы технологических процессов роста полупроводниковых материалов и методы контроля в рамках курса «Основы технологии электронной компонентной базы». Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению 11.04.04 – «Электроника и наноэлектроника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, и может быть полезно при выполнении лабораторных работ, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ. Доп.точки доступа: Рабинович, О. И.; Крутогин, Д. Г.; Маренкин, С. Ф.; Подгорная, С. В. Свободных экз. нет |
Ковалев, А. Н. Физика и технология наноструктурных гетерокомпозиций [Электронный ресурс] : учебник / Ковалев А. Н. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2015. - 460 с. - ISBN 978-5-87623-941-9 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): наногетероструктура -- наноэлектроника -- оптоэлектроника -- полупроводник -- транзистор -- физика -- фотодиод Аннотация: Учебник содержит всестороннее изложение базовых элементов физики полупроводников, объемное изложение и анализ современных технологий выращивания полупроводниковых материалов, учитывающих квантово-размерные эффекты (метод молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, метод Фольмера–Вебера–Странского, Бартона–Кабреры–Ван дер Мерве). Рассмотрены современные многокомпонентные наногетероструктуры, в том числе нитридные, фосфидные и арсенидные материалы. Представлен и проанализирован широкий спектр приборов опто- и наноэлектроники. Приведены рабочие характеристики всех видов транзисторов, фотодиодов, солнечных элементов, светоизлучающих диодов и лазеров, механизмы их деградации и принципы спинтроники на основе нитридов. Учебник предназначен для бакалавров, магистров, инженеров, обучающихся по специальностям 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная электроника», 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», 15.03.04 «Автоматизация технологических процессов и производств», 11.03.01 «Радиотехника», 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи». Представляет интерес для широкого круга читателей, специализирующихся в опто- и наноэлектронике, технологии полупроводниковых материалов и приборов на их основе. Доп.точки доступа: Рабинович, О. И.; Тимошина, М. И. Свободных экз. нет |
Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологий [Электронный ресурс] : учебно-методическое пособие / Рабинович О. И. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2015. - 89 с. - Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): микротехнология -- нанотехнология -- тонкая пленка -- химический метод -- электроника -- эпитаксия Аннотация: В пособии излагаются теоретические основы технологических процессов роста полупроводниковых материалов и методы контроля в рамках курса «Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологий». Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении лабораторных работ, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ. Доп.точки доступа: Рабинович, О. И.; Крутогин, Д. Г.; Подгорная, С. В.; Маренкин, С. Ф. Свободных экз. нет |
Рабинович, О. И. Основы технологии электронной компонентной базы: моделирование технологических процессов получения тонкопленочных материалов [Электронный ресурс] : учебно-методическое пособие / Рабинович О. И. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2012. - 81 с. - ISBN 978-5-87623-566-4 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): компонентная база -- модель -- технологический процесс -- тонкопленочный материал -- электроника -- эпитаксия Аннотация: В пособии излагаются теоретические основы технологических процессов роста полупроводниковых материалов и методы контроля в рамках курса «Основы технологии электронной компонентной базы». Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении лабораторных работ, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ. Доп.точки доступа: Крутогин, Д. Г.; Евсеев, В. А. Свободных экз. нет |
Сушков, В. П. Микроэлектроника. Компьютерное моделирование параметров полупроводниковых компонентов микроэлектроники [Электронный ресурс] : учебно-методическое пособие / Сушков В. П. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2005. - 105 с. - Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): интегральная схема -- компьютерная модель -- микроэлектроника -- полупроводник -- программа Аннотация: В данном пособии излагаются теоретические основы работы программы SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Приводится информация о типах файлов программы, о формировании необходимых данных по параметрам, используемых при моделировании материалов, примеры записи файлов о материалах и приборах на основе Si, AlGaInP, AlGaAs, нитридов элементов 3-й группы и их твердых растворах. Рассматривается пример моделирования диода с p-n переходом на основе гетероструктур AlGaAs. В приложении приводятся основные физические сведения о программе SimWindows. Пособие соответствует программе курса «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники». Предназначено для студентов, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении домашних заданий, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ. Доп.точки доступа: Кузнецов, Г. Д.; Рабинович, О. И. Свободных экз. нет |