Проектирование и технология электронной компонентной базы: полупроводниковые приемники излучений [Электронный ресурс] : курс лекций / Леготин С. А. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2018. - 188 с. - ISBN 978-5-906953-50-6 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): ионизирующее излучение -- матричный приемник -- полупроводник -- фотодиод -- фоторезистор -- электроника Аннотация: Методологически дисциплина построена на основе оптимального соотношения теоретических и прикладных вопросов проектирования полупроводниковых матричных приемников излучений. Теоретические основы изложены так, чтобы показать основные физические процессы, происходящие в элементах интегральной микросхемы матричного приемника излучений. Прикладные вопросы ориентируют слушателей на решение типовых задач проектирования технологии, конструкции и схемотехники оптических матричных интегральных микросхем. Этот курс дает недостающую информацию для инженеров и физиков, которые хотят больше узнать об интегрированных оптоэлектронных схемах, реализуемых по кремниевой технологии, и предназначен быть связующим звеном между микроэлектроникой и оптоэлектроникой. Курс лекций предназначен для студентов, обучающихся по укрупненной группе специальностей 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи» и специалистов, работающих на предприятиях в сфере оптоэлектроники. Доп.точки доступа: Леготин, С. А.; Краснов, А. А.; Ельников, Д. С.; Мурашев, В. Н.; Диденко, С. И.; Таперо, К. И.; Коновалов, М. П. Свободных экз. нет |
Таперо, К. И. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники: радиационные эффекты в изделиях электронной техники [Электронный ресурс] : учебное пособие / Таперо К. И. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2013. - 349 с. - ISBN 978-5-87623-661-6 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): интегральная схема -- ионизирующее излучение -- космическая радиация -- оптоэлектроника -- полупроводник -- электронная техника Аннотация: Учебное пособие посвящено вопросам деградации полупроводниковых приборов и интегральных схем вследствие дефектов, образующихся при воздействии космической радиации. Рассмотрены следующие вопросы: радиационные условия в космосе; влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на свойства полупроводников; деградация кремниевых приборов и микросхем вследствие радиационных эффектов при воздействии ионизирующих излучений космического пространства; влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на деградацию изделий оптоэлектроники; особенности испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к воздействию ионизирующих излучений космического пространства. Предназначено для бакалавров и магистров, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника», а также студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная электроника». Будет полезно специалистам, работающим в области конструирования изделий полупроводниковой электроники и технологии их изготовления, а также обеспечения надежности и радиационной стойкости комплектующих элементов и аппаратуры. Доп.точки доступа: Диденко, С. И. Свободных экз. нет |
Таперо, К. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: основы радиационной стойкости изделий электронной техники [Электронный ресурс] : курс лекций / Таперо К. И. - Москва : Издательский Дом МИСиС, 2011. - 252 с. - ISBN 978-5-87623-415-5 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks. Режим доcтупа:
Кл.слова (ненормированные): биполярный прибор -- интегральная схема -- ионизирующее излучение -- космическое пространство -- полупроводник -- радиация -- электронная техника Аннотация: В курсе лекций по дисциплине «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения» рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства; численное моделирование радиационных эффектов в кремниевых приборах при воздействии ионизирующего излучения космического пространства. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» и по специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника». Свободных экз. нет |